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「n atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 181件
In the formula, X denotes C^1, N, O atoms, M denotes C, N atoms, Y denotes C, N atoms, Z denotes C, N atoms, A and B denote carbon cycles or heterocyles of 5 to 6 members, and Me denotes iridium, platinum, and osmium.例文帳に追加
（式中、ＸはＣ^１，Ｎ，Ｏ原子を，ＭはＣ，Ｎ原子を，ＹはＣ，Ｎ原子を，ＺはＣ，Ｎ原子を，ＡおよびＢは５〜６員の炭素環または複素環を，Ｍｅはイリジウム，プラチナ，オスミウムを表わす） - 特許庁
(i) an organic compound including a substituent group containing N atoms and/or S atoms, (ii) a heterocyclic compound containing N atoms and/or S atoms in a ring structure.例文帳に追加
（ｉ）Ｎ原子及び／又はＳ原子を含む置換基を有する有機化合物（ｉｉ）環構造中に、Ｎ原子及び／又はＳ原子を含む複素環式化合物 - 特許庁
Thus, the binding density of In and N becomes more than the binding density of Ga and N, thereby promoting binding of N atoms and In atoms.例文帳に追加
これにより、ＩｎとＮとの結合の密度が、ＧａとＮとの結合の密度よりも多くなってＮ原子とIｎ原子との結合が促進されていることがわかった。 - 特許庁
The cavities have a pore shape whose opening diameter and inside diameter are several Å, and Cu atoms, O atoms and N atoms are exposed to the inner surfaces of the cavities.例文帳に追加
この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。 - 特許庁
After the pyridine groups are introduced, substituents may be introduced to the N-atoms of the pyridine groups, respectively.例文帳に追加
ピリジン導入後、各ピリジンのＮ原子上に置換基を導入する。 - 特許庁
The low-resistance n-type semiconductor diamond contains both lithium and nitrogen atoms at a rate of 10^17cm^-3 or above, lithium atoms are doped at the interstitial position of carbon atoms, and nitrogen atoms are doped at the substitutional position of carbon atoms, and the lithium atoms and nitrogen atoms are so structured as to be located adjacent to each other.例文帳に追加
リチウム原子と窒素原子とが共に１０^１７ｃｍ^−３以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド。 - 特許庁
Herein, R1-R53 represent hydrogen atom, alkyl group, etc., and X represents O, S, N atoms, etc.例文帳に追加
ここでＲ1〜Ｒ53は、水素原子、アルキル基等、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ原子等を示す。 - 特許庁
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「n atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 181件
The ratio of the number of nitrogen atoms to the number of iron atoms (in terms of N/Fe) is more than 0 and not higher than 0.05, and the ratio of the number of metal atoms to the number of iron atoms (in terms of metal atom/Fe) is more than 0 and not higher than 0.05.例文帳に追加
鉄に対する窒素の原子数比（Ｎ／Ｆｅ換算）は０を超え０．０５以下であり、かつ鉄に対する金属元素の原子数比（金属元素／Ｆｅ換算）は０を超え０．０５以下とする。 - 特許庁
The flame retardant comprises six-membered cyclic compounds formed of P and N atoms.例文帳に追加
Ｐ原子及びＮ原子で形成される六員環化合物からなる難燃剤に関する。 - 特許庁
N atoms 4 on the surface of the semiconductor layer 1 exposed by this step are removed.例文帳に追加
この工程によって露出した半導体層１の表面のＮ原子４を除去する。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加
強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for forming an aluminum nitride film comprises: mixing a gas containing aluminum atoms (Al) and a gas containing nitrogen atoms (N) with a gas containing oxygen atoms (O); and feeding the mixture to a member to be covered by an aluminum nitride film.例文帳に追加
アルミニウム原子（Ａｌ）を含むガスおよび窒素原子（Ｎ）を含むガスに、酸素原子（Ｏ）を含むガスを混合し、窒化アルミニウム膜によって被覆されるべき被処理物に向けて供給する。 - 特許庁
The silazane compound is expressed as Si_8N_12 and has an Si_8N_12 structural unit in which Si atoms are positioned at the vertexes of a hexahedron and the adjacent Si atoms are bonded with each other via N atoms.例文帳に追加
Ｓｉ_８Ｎ_１２で表され、６面体の頂点の位置にＳｉ原子が配置され、隣接するＳｉ原子同士がＮ原子を介して結合されているＳｉ_８Ｎ_１２構造単位を有するシラザン化合物。 - 特許庁
Regarding the grain oriented silicon steel sheet has an amorphous film containing titanium and nitrogen formed on the surface, wherein the ratio of the number of Ti atoms to the number of N atoms (Ti/N) in the film is controlled to >1 to ≤5.例文帳に追加
鋼板の表面に、チタンおよび窒素を含むアモルファス状の被膜を有する方向性電磁鋼板において、該被膜中のTiとＮとの原子数比率Ti／Ｎを１を超え５以下の範囲とする。 - 特許庁
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