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n‐base layerの英語
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「n‐base layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
An n+ base layer 15 has a line pattern extending in the X direction.例文帳に追加
n^+ベース層15をX方向に延びるラインパターンとする。 - 特許庁
A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加
N^+ドレイン層21上に第2のNベース層3及び第1のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁
A semiconductor device 100 is formed by laminating an n^--drain layer 101, an n^+-buffer layer 102, and an n^--base layer 103.例文帳に追加
半導体装置100は、N^−型ドレイン層101、N^+型バッファ層102及びN^−型ベース層103を積層するように形成している。 - 特許庁
The insulating gate type semiconductor device comprises an N- base layer 1, a P-type base layer 2, a trench 3 so formed as to penetrate the P-type base layer 2 before reaching a depth D from the interface against the N- base layer 1, and a gate electrode 4 embedded in the trench 3 via a gate insulating film.例文帳に追加
本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、N^-ベース層1と、P型ベース層2と、このP型ベース層2を貫通した後さらにN^-ベース層1との界面から深さDに達するように形成されたトレンチ3と、このトレンチ3の内部に、ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極4を具備する。 - 特許庁
Since a collector electrode film 21 is connected with the N+ buffer layer 15 and an N- base layer 12, the semiconductor device 10 has both constitution of an IGBT and constitution of a MOSFET.例文帳に追加
コレクタ電極膜21は、N^+型バッファ層15およびN^−型ベース層12と接続されるので、半導体装置10はIGBTの構成とMOSFETの構成との双方を併せ持つ。 - 特許庁
Since holes are not diffused easily to a part directly under the n+ base layer 15, electrons emitted from the base are prevented from being recombined and the gain is not lowered even in a region of high current density.例文帳に追加
これにより、n^+ベース層15直下までホールが拡散し難くなり、ベースから放出される電子の再結合が防止され、電流密度が高い領域でも、ゲインが低下しなくなる。 - 特許庁
If this is set as a basic configuration, the on-resistance will be reduced, while the maximum cut-off current density is high by increasing the conductivity modulation of the N- base layer 1 with the large depth D of the trench 3.例文帳に追加
これを基本構成とすれば、トレンチ3の深さDを大としてN^-ベース層1の伝導度変調を強めることでオン抵抗を低減し、かつ最大遮断電流密度を大とすることができる。 - 特許庁
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「n‐base layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
A P-type anode diffusion layer 2 is provided on an N-base layer 1, P-type field limiting rings 3a to 3m are provided continuously in ring form surrounding the anode diffusion layer 2, and a silicon oxide film 5 is provided on the rings 3a to 3m.例文帳に追加
N^-ベース層1上にP型のアノード拡散層2を設け、これを取り囲むように連続してリング状にP型のフィールド・リミッティング・リング3a〜3mを設け、このリング3a〜3m上には、シリコン酸化膜5を設ける。 - 特許庁
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