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n-biとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 狭帯域光観察


ITER(国際熱核融合実験炉)用語対訳辞書での「n-bi」の意味

NBI


「n-bi」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 38



例文

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するV族原子としては、P(燐)、As(砒素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)を用いることができる。 - 特許庁

IMPROVING METHOD OF n-VALUE OF Bi BASED SUPERCONDUCTING WIRE例文帳に追加

Bi系超伝導線材のn値の向上方法 - 特許庁

The bi-tree comprises a spatial partitioning of an N-dimensional space into a hierarchy of cells.例文帳に追加

2分木は、N次元空間の、セルの階層への空間分割を備える。 - 特許庁

The device to be verified transmits Yi(=Ri) where bi=0, and transmits Yi(=TRi mod n) where bi=1 (S4).例文帳に追加

被検証装置は、bi=0のときYi(=Ri)を、bi=1のときYi(=TRi mod n)を送る(S4)。 - 特許庁

Further, each layer contains at least one element from among Ag, Bi, O, or N.例文帳に追加

さらに、各々の層は、Ag、Bi、O及びNの少なくとも一つの元素を含有する。 - 特許庁

This improving method of the n-value of the Bi based superconducting wire in which partial melting treatment is applied to the Bi based superconducting wire in a magnetic field can be used as the improving method of the n-value of the Bi based superconducting wire in which the partial melting treatment is applied to a silver sheath Bi2212 superconducting wire in the magnetic field.例文帳に追加

磁場中でBi系超伝導線材を部分溶融処理するBi系超伝導線材のn値の向上方法であり、磁場中で銀シースBi2212超伝導線材を部分溶融処理するBi系超伝導線材のn値の向上方法とすることができる。 - 特許庁

例文

The n-type thermoelectric element layer is a thin film layer and turned to an n-type semiconductor by adding Se to Bi-Te.例文帳に追加

一方、n型熱電素子層は薄膜層であり、Bi−TeにSeを添加することによりn型半導体としたものである。 - 特許庁

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ライフサイエンス辞書での「n-bi」の意味

NBI


Wiktionary英語版での「n-bi」の意味

NBI

等位語

アナグラム


「n-bi」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 38



例文

Then, the verifying device checks whether or not Xi=Yi^2 mod n is satisfied where bi=0 or whether or not ZXi=Yi^2 mod n is satisfied where bi=1 (S5).例文帳に追加

そして、検証装置は、bi=0のときXi=Yi^2 mod n が成立するか否かを、bi=1のときZXi=Yi^2mod n が成立するか否かを検査する(S5)。 - 特許庁

Data of voltages Vbi=Vi-Vi-1 of respective cells Bi are obtained in time series from terminal voltages Vi (i=1, 2,,,n) of the respective cells Bi (i=1, 2,,,n) while discharging discharge current I from the storage battery B.例文帳に追加

蓄電池Bから放電電流Iを放電させながら、蓄電池Bの各セルBi (i=1、2…n)の端子電圧Vi (i=1、2…n)から、各セルBi の電圧Vbi=Vi −Vi-1 のデータを時系列的に採取する。 - 特許庁

Each of the equations is in the form ei1x1+ei2x2+ei3x3,+..., +eiixn=bi, and here, a xj is defined as an unknown, eij is defined as a coefficient and bi is defined as quantity, and a relation between unknowns within the sets is defined according to the coefficient and the quantity.例文帳に追加

前記方程式のそれぞれは、e_i1x_1+e_i2x_2+e_i3x_3+…+e_iix_n=b_iという形であり、ここで、x_jは未知数、e_ijは係数、b_iは量であり、この係数および量によって組内の未知数の間の関係が定義される。 - 特許庁

(A) This polyimide resin having a recurring unit expressed by general formula (1) [wherein, (n) is 1-30 integer; and X is a bi-valent aromatic group].例文帳に追加

(A)下記一般式(1)(式中、nは、1〜30の整数、Xは2価の芳香族基を示す)で表される繰り返し単位を有するポリイミド樹脂。 - 特許庁

Cavitation energy is calculated based on the internal pressure p_Bi of the cavitation bubble and the bubble number density n_gi (S4).例文帳に追加

気泡内圧力p_Bi及び気泡数密度n_giに基づいてキャビテーションエネルギを算出する(S4)。 - 特許庁

Then, in step S15, an integer sequence bi (i=1 to (n-1)) and a real number C are used to compute initial values B0_i (i=1 to n) for adjustment parameter B_i (i=1 to n).例文帳に追加

また、ステップS15で、整数列bi(i=1〜(n−1))と実数Cを用いて、調整パラメータB_i(i=1〜n)の初期値B0_i(i=1〜n)を算出する。 - 特許庁

The parameter Z_L(n) shows behavior similar to bi-coherence, and when the value of the parameter Z_L(n) is smaller than a predetermined value, it is determined that any abnormality is caused in the object to be monitored.例文帳に追加

Z_L (n)はバイコヒーレンスと同様の挙動を示し、Z_L (n)の値が所定値よりも小さいときは監視対象に異常が発生したと判定する。 - 特許庁

例文

An electrode material for an electrochemical capacitor contains composite oxide the general formula of which is M_mWO_n (m is either 1 or 2, n is either 4 or 6, and M is at least one kind of material selected from among Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mg, Ca, Sr, and Bi).例文帳に追加

電気化学キャパシタ用電極材料は、一般式がM_mWO_n(mは1及び2のいずれかであり、nは4及び6のいずれかであり、MはMn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Mg,Ca,Sr及びBiから選ばれた少なくとも一種)である複合酸化物を含んでいる。 - 特許庁

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