「n-InGaN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor light-emitting device made from (Al, Ga, In)N-based materials has an active region 3 for light emission including InGaN quantum dots or InGaN quantum wires.例文帳に追加

（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料系によって作製された半導体発光デバイスは、ＩｎＧａＮ量子ドットまたはＩｎＧａＮ量子細線を含む、発光のための活性領域３を有している。 - 特許庁

An LED1 is constituted by successively forming, on a substrate 10, an n-GaN layer, an InGaN light emitting layer, a p-GaN layer, a p-electrode and an n-electrode.例文帳に追加

ＬＥＤ１は基板１０上に順次ｎ−ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ−ＧａＮ層、ｐ−電極、ｎ−電極を形成して構成される。 - 特許庁

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.例文帳に追加

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁

On the n-type SiC 11, there are sequentially laminated an n-type nitride semiconductor layer 12, an n-type AlGaN layer 13, an InGaN layer 14, a p-type AlGaN layer 15, and a p-type GaN layer 16.例文帳に追加

このｎ型ＳｉＣ１１上に、ｎ型窒化物半導体層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ層１３、ＩｎＧａＮ層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層１５とｐ型ＧａＮ層１６を順次積層する。 - 特許庁

This LED uses a GaN nano rod 30 in which an n-type GaN nanorod 31, an InGaN quantum well 33, and a p-type GaN nano rod 35 are arranged continuously in the longitudinal direction, by inserting the InGaN quantum well 33 between the junction surfaces of the p-n junction GaN nanorods 31 and 35.例文帳に追加

ｐ-ｎ接合ＧａＮナノロッドのｐ-ｎ接合面にＩｎＧａＮ量子井戸(quantum well)を差し込んで、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子井戸３３、およびｐ型ＧａＮナノロッド３５がこの順に長手方向に連続してなるＧａＮナノロッド３０を用いる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN electron block layer 16 and a p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６およびｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７を含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 - 特許庁

A light-emitting element is configured, by successively laminating an n-type GaN layer 12, an InGaN light-emitting layer 16, a p-type GaN layer 20, a p-type electrode 22, and an n-type electrode 24 on a substrate 10.例文帳に追加

発光素子は、基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ発光層１６，ｐ型ＧａＮ層２０、ｐ型電極２２及びｎ型電極２４を積層して構成させる。 - 特許庁

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。 - 特許庁

A saturable absorption layer 19 made of InGaN and having a characteristic indicative of saturation of light absorption amount is provided on an n-type GaN substrate 11, and (carbon) C is doped into a saturable absorption layer 19 made of InGaN.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１１上に、光の吸収量が飽和する特性を備えているＩｎＧａＮから成る可飽和吸収層１９が設けられており、そのＩｎＧａＮから成る可飽和吸収層１９にＣ（炭素）が添加（ドーピング）されている。 - 特許庁

The gallium nitride light emitting element comprises an n-type GaN buffer layer 12, an n-type GaN layer 14, an InGaN light emitting layer 16, a p-type GaN layer 18, an n-type electrode 20, and a p-type electrode 22 sequentially formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

窒化ガリウム系発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ層１４、ＩｎＧａＮ発光層１６、ｐ型ＧａＮ層１８、ｎ型電極２０、ｐ型電極２２を順次形成することで構成される。 - 特許庁

An n-carrier block layer 8 with a large band gap, consisting of BAlGaN or AlGaN is provided between an n-light guide layer 7, that is made of BGaN or GAN and an n-MQW active layer 9 made of BInGAN or InGaN.例文帳に追加

ＢＧａＮまたはＧａＮからなるｎ−光ガイド層７とＢＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＮからなるｎ−ＭＱＷ活性層９との間にＢＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる大きなバンドギャップを有するｎ−キャリアブロック層８を設ける。 - 特許庁

The semiconductor laminated structure comprises an n-GaN layer 3, an InGaN layer (In 1%), an inclined layer 5, InGaN layers (In 15%) 6a-6e, GaN layers 7a-7e, a p-AlGaN layer 8, and a p-GaN layer 9, in this order starting from the side of the sapphire substrate 2.例文帳に追加

半導体積層構造は、サファイア基板２側から順に、ｎ−ＧａＮ層３、ＩｎＧａＮ層（Ｉｎ１％）４、傾斜層５、ＩｎＧａＮ層（Ｉｎ１５％）６ａ〜６ｅ、ＧａＮ層７ａ〜７ｅ、ｐ−ＡｌＧａＮ層８、ｐ−ＧａＮ層９からなる。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode, at least an n-type foundation layer (4), a strain relaxing layer (11), an InGaN buffer layer (12), a light emitting layer (6) which contains an InGaN quantum well and has a peak wavelength of 440 nm or more and p-type layers (6, 7) are laminated on a substrate (1).例文帳に追加

基板(１)上に少なくとも、ｎ型下地層(４)と、歪緩和層(１１)と、ＩｎＧａＮバッファ層(１２)と、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む発光のピーク波長が４４０ｎｍ以上である発光層(６)と、ｐ型層(６，７)とが積層されている窒化物半導体発光ダイオーである。 - 特許庁

The device has a sapphire substrate 1 whose c-surface is nitrided, a GaN buffer layer 2, an N-polarity GaN layer 3, an N-polarity AlN layer 4, an N-polarity InN/InGaN multilayer device structure 5, an Al-polarity AlN 6 and a GaN cap layer 7.例文帳に追加

本発明によるデバイスは、表面を窒化したｃ面サファイア基板１と、ＧａＮバッファ層２と、Ｎ極性ＧａＮ層３と、Ｎ極性ＡｌＮ層４と、Ｎ極性ＩｎＮ／ＩｎＧａＮ多重層デバイス構造５と、Ａｌ極性ＡｌＮ６と、ＧａＮキャップ層７とを有する。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is constituted by laminating a buffer layer 2, undoped GaN layer 3, n-GaN contact layer 4, n-InGaN crack preventing layer 5, n-AlGaN clad layer 6, light emitting layer 7, p-AlGaN clad layer 8, and p-GaN contact layer 9 upon another in this order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、発光層７、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８およびｐ−ＧａＮコンタクト層９が順に積層されてなる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 comprises a buffer layer 14, an n-type GaN layer 16, an InGaN light emitting layer 18, and a p-type GaN layer 32 formed on a sapphire substrate 12.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、サファイア基板１２上に、バッファ層１４と、ｎ型ＧａＮ層１６と、ＩｎＧａＮ発光層１８と、ｐ型ＧａＮ層３２とが積層される。 - 特許庁

Strain of the light emitting layer (6) is reduced and piezoelectirc field is reduced by providing the strain relaxing layer (11) and the InGaN buffer layer (12) between the n-type foundation layer (4) and the light emitting layer (6).例文帳に追加

ｎ型下地層(４)と発光層(６)との間に、歪緩和層(１１)及びＩｎＧａＮバッファ層(１２)を設けることにより、発光層(６)の歪みが減少しピエゾ電界が低減する。 - 特許庁

The resonator 1 is constituted by successively laminating an n-type AlGaN clad layer 2, an n-type GaN optical waveguide layer 13, an InGaN active layer 14, a p-type GaN optical guide layer 15, and a p-type AlGaN clad layer 16 upon a substrate.例文帳に追加

レーザ共振器１は、基板上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＧａＮ光導波層１３、ＩｎＧａＮ活性層１４、ｐ型ＧａＮ光導波層１５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１６を順次積層することにより構成する。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 14 is formed on the transparent substrate 12 and includes an n-type GaN contact layer 22 laminated on the transparent substrate 12, and an InGaN light-emitting layer 24 and a p-type GaN contact layer 26.例文帳に追加

半導体層１４は、透明基板１２上に形成され、透明基板１２上に積層されるｎ型ＧａＮコンタクト層２２、ＩｎＧａＮ発光層２４およびｐ型ＧａＮコンタクト層２６を含む。 - 特許庁

The group III nitride-based compound semiconductor light-emitting element 100 has a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 11, an n-type AlGaN layer 12, a light-emitting layer 13 of GaN/InGaN multiple quantum well structure, a p-type AlGaN layer 14, a p-type GaN layer 15, and a p^+-type GaN layer 16.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮ層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮ層１４、ｐ型ＧａＮ層１５、ｐ^+型ＧａＮ層１６を有する。 - 特許庁

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。 - 特許庁

With this configuration, if a voltage is applied in forward direction between the p-type ohmic electrode 21 and the n-type ohmic electrode 20, a current flows between both electrodes so that the InGaN layer 14 emits blue light.例文帳に追加

このような構成においては、ｐ型オーミック電極２１とｎ型オーミック電極２０の間に順方向に電圧を印加すると、両電極間に電流が流れ、ＩｎＧａＮ層１４が青色に発光する。 - 特許庁

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed.例文帳に追加

これらの上に、ｎ型ＧａＮ光導波層３ａ，３ｂ、ＩｎＧａＮ活性層４ａ，４ｂ、ｐ型ＧａＮ光導波層５ａ，５ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７ａ，７ｂ、ｐ型コンタクト層８ａ，８ｂが順次形成される。 - 特許庁

A structure 20 composed of an N-type AlGaN clad layer 25b, an InGaN active layer 26, and a P-type AlGaN clad layer 27c is formed on the one surface of a sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の一面に、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層２５ｂ，ＩｎＧａＮよりなる活性層２６およびｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層２７ｃなどを積層した構造部２０を形成する。 - 特許庁

The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁

On a sapphire substrate 11, a GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated sequentially and the quantum well active layer 14 has a well layer sandwiched by a pair of partition wall layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a.例文帳に追加

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2, an InGaN multi-quantum well active layer 3, a p-type AlGaN electronic barrier layer 4, a p-type AlGaN/GaN strain superlatticed layer 5 and a p-type GaN contact layer 6 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１の上にｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層４、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ歪超格子層５及びｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is composed by sequentially laminating an n-type AlGaN cladding layer 5, an n-type GaN light wave guide layer 6, an active layer 7 made of InGaN, an undoped GaN light wave guide layer 17, a p-type AlGaN cap layer 9, a p-type AlGaN/GaN superlattice cladding layer 18, and a p-type GaN contact layer 12.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５と、ｎ型ＧａＮ光導波層６と、ＩｎＧａＮからなる活性層７と、アンドープＧａＮ光導波層１７と、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８と、ｐ型ＧａＮコンタクト層１２とを順次積層して半導体発光素子を構成する。 - 特許庁

The ZnO buffer layer 3 having small specific resistance is grown on a conductive Si substrate 2, and n-type GaN, n-type AlGaN, InGaN (light emitting), p-type AlGaN, and p-type GaN layers 4, 5, 6, 7, and 8 are successively grown, thus forming the semiconductor light emitting device 1 having double hetero junction structure.例文帳に追加

導電性Ｓｉ基板２の上に比抵抗の小さなＺｎＯバッファ層３を成長させ、ＺｎＯバッファ層３の上に順次ｎ型ＧａＮ層４、ｎ型ＡｌＧａＮ層５、ＩｎＧａＮ層（発光層）６、ｐ型ＡｌＧａＮ層７、ｐ型ＧａＮ層８を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子１を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by subjecting a semiconductor crystal 4 of a wurtzite structure having, on a substrate, an n-type GaN layer 1, an InGaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 to c-axis growth, the semiconductor crystal 4 having the respective layers 1, 2, 3 is erected in a nanosize sheet-like form from the substrate.例文帳に追加

基板上に、ｎ型ＧａＮ層１、ＩｎＧａＮ活性層２、ｐ型ＧａＮ層３を有するウルツ構造の半導体結晶４がｃ軸成長されて成る半導体発光素子において、前記の各層１，２，３による半導体結晶４を、基板からナノサイズのシート状に立設する。 - 特許庁

The n-type contact layer 16 is an InGaN and its band gap energy is smaller enough than that of a band gap of the light emitting layer 20 and its film thickness is not less than 200 nm, so that the light emitted downward from the light emitting layer 20 is absorbed to narrow a half-power bandwidth of the emission spectrum.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層１６をＩｎＧａＮとし、そのバンドギャップエネルギを発光層２０のバンドギャップよりも十分小さくし、かつ、その膜厚も２００ｎｍ以上とすることで発光層２０から下方に射出される光を吸収し、発光スペクトルの半値幅を狭くする。 - 特許庁

An undoped GaN layer 102, the semiconductor reflecting mirror 103 composed of a semiconductor, an n-type GaN layer 104, an InGaN active layer 105, a p-type GaN layer 106, and a dielectric reflecting mirror 107 composed of a dielectric film, are formed on a sapphire substrate 101 using a surface (c) as a main surface successively.例文帳に追加

ｃ面を主面とするサファイア基板１０１上に、アンドープＧａＮ層１０２、半導体からなる半導体反射ミラー１０３、ｎ型ＧａＮ層１０４、ＩｎＧａＮ活性層１０５、ｐ型ＧａＮ層１０６、誘電体膜からなる誘電体反射ミラー１０７を順次形成する。 - 特許庁

There are formed on a sapphire substrate 11 a first semiconductor layer 12 comprising n type gallium nitride, a multiple quantum well active layer 13 where 3 pairs of laminates of a GaN barrier layer and an InGaN well layer are laminated, and a p-type gallium nitride second semiconductor layer 14, sequentially.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上には、ｎ型の窒化ガリウムよりなる第１の半導体層１２と、ＧａＮよりなる障壁層とＩｎＧａＮよりなる井戸層とが３対積層されてなる多重量子井戸活性層１３と、ｐ型の窒化ガリウムよりなる第２の半導体層１４とが順次形成されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a transparent n-AlGaN first clad layer 6, a transparent MQW light-emitting layer 7 and a transparent p-AlGaN second clad layer 8 are continuously grown, and an opaque low-temperature growth layer 9 consisting of p-InGaN whose substrate temperature is 600-750°C is grown further thereon.例文帳に追加

サファイア基板１上に透明なｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層６、透明なＭＱＷ発光層７および透明なｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層８を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度６００〜７５０℃でｐ−ＩｎＧａＮからなる不透明な低温成長層９を成長させる。 - 特許庁

A growth suppression film 104 is formed on an n-GaN layer 103, an InGaN re-grown layer 105 is formed from a part, where the growth suppressing film 104 is not formed, thereby lessening the dislocation propagating from the substrate interface and improving the characteristics of a light-emitting element formed thereon.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ層１０３の上に成長抑制膜１０４を形成し、成長抑制膜１０４の形成されていない部分からＩｎＧａＮ再成長層１０５を形成することによって、基板界面から伝搬する転位を減少させ、その上に作成した発光素子の特性を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a P type semiconductor layer 11, an active layer 12 of InGaN/GaN and a P type semiconductor layer 13 formed sequentially on a sapphire substrate 10, and an N side reflection electrode 14 including a reflective layer 14b formed on the P type semiconductor layer 13 to come into ohmic contact therewith and reflecting emission light 50 from the active layer 12.例文帳に追加

半導体発光装置は、サファイアからなる基板１０の上に順次形成されたＰ型半導体層１１、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層１２及びＰ型半導体層１３と、Ｐ型半導体層１３の上に形成され、該Ｐ型半導体層１３とオーミック接触し且つ活性層１２からの発光光５０を反射する反射層１４ｂを含むＮ側反射電極１４とを有している。 - 特許庁

In a transversal filter 10 provided with a propagation layer 12 formed on a sapphire substrate 11 and interdigital electrodes 15, 16 formed on the propagation layer 12, the propagation layer 12 is formed of GaN with piezoelectricity and not positively including impurities, and the interdigital electrodes 15, 16 are formed of InGaN having a band gap narrower than that of the GaN and positively including n-type impurities.例文帳に追加

サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。 - 特許庁