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non active windowとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 非アクティブウインドー
「non active window」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5件
The information processing apparatus includes a non-use start time acquisition unit 36 which, when a prescribed time passes after a working window becomes non-active, determines the application program to have switched to a non-use state and acquires the time when the working window is determined to be not active, as the start time of the non-use state.例文帳に追加
本発明に係る情報処理装置は、作業ウインドウが非アクティブになってから所定の時間が経過すると、アプリケーションプログラムが非使用状態に移行したと判定して作業ウインドウがアクティブでないと判定された時刻を非使用状態の開始時刻として取得する非使用開始時刻取得部36を備える。 - 特許庁
The information processing apparatus includes a restart time acquisition unit 37 which, when the working window is active with the application program in the non-use state, determines the application program to have switched to a use state and acquires the time when the working window is determined to be active, as the use restart time.例文帳に追加
また、アプリケーションプログラムが非使用状態にある際に作業ウインドウがアクティブであると、アプリケーションプログラムが使用状態に移行したとして、作業ウインドウがアクティブであると判定された時刻を使用再開時刻として取得する再開時刻取得部37を備える。 - 特許庁
To provide an edge non-injecting type window-structure semiconductor laser in which the diffusion of Zn from a p-type clad layer to an active layer can be suppressed, and a method for manufacturing the laser.例文帳に追加
p型クラッド層から活性層へのZn拡散を抑制することができる端面非注入型の窓構造半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
By performing a heat treatment in an atmosphere containing oxygen, impurity atoms are selectively diffused from the ZnO film 8 to a region including an active region 4, thereby the bandgap of the active layer 4 is selectively expanded while keeping crystallinity, and an optical non-absorptive window region 14 is formed in a resonator end face part.例文帳に追加
そして、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ZnO膜8から活性層4を含む領域に不純物原子を選択的に拡散させることにより、結晶性を保ったまま活性層4のバンドギャップを選択的に拡大し、共振器端面部に光学的非吸収窓領域14を形成する。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加
n−GaAsからなる半導体基板11の上に、n−AlGaInPからなる下側クラッド層12と、窓領域を有するノンドープの活性層13と、p−AlGaInPからなる中間クラッド層14と、エッチングストップ層15と、p−AlGaInPからなるストライプ状の上側クラッド層16とが順次形成されている。 - 特許庁
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