non-volatile random access memoryとは 意味・読み方・使い方

A plurality of non-random access non-volatile memories are used, and the switching is executed based on the busy information of each of those non-random access non-volatile memories so that the delay of the execution of a program due to the busy period of the non-random access non-volatile memory can be reduced.例文帳に追加

複数の非ランダムアクセス型不揮発メモリを使用し、その切替えを個々の非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー情報で行うことで、非ランダムアクセス型不揮発メモリのビジー期間によるプログラム実行の遅延を抑えることができる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a programming method for a non-volatile memory cell of a multi-bit magnetic random access memory cell.例文帳に追加

マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルの不揮発性メモリセルのための装置およびプログラム方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁

To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.例文帳に追加

不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁

An apparatus and an associated method for a non-volatile memory cell such as a multi-bit magnetic random access memory cell are provided.例文帳に追加

マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルなどの不揮発性メモリセルについての装置および関連の方法が提供される。 - 特許庁

The reference circuit of this invention is used as a circuit generating reference voltage in a non-volatile semiconductor memory device, namely, in a ferroelectric random access memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置、すなわち強誘電体ランダムアクセスメモリ装置において基準電圧を発生する回路として使用される。 - 特許庁

To provide memory cell array structure of a non-volatile semiconductor memory unit, which can read data more quickly in the case of high-speed random access and accessing data of a small number.例文帳に追加

高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。 - 特許庁

Security data read by a boot block code stored in a BIOS storage device are written in a non-volatile random access memory(NVRAM).例文帳に追加

ＢＩＯＳ記憶装置に記憶されたブート・ブロック・コードによって読み取られる機密保護データが不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）に書き込まれる。 - 特許庁