ohmic characteristicsとは 意味・読み方・使い方

To provide a Ga_2O_3-based compound semiconductor which uses a Ga_2O_3-based compound as a semiconductor, has electrodes that allow to obtain ohmic characteristics suitable for the semiconductor, and eliminates heat treatment to obtain ohmic characteristics.例文帳に追加

Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a group 3-5 nitride semiconductor device with ohmic electrode exhibiting excellent ohmic characteristics and thermal stability for an n-type group 3-5 nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型３−５族窒化物半導体層に対して優れたオーミック特性及び熱的安定性を有するオーミック電極を備えた３−５族窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ohmic electrode having superior coherency to a p-type oxide semiconductor and low resistance, and also to provide an oxide semiconductor light-emitting device using the ohmic electrode for achieving excellent light-emitting characteristics, and methods for manufacturing the ohmic electrode and the oxide semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

p 型酸化物半導体に対して密着性に優れ、且つ低抵抗なオーミック電極およびこれを用いて優れた発光特性を実現する酸化物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for a semiconductor device, which has InAlN/GaN heterostructure and excellent ohmic contact characteristics.例文帳に追加

ＩｎＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造を有し、かつオーミックコンタクト特性の優れた半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristics of a device while reducing the contact resistance of ohmic electrodes installed in a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device and a method for manufacturing the same, with which low-resistance ohmic characteristics and high adhesion are realized.例文帳に追加

低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect transistor which can form good ohmic contacts and stabilize device characteristics.例文帳に追加

良好なオーミック接触を形成することができ、デバイス特性を安定させることができるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The ohmic electrode is highly reliable, since it is formed by ohmic contact having superior characteristics, in which the Pt layer (3) contacts the compound semiconductor (2), having InGaAs as the main component.例文帳に追加

このオーミック電極は、ＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体（２）にＰｔ層（３）が接触したオーミックコンタクトを備えているので、このオーミックコンタクトの優れた特性に基づき、高い信頼性を有する。 - 特許庁