nonpolar semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To improve light extraction efficiency without deterioration of crystallinity of a group III nitride semiconductor having a primary surface of a nonpolar plane.例文帳に追加

非極性面を主面とするIII 族窒化物半導体の結晶性を悪化させることなく光取り出し効率を向上させること。 - 特許庁

To provide semiconductor material, a method, and a device and, more specifically, a nonpolar (Al, B, In, Ga) N quantum well, heterostructure material, and a device.例文帳に追加

半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate capable of obtaining a group III nitride semiconductor layer having good crystallinity grown on a nonpolar plane.例文帳に追加

結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a fieldeffect transistor whose stacking fault is small in density using a group-III nitride semiconductor having a nonpolar surface as a principal surface.例文帳に追加

非極性面を主面としたIII族窒化物半導体を用いて、積層欠陥の密度が小さい電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

The light emitting element 2 is constituted of a nitride semiconductor having a nonpolar surface or semi-polar surface as a principal surface.例文帳に追加

この発光素子は非極性面又は半極性面を主面とする窒化物半導体により構成される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor growth substrate such that a (11-22) plane of sapphire is semipolar not to be influenced by a piezoelectric field as well as a nonpolar plane and thereby while a light emitting element is suitably formed, defects in crystal growth on A, M and R nonpolar planes can be solved.例文帳に追加

サファイアの（１１−２２）面が半極性となって、無極性面と同様ピエゾ電界の受けず、発光素子を形成するに適当であるだけでなく、Ａ，Ｍ及びＲ無極性面上の結晶成長の欠点を解決できる窒化物半導体成長基板を提供する。 - 特許庁

To provide a technique advantageous for making semiconductor device side surfaces fixed in form in a method of manufacturing semiconductor devices by breaking a substrate having a crystal structure such that a nonpolar or semipolar plane is made a principal surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面を主面とする結晶構造を有する基板をブレーキングして半導体素子を製造する方法において、該半導体素子の側面の形状を一定にするため有利な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having an electrode to come in excellent ohmic contact with a p-type group-III nitride semiconductor layer including a nonpolar or semipolar surface as a principal surface, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

非極性面または半極性を主面とするｐ型のIII族窒化物半導体層に対して、良好なオーミックコンタクトをとることができる電極を有する窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁