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multiple dopingとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 多重ドープ
「multiple doping」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
Multiple dopant sources may be employed to form active diffusion regions of varying doping levels.例文帳に追加
様々なドーピングレベルの活性拡散領域を形成するために、複数のドーパント源を利用することができる。 - 特許庁
To provide an ion doping apparatus that can implement a method wherein a large substrate, to which a plural number cutting method is applied, is divided into multiple regions and the substrate is scanned region by region with an ion beam when doping ions thereinto, and also to provide a doping method.例文帳に追加
本発明は多面取り工法が適用される大型基板に対するイオンドーピングを行うにおいて前記大型基板の領域を分割してスキャンする方式を実現するイオンドーピング装置及びドーピング方法を提供する。 - 特許庁
In an integrated circuit, multiple of parallel doping regions 4, 5, 6, and 7 are provided on the lower side of a connection terminal pad 3.例文帳に追加
集積半導体回路において、接続端子パッドの下側に、多数の平行なドーピング領域が設けられている。 - 特許庁
To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加
多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁
The method further includes: generating a signal proportional to the light received by the sensor; implanting the substrate with a dopant during a doping process; generating multiple light signals proportional to a decreasing amount of the light received by the sensor during the doping process; generating an end point signal proportional to the light received by the sensor once the substrate has a final dopant concentration; and ceasing the doping process.例文帳に追加
さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 - 特許庁
A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加
ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁
Channel doping ion implantation is done by converging an ion beam 22 passed through a filter FL with multiple fine openings OP regularly arranged by a lens 26 and by irradiating a semiconductor wafer 1W with the ion beam.例文帳に追加
規則的に配列した複数の微細な開口部ＯＰを有するフィルタＦＬを通過したイオンビーム２２をレンズ２６で収束して半導体ウエハ１Ｗに照射することにより、チャネルドープイオン注入を行なう。 - 特許庁
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「multiple doping」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.例文帳に追加
ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁
Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加
多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁
To provide a burner device capable of uniformly supplying a gas to each burner without using a controller for controlling a gas flow rate to each burner in the supply of a gaseous starting material, a combustible gas such as hydrogen, an assistant gas such as oxygen, a doping gas, an inert gas or the like to a multiple tube burner and a method of manufacturing synthetic quartz glass using the same.例文帳に追加
合成石英ガラスの製造の際、使用する原料ガス、水素などの可燃性ガス、酸素などの支燃性ガス、ドーピングガス、不活性ガス等を多重管バーナーへ供給するにあたって、各バーナーへのガス流量を調整するための調整装置を用いることなく、各バーナーへ均一にガスを供給することができるようしたバーナー装置及びそれを用いた合成石英ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁
The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加
電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁
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