n-InGaNとは 意味・読み方・使い方

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.例文帳に追加

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁

On the n-type SiC 11, there are sequentially laminated an n-type nitride semiconductor layer 12, an n-type AlGaN layer 13, an InGaN layer 14, a p-type AlGaN layer 15, and a p-type GaN layer 16.例文帳に追加

このｎ型ＳｉＣ１１上に、ｎ型窒化物半導体層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１３、ＩｎＧａＮ層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５とｐ型ＧａＮ層１６を順次積層する。 - 特許庁

This LED uses a GaN nano rod 30 in which an n-type GaN nanorod 31, an InGaN quantum well 33, and a p-type GaN nano rod 35 are arranged continuously in the longitudinal direction, by inserting the InGaN quantum well 33 between the junction surfaces of the p-n junction GaN nanorods 31 and 35.例文帳に追加

ｐ-ｎ接合ＧａＮナノロッドのｐ-ｎ接合面にＩｎＧａＮ量子井戸(quantum well)を差し込んで、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子井戸３３、およびｐ型ＧａＮナノロッド３５がこの順に長手方向に連続してなるＧａＮナノロッド３０を用いる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN electron block layer 16 and a p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 - 特許庁

A light-emitting element is configured, by successively laminating an n-type GaN layer 12, an InGaN light-emitting layer 16, a p-type GaN layer 20, a p-type electrode 22, and an n-type electrode 24 on a substrate 10.例文帳に追加

発光素子は、基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ発光層１６，ｐ型ＧａＮ層２０、ｐ型電極２２及びｎ型電極２４を積層して構成させる。 - 特許庁

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。 - 特許庁

A saturable absorption layer 19 made of InGaN and having a characteristic indicative of saturation of light absorption amount is provided on an n-type GaN substrate 11, and (carbon) C is doped into a saturable absorption layer 19 made of InGaN.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１１上に、光の吸収量が飽和する特性を備えているＩｎＧａＮから成る可飽和吸収層１９が設けられており、そのＩｎＧａＮから成る可飽和吸収層１９にＣ（炭素）が添加（ドーピング）されている。 - 特許庁