n- or oとは 意味・読み方・使い方

When a power source voltage VCC is equal to or higher than a voltage VI_/O at an end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the power source voltage VCC.例文帳に追加

電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/O以上の場合に、トランジスタＭ1のNウエルの電圧が電源電圧Vccにクランプされる。 - 特許庁

The glycogen synthase kinase 3β inhibitor comprises a compound represented by the general formula: S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R (wherein, R is a lower alkyl group; m is 1 or 2; and n is an integer of 2-10) as an active ingredient.例文帳に追加

一般式：S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R（Rは低級アルキル基、mは1または2、nは2〜10の整数である）で表される化合物を有効成分とすることを特徴とする。 - 特許庁

The masteralloy can include Cr, B, Ta, Nb, C, Mo, W, Zr, Zn, Cu, Hf, O, Si or N.例文帳に追加

母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 - 特許庁

An interface layers (12/14) which adjoin a phase change optical recording film (13) comprises Zr (zirconium), O (oxygen), N (nitrogen) and Y (yttria), or Nb (niobium), or Y and Nb.例文帳に追加

相変化光記録膜（13）に隣接する界面層（12/14）が、Zr（ジルコニューム）、O（酸素）、N（窒素）、およびY（イットリア）、もしくはNb（ニオブ）、またはYおよびNbから構成される。 - 特許庁

and branch type compound (D) expressed by the following general formula wherein R1, R2, R3 represents either of ethylene or 1, 2-propylene group and total sum of m, n, o is 2≤m+n+o≤8.例文帳に追加

（上記式中、Ｒ^1、Ｒ^2、Ｒ^3はエチレン、１，２−プロピレン基のいずかであり、ｍ、ｎ、ｏの総和が２≦ｍ＋ｎ＋ｏ≦８である。） - 特許庁

In the formula, R^1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group; Ar represents an o-arylene group or an o-heteroaryl group; X represents O or S; and n represents 1 or 2.例文帳に追加

Ｒ^1はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ａｒはｏ−アリーレン基又はｏ−ヘテロアリール基を表し、ＸはＯ又はＳを表し、ｎは１又は２を表す。 - 特許庁

The novel ionic compound with a low melting point comprises an onium type cation having at least a heteroatom such as N, O, S and P bearing a positive charge and an anion including, wholly or partially, at least an ion imidide such as (FX^1O)N^-(OX^2F) (wherein X^1 and X^2 are identical or different and comprise SO or PF).例文帳に追加

本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX^1O)N^-(OX^2F)(式中、X^1及びX^2は同じか又は異なり、SO又はPFである。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁