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オーミック特性の英語
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英訳・英語 Ohmic features
「オーミック特性」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 101件
P側オーミックメタル電極部3A,3Bと半導体結晶1との金属層2を介しての電気接続はオーミック特性を有している。例文帳に追加
The P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B and the semiconductor crystal are electrically connected together through the intermediary of the metal layer 2 in an ohmic manner. - 特許庁
このオーミック電極は、InGaAsを主成分とする化合物半導体(2)にPt層(3)が接触したオーミックコンタクトを備えているので、このオーミックコンタクトの優れた特性に基づき、高い信頼性を有する。例文帳に追加
The ohmic electrode is highly reliable, since it is formed by ohmic contact having superior characteristics, in which the Pt layer (3) contacts the compound semiconductor (2), having InGaAs as the main component. - 特許庁
オーミック特性を有し且つアモルファス構造であるオーミック電極層がp型SiC半導体の表面に直接積層されているp型SiC半導体のオーミック電極およびその製造方法をを提供する。例文帳に追加
To provide an ohmic electrode of a p-type SiC semiconductor in which an ohmic electrode layer that has ohmic properties and an amorphous structure is laminated directly on the surface of a p-type SiC semiconductor, and to provide a manufacturing method for the electrode. - 特許庁
Ti_3SiC_2のオーミック電極層の平滑性が良好でありオーミック特性の良好なp型SiC半導体素子のオーミック電極およびその形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide an ohmic electrode of a p-type SiC semiconductor element with successful smoothness of an ohmic electrode layer of Ti_3SiC_2 and with successful ohmic characteristics, and to provide a formation method thereof. - 特許庁
オーミック特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser element suppressing the deterioration of ohmic characteristics. - 特許庁
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「オーミック特性」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 101件
オーミック電極のコンタクト抵抗を低くし、しかも熱処理による特性の劣化を抑制する。例文帳に追加
To reduce contact resistance of an ohmic electrode, and to suppress degradation of a characteristic by a heat treatment. - 特許庁
Ga_2O_3系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なGa_2O_3系化合物半導体を提供する。例文帳に追加
To provide a Ga_2O_3-based compound semiconductor which uses a Ga_2O_3-based compound as a semiconductor, has electrodes that allow to obtain ohmic characteristics suitable for the semiconductor, and eliminates heat treatment to obtain ohmic characteristics. - 特許庁
本発明によると、窒化ガリウム半導体発光素子の輝度特性を改善し、オーミック抵抗を減少させ、より優れた特性を有するオーミックコンタクトが形成できる。例文帳に追加
The luminance property of GaN-based semiconductor substance may be improved, and its ohmic resistance may be reduced, thereby, forming an ohmic contact with superior properties. - 特許庁
n型3−5族窒化物半導体層に対して優れたオーミック特性及び熱的安定性を有するオーミック電極を備えた3−5族窒化物半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a group 3-5 nitride semiconductor device with ohmic electrode exhibiting excellent ohmic characteristics and thermal stability for an n-type group 3-5 nitride semiconductor layer. - 特許庁
オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。例文帳に追加
To provide a nitride semiconductor device that can suppress the thermal deterioration of an ohmic characteristic between an ohmic electrode and a nitride semiconductor layer. - 特許庁
オーミック電極および導電膜を容易に形成するとともに、高いオーミック特性および導電膜の低抵抗を維持する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which an ohmic electrode and a conductive film are easily formed and a high ohmic property and the low resistor of the conductive film are maintained. - 特許庁
それにより、AlGaN層3のオーミック・コンタクト形成領域11内で、Siが拡散されて濃度〜10^20cm^−3レベルとなり、Tiと反応してオーミック特性を得るために十分に高い電子濃度となる。例文帳に追加
Consequently, Si is diffused in the ohmic contact forming region 11 of the ALGaN layer 3 to become a level of 10^20cm^-3 in concentration and sufficiently high electron concentration, in order to obtain ohmic characteristics by reacting with Ti. - 特許庁
シリコンカーバイド基板に、特性劣化のないオーミック電極あるいはショットキー電極を形成する。例文帳に追加
To form an ohmic electrode or Schottky electrode without characteristic deterioration on a silicon carbide substrate. - 特許庁
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