「オーミック特性」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Ｔｉ_３ＳｉＣ_２のオーミック電極層の平滑性が良好でありオーミック特性の良好なｐ型ＳｉＣ半導体素子のオーミック電極およびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic electrode of a p-type SiC semiconductor element with successful smoothness of an ohmic electrode layer of Ti_3SiC_2 and with successful ohmic characteristics, and to provide a formation method thereof. - 特許庁

オーミック特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element suppressing the deterioration of ohmic characteristics. - 特許庁

オーミック電極のコンタクト抵抗を低くし、しかも熱処理による特性の劣化を抑制する。例文帳に追加

To reduce contact resistance of an ohmic electrode, and to suppress degradation of a characteristic by a heat treatment. - 特許庁

Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a Ga_2O_3-based compound semiconductor which uses a Ga_2O_3-based compound as a semiconductor, has electrodes that allow to obtain ohmic characteristics suitable for the semiconductor, and eliminates heat treatment to obtain ohmic characteristics. - 特許庁

本発明によると、窒化ガリウム半導体発光素子の輝度特性を改善し、オーミック抵抗を減少させ、より優れた特性を有するオーミックコンタクトが形成できる。例文帳に追加

The luminance property of GaN-based semiconductor substance may be improved, and its ohmic resistance may be reduced, thereby, forming an ohmic contact with superior properties. - 特許庁

ｎ型３−５族窒化物半導体層に対して優れたオーミック特性及び熱的安定性を有するオーミック電極を備えた３−５族窒化物半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a group 3-5 nitride semiconductor device with ohmic electrode exhibiting excellent ohmic characteristics and thermal stability for an n-type group 3-5 nitride semiconductor layer. - 特許庁

オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor device that can suppress the thermal deterioration of an ohmic characteristic between an ohmic electrode and a nitride semiconductor layer. - 特許庁

オーミック電極および導電膜を容易に形成するとともに、高いオーミック特性および導電膜の低抵抗を維持する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which an ohmic electrode and a conductive film are easily formed and a high ohmic property and the low resistor of the conductive film are maintained. - 特許庁

それにより、ＡｌＧａＮ層３のオーミック・コンタクト形成領域１１内で、Ｓｉが拡散されて濃度〜１０^２０ｃｍ^−３レベルとなり、Ｔｉと反応してオーミック特性を得るために十分に高い電子濃度となる。例文帳に追加

Consequently, Si is diffused in the ohmic contact forming region 11 of the ALGaN layer 3 to become a level of 10^20cm^-3 in concentration and sufficiently high electron concentration, in order to obtain ohmic characteristics by reacting with Ti. - 特許庁

シリコンカーバイド基板に、特性劣化のないオーミック電極あるいはショットキー電極を形成する。例文帳に追加

To form an ohmic electrode or Schottky electrode without characteristic deterioration on a silicon carbide substrate. - 特許庁

低温熱処理で良好なオーミック特性を有する電極をｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶上に形成できるようにすること。例文帳に追加

To form an electrode having excellent ohmic characteristics on a p-type gallium-nitride compound semiconductor crystal by low temperature heat treatment. - 特許庁

この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。例文帳に追加

Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics. - 特許庁

ｎ型窒化物半導体のための電極であって、経時的特性に優れかつ機械的強度の高い良好なオーミック電極を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode for an n-type nitride semiconductor which forms a good ohmic electrode having an excellent aging characteristic and a high mechanical strength. - 特許庁

良好なオーミック接触を形成することができ、デバイス特性を安定させることができるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect transistor which can form good ohmic contacts and stabilize device characteristics. - 特許庁

ｐ型の窒化物半導体に接触される電極の透光性とオーミックコンタクト特性を向上させる。例文帳に追加

To improve translucency and ohmic contact characteristics of an electrode in contact with a p-type nitride semiconductor. - 特許庁

III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。例文帳に追加

To reduce the contact resistance of an ohmic electrode provided in a group III-V nitride semiconductor and to improve a device characteristic. - 特許庁

半導体素子の特性に影響を及ぼすことなく、必要な部分のみを速やかにアロイ化しオーミックコンタクトにする。例文帳に追加

To obtain an ohmic contact by speedily alloying only a necessary part without influencing characteristics of a semiconductor element. - 特許庁

オーミック特性の電極を化合物半導体、とくにｎ型ＺｎＳｅ化合物半導体に簡便に形成する電極製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electrode having ohmic contacts to be easily formed on a compound semiconductor, especially an n-type ZnSe compound semiconductor. - 特許庁

オーミック電極の接触抵抗を低減するとともに高い耐圧特性を実現することが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device capable of reducing the contact resistance of an ohmic electrode and obtaining the high pressure resistance properties of the same. - 特許庁

この２電極間の電流−電圧測定結果から電流が流れやすく、オーミック特性が大幅に改善されていることが分かる。例文帳に追加

It is learnt that current easily flows and an ohmic characteristic is remarkably improved from a current-votlage measurement result between the two electrodes. - 特許庁

ＧａＮ基板裏面に、良好なオーミック特性を有し、かつ高い密着性を有する電極構造を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode structure which has a superior ohmic characteristic and high adhesion between the electrode and the backside of a GaN substrate. - 特許庁

電極とチャネル層間のオーミック抵抗の少ない良好な高周波特性を有する半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device whose ohmic resistance is less between an electrode and a channel and has a good high frequency characteristic. - 特許庁

良好なオーミック特性がえられ、信頼性も改善された半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element that has improved ohmic characteristics and has improved reliability, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element. - 特許庁

低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor device which can establish low resistance, ohmic characteristic and high adhesion, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。例文帳に追加

To improve the characteristics of a device while reducing the contact resistance of ohmic electrodes installed in a group III-V nitride semiconductor. - 特許庁

ＩｎＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造を有し、かつオーミックコンタクト特性の優れた半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial substrate for a semiconductor device, which has InAlN/GaN heterostructure and excellent ohmic contact characteristics. - 特許庁

低抵抗なオーミック特性および高い密着性を実現できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor device and a method for manufacturing the same, with which low-resistance ohmic characteristics and high adhesion are realized. - 特許庁

オーミックコンタクト及びガス拡散性が良好であり、高い燃料電池セル特性を実現可能な燃料電池用電極触媒を提供する。例文帳に追加

To provide an electrocatalyst for a fuel cell excellent in an ohmic contact and gas diffusion properties, and capable of achieving high fuel cell properties. - 特許庁

クランプ電圧発生回路は、非オーミック素子の温度特性を補償する温度補償機能を有する。例文帳に追加

The clamp voltage generator circuit has a temperature compensation function of compensating for the temperature characteristic of the non-ohmic element. - 特許庁

Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したオーミック特性が得られる電極を有するとともに、オーミック特性を得るための熱処理を不要とすることが可能なＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a Ga_2O_3-based compound semiconductor which uses a Ga_2O_3-based compound as a semiconductor, and has an electrode giving an ohmic characteristic adapted to the Ga_2O_3-based compound, and further, can make unnecessary any heat treatment for obtaining the ohmic characteristic. - 特許庁

オーミック層としてチタンシリサイドを形成する時、抵抗率特性、および半導体基板表面に損傷が生じる問題点を改善することができるプラズマ化学蒸着（ＰＣＶＤ）によるオーミック層形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming an ohmic layer by plasma chemical vapor deposition(PCVD) which can improve resistivity characteristics and the problem that the surface of a semiconductor substrate is damaged, when titanium silicide is formed as an ohmic layer. - 特許庁

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。例文帳に追加

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction. - 特許庁

シリコンを含むエッチンガスを用いた反応性プラズマエッチングにおいても、良好なショットキー特性あるいはオーミック特性を得ることができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device obtaining a good Schottky characteristic or a good ohmic characteristic even in a reactive plasma etching using an etching gas containing silicon. - 特許庁

良好なオーミック特性、ボンディング特性および発光出力を有するフリップチップ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を得ること。例文帳に追加

To provide a flip-chip gallium nitride-based compound semiconductor light emitting element that has good ohmic characteristics, good bonding characteristics, and a good luminous output. - 特許庁

本発明は電極の透過率を改善すると同時に良質のオーミック接触を形成することにより輝度特性及び駆動電圧特性を改善させた半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting device of which luminance properties and drive voltage property are improved by improving transmittance of an electrode, as well as forming a proper ohmic contact, and its manufacturing method. - 特許庁

Ａｌオーミック電極の光透過特性に応じて中間層材料を適切に選択することで優れた発光特性を実現する酸化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide semiconductor light emitting element realizing excellent emission characteristics by selecting an intermediate layer material appropriately depending on the light transmission characteristics of an Al ohmic electrode. - 特許庁

オーミックコンタクト特性が優れており、かつ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を実現することができるエピタキシャル基板を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial substrate capable of achieving a semiconductor device that has excellent ohmic contact characteristics as well as satisfactory device characteristics. - 特許庁

実装の際にワイヤボンディングが不要でオーミック抵抗が低く、チップ状態で高周波特性の測定が可能な半導体レーザとその高周波特性測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser that does not require wire bonding at mounting, that has a low ohmic resistance, and that can measure its high-frequency characteristics in a chip state, and to provide a high-frequency characteristic measurement method of the laser. - 特許庁

これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優れた電流−電圧特性を示すだけでなく、透明電極が有する高い光透過性によって素子の発光効率を高められる。例文帳に追加

This not only shows superior current-voltage characteristics, because ohmmic contact characteristic with respect to the p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high optical transparency possessed by the transparent electrode. - 特許庁

オーミックコンタクト膜の形成を最適化して抵抗特性と漏洩電流特性などを向上させうる半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of improving the resistance characteristic and leak current characteristic by optimizing the formation of an ohmic contact film, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

これにより、ｐ型クラッド層１５０とのオーミック接触特性が改善して、優秀な電流−電圧特性を示すだけでなく、高い光透過性を提供して素子の発光効率を高めうる。例文帳に追加

Accordingly, an ohmic contact property to the p-type clad layer 150 is improved, thereby an excellent current to voltage characteristic is exhibited, in addition, high light-transmittance is provided and thus luminous efficiency of the element is improved. - 特許庁

半導体薄膜８と各オーミックコンタクト層１０、１１とによって形成されるオーミックコンタクト領域１６、１７には、ソース電極１２及びドレイン電極１３と同電位である各導電性被覆膜１４、１５とゲート電極６との間で形成される縦電界がかかることにより、Ｖｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる。例文帳に追加

Since the vertical electric field formed between the conductive coating films 14 and 15 with the same potential as the source electrode 12, the drain electrode 13, and the gate electrode 6 is applied to ohmic contact regions 16 and 17 formed of the semiconductor thin film 8 and the ohmic contact layers 10 and 11, shifting is suppressed in Vg-Id characteristics to the minus side. - 特許庁

ＧａＡｓ基板の上に形成されたＩｎＧａＡｓノン・アロイ・オーミック・コンタクト層を有する半導体装置において、ノン・アロイ・オーミック・コンタクト層とその下の層との間での格子定数の差によって生じる表面モホロジの劣化によって、デバイス特性が不均一になることを防止する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having an InGaAs non-alloy ohmic contact layer formed on a GaAs substrate, which can prevent non-uniform device characteristics caused by deterioration of surface morphology resulting from a difference in lattice constant between the non-alloy ohmic contact layer and a layer located thereunder. - 特許庁

この半導体装置は、負性抵抗を有するダイオード特性を持つエピタキシャル構造からなるガンダイオードＧＤの活性層１０３上にショットキー電極としてカソードオーミック電極１０８が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device, a cathode ohmic electrode 108 is formed, as a Schottky diode, on the active layer 103 of a Gunn diode GD having an epitaxial structure exhibiting diode characteristics of negative resistance. - 特許庁

シリコンカーバイド基板上に良好な特性のショットキー電極と、表面が平坦なオーミック電極を形成する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a Schottky electrode having excellent characteristics and an ohmic electrode having a flat surface are formed on a silicon carbide substrate. - 特許庁