「オーミック特性」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

パッド電極およびオーミック電極の剥離を抑止しながら、素子特性の劣化および素子寿命の低下を抑制し、かつ、素子の動作電圧の増大を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element, wherein deterioration of element characteristics and deterioration of element lifetime are controlled, while restraining lifting of a pad electrode and an ohmic electrode, while the increase in the operating voltage of the element can be restrained. - 特許庁

ＧａＮ系半導体上に形成された絶縁膜の密着性向上、ショットキーダイオード特性の向上、オーミック電極のコンタクト抵抗の低減を目的とする。例文帳に追加

To enhance adhesion of an insulating film formed on a GaN-based semiconductor, while reducing the contact resistance of an ohmic electrode. - 特許庁

単結晶炭化珪素に対する金属コンタクト形成時の急速高温加熱処理に起因するゲート絶縁膜ならびにＭＯＳ界面特性の劣化を、オーミック接触の接触抵抗の増大を招くことなく解決する。例文帳に追加

To solve the problem of degradation in gate insulating film and MOS interface properties, attributable to rapid heating to a high temperature for the formation of metal contacts in contact with single crystal silicon carbide, without causing an increase in ohmic contact resistance. - 特許庁

ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と良好なオーミック接触を得ることができ、且つ、加熱による特性劣化に耐性を有する負極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device having a negative electrode which attains excellent Ohmic contact with an n-type gallium nitride-based compound semiconductor layer, and which resists deterioration in characteristics which would be caused by heating. - 特許庁

炭化珪素（ＳｉＣ）半導体装置において、ＳｉＣ基板との良好なオーミック特性が得られると共に、密着性および耐久性に優れた裏面電極を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide (SiC) semiconductor device with a back electrode that can obtain excellent ohmic characteristics with an SiC substrate and is superior in adhesion and durability. - 特許庁

ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material. - 特許庁

これにより、キャパシタの上部電極１８とオーミックコンタクトを可能とし、シリコンの拡散にともなうキャパシタの特性の劣化を防止できる。例文帳に追加

With this setup, the upper electrode 18 of the capacitor can be brought into ohmic contact with the junction layer of the transistor, so that the capacitor can be prevented from deteriorating in characteristics due to the diffusion of silicon. - 特許庁

表面キャリア濃度の低い試料のホール測定等の電気特性測定を行うため、試料表面に金属電極をオーミック接触させること。例文帳に追加

To bring a metal electrode into ohmic contact with a sample surface in order to implement a measurement of electric characteristics such as a Hall measurement of a sample having low surface carrier concentration. - 特許庁

ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。例文帳に追加

There is provided a light emitting device of a nitride based compound semiconductor including an n-electrode, an n-type compound semiconductor layer, an active layer, a p-type compound semiconductor layer, and a p-electrode, and having the ohmic contact characteristic with the n-electrode improved. - 特許庁

p 型酸化物半導体に対して密着性に優れ、且つ低抵抗なオーミック電極およびこれを用いて優れた発光特性を実現する酸化物半導体発光素子ならびにそれらの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ohmic electrode having superior coherency to a p-type oxide semiconductor and low resistance, and also to provide an oxide semiconductor light-emitting device using the ohmic electrode for achieving excellent light-emitting characteristics, and methods for manufacturing the ohmic electrode and the oxide semiconductor light-emitting device. - 特許庁

ｎ^＋−Ｓｉなどの半導体層とＡｌ−Ｎｉ系合金層を直接接合させる場合、ＡｌとＳｉとの相互拡散が防止でき、オーミック特性を維持することが可能な素子を提供する。例文帳に追加

To provide an element wherein when directly joining a semiconductor layer such as n^+-Si and an Al-Ni-based alloy layer, the mutual diffusion of Al and Si can be so prevented as to be able to maintain the ohmic characteristic of the element. - 特許庁

オーミックコンタクトを有効に形成し、デバイスの操作特性を向上させる、ｐ型ひずみInGaNベース層を有するGaNへテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN heterojunction bipolar transistor having a p-type distortion InGaN base layer by which an ohmic contact is effectively formed and operating characteristics of a device are raised, and a method of manufacturing the transistor. - 特許庁

高抵抗或いは絶縁性単結晶を基板とし、基板の同一表面側に入出力電極を配置したＩＩＩ族窒化物半導体発光素子にあって、好適なオーミック特性が得られるように電極を配置して、電気的特性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。例文帳に追加

To obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high resistance or insulative single crystal substrate and input/output electrodes disposed on the same surface of the substrate so as to obtain suitable Ohmic characteristics, thereby providing superior electric characteristics. - 特許庁

これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。例文帳に追加

Thus, an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer is improved, it is possible to enhance wire bonding efficiency and an yield upon the packaging of the light-emitting device, and the luminous efficacy of the device and a device lifetime can be enhanced by low non-contacting resistance and excellent current-voltage characteristics. - 特許庁

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて、優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い光透過性によって素子の発光効率を高めうる。例文帳に追加

According to such a nitride-based light-emitting element and a method for manufacturing the element, ohmic contact characteristics for the p-type clad layer are improved, thereby superior current-voltage characteristics are exhibited; and in addition, luminous efficiency of the element is improved by the high light-transmittance of a transparent electrode. - 特許庁

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。例文帳に追加

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element. - 特許庁

ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い透光性によって素子の発光効率を高めうる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride system light-emitting device which not only indicates superior current/voltage characteristics, in such a way that the ohmic contact properties with a p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high translucency characterized by a transparent electrode. - 特許庁

ＧａＮ基板裏面に電極を形成する際に、ＧａＮ基板裏面をドライエッチング処理することによって、ＧａＮ基板裏面との間に良好なオーミック特性を有して、かつ密着性の高い電極を形成することが可能となる。例文帳に追加

It is realized to form an electrode having the superior ohmic characteristic and high adhesion between the electrode and the backside of the GaN substrate by dry etching the backside of the GaN substrate, when the electrode is formed on the backside of the GaN substrate. - 特許庁

エピタキシャル成長層の表面酸化やカーボン汚染を防ぐとともに、オーミック電極の腐食を防ぐ事で、コンタクト抵抗や電流などの特性に優れた、ＩＩＩ族窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor high electron mobility transistor and a manufacturing method thereof, achieving excellent contact resistance and current characteristics by preventing surface oxidation and carbon-contamination of an epitaxially grown layer and corrosion of an ohmic electrode. - 特許庁

均一な発光パターンが得られ、外部発光効率が向上し、良好なオーミック特性を持つ量産性に優れた青色発光，緑色発光，赤色発光，白色発光等各種発光波長を有する、信頼性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting device which provides a uniform light emitting pattern and has an improved external light emission efficiency, good ohmic characteristics, and various light emission wavelengths such as blue, green, red and white light emission wavelengths, and a superior reliability. - 特許庁

熱処理による合金化を行わずに形成することが可能でありかつ製造工程や組み立て工程時における各種高温条件下においても極めて安定な特性を保持することが可能なオーミック電極を備えた半導体素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is equipped with an ohmic electrode capable of being formed without necessity of alloying by heat treatment and capable of preserving extremely stable properties even under each kind of high-temperature conditions in a manufacturing process or an assembly process. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic contact system of a new concept having excellent electrical, optical, thermal and structural characteristics in which an effective carrier concentration is increased, a Schottky barrier is reduced by the adjustment of an energy-band gap between substances, and high transmissivity is obtained. - 特許庁

半導体セラミック層と内部電極との間で良好なオーミック接触が得られるとともに、小型かつ低抵抗で、十分な抵抗変化幅を有し、さらには、高い耐圧を実現できる、正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子を提供する。例文帳に追加

To obtain a lamination type semiconductor ceramic element capable of providing an excellent ohmic contact between a semiconductor ceramic layer and an internal electrode, having a small size and a low resistance, a sufficient resistance change width, capable of actualizing a high breakdown strength, having positive temperature characteristics of resistance. - 特許庁

液晶表示素子や半導体素子を製造する際にアルミニウム合金薄膜を電極層として利用する場合、いわゆるキャップ層を備えなくても、優れた低抵抗オーミックコンタクト特性を実現できる半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which excellent low-resistance ohmic contact characteristics can be realized even without providing a so-called cap layer when utilizing an aluminum alloy thin film as an electrode layer in the case of manufacturing a liquid crystal display element or a semiconductor element. - 特許庁

Ｓｉ半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触を確保でき、更に十分な耐熱性を有する表示装置用金属配線膜を提供する。例文帳に追加

To provide a metal wiring film for a display unit capable of ensuring an electric contact having a low resistance ohmic characteristic even if a barrier metal layer between a Si semiconductor layer and/or a transparent conductive film is omitted, and having sufficient heat resistance. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability. - 特許庁

シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。例文帳に追加

To provide an Al alloy film for a display device in which mutual diffusion between Al and Si can be suppressed and electrical contact having low-resistance ohmic characteristics can be obtained, even if a barrier metal layer between a silicon semiconductor layer and/or a transparent conductive film and the Al alloy film is omitted, and which has sufficient heat resistance. - 特許庁

このような窒素物系発光素子とその製造方法は、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。例文帳に追加

Such a nitride-based light emitting element and its manufacturing method improves an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer, hence increases the emission efficiency, and expands the life of the element, and at the same time, can omit an activation process after growth of a wafer and thus can simplify the manufacturing processes. - 特許庁

本発明はＢメタルとＮメタルをＴａ／Ａｕの二重層に形成して、別途の熱処理工程無しでも常温においてオーミック接触を形成でき外観とワイヤボンディング特性の優れた窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light emitting diode with excellent appearance and a wire bonding property, capable of forming an ohmic contact even at an ordinary temperature without any special heat treatment process by forming a B metal and an N metal in double layers of Ta/Au, and to provide a method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting diode. - 特許庁

このｐ型電極６を備えたＩｎＧａＮ発光ダイオード素子１０によれば、入射した光を吸収することなく、発光ダイオード素子１０の外へ取り出すことができ、ｐ型電極６のオーミック特性や信頼性を損うこと無く、発光効率を飛躍的に向上できる。例文帳に追加

Since the InGaN light emitting diode element 10 provided with the p-type electrode 6 can emit the incident light to the outside without absorbing the light, the light emitting efficiency of the element 10 can be improved by leaps and bounds without impairing the ohmic characteristics or reliability of the p-type electrode 6. - 特許庁

オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor and its manufacturing method capable of preventing contamination of a metal electrode formed on an ohmic layer, alleviating a deterioration of step coverage caused by a lamination at a lower portion of a gate insulating layer, and improving interface property between laminations. - 特許庁

化合物半導体表面にプラズマプロセスによるダメージを与えることなく、化合物半導体と金属電極との接触抵抗を低減し、両者の接触部におけるオーミック特性を改善することができる化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor device in which the ohmic characteristics can be improved at the contact part of the compound semiconductor and a metal electrode, by reducing the contact resistance of the compound semiconductor and the metal electrode, without damaging the surface of the compound semiconductor due to the process. - 特許庁

ソース・ドレイン拡散層はソース・ドレインコンタクト付近に限らず、全体に渡って高濃度で形成されつつ、第１層目ゲート電極へのコンタクトのオーミック特性を得た微細なトランジスタを持つ半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a fine transistor wherein not only a vicinity region of a source-drain diffusion layer but also entire source-drain region are formed with a high concentration, and obtaining an ohmic characteristic of a contact to a gate electrode of a first layer. - 特許庁

半導体チップに搭載した回路により異常コンタクト抵抗部を検出し、これに過電圧をかけることにより当該コンタクト部のオーミック特性を回復させ、不良チップを救済するテスト回路を備えた半導体集積回路を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a semiconductor integrated circuit provided with a test circuit in which an abnormal contact resistance part is detected by a circuit incorporated in a semiconductor chip, an ohmic characteristic of the contact part is restored by applying over-voltage, and a defective chip is relieved. - 特許庁

ＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層を構成する半導体層の厚さは、当該半導体層と前記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層との接合関係において、オーミック伝導特性と半導体伝導特性との間の伝導特性を示す遷移領域の膜厚範囲に設定される。例文帳に追加

The thickness of a semiconductor layer which constitutes a spacer layer of the CPP-GMR element is set within such a range of thickness that a first non-magnetic metal layer/semiconductor layer/second non-magnetic metal layer-junction may shows a conduction characteristic between an ohmic conduction characteristic and a semiconductor conduction characteristic. - 特許庁

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されてフリップチップ発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高め、低い比接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とによって素子の発光効率を向上させ、素子の寿命を延長できる。例文帳に追加

The nitride light-emitting device that is manufactured by the method for enhancing the wire bonding efficiency and the yield of packaging of flip chip light-emitting device as characteristics of the ohmic contact with the p-type clad layer is improved, enhanced light emission efficiency because of low specific contact resistance and current/voltage characteristics, and longer life time of the device. - 特許庁

本発明は、スイッチング特性の悪化や寄生サイリスタの動作開始を抑制し、かつコレクタとコレクタ電極との接触が良好なオーミック性を有する電力用半導体装置とその製造方法に係り、短絡耐量などの特性を改善した電力用半導体装置とその製造方法を提供する事を目的とする。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device exhibiting good ohmic contact between the collector and the collector electrode while controlling aggravation of switching characteristics and operation start of a parasitic thyristor which improves such characteristics as short-circuit resistance, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

従来技術よりも小さい熱エネルギーで、ＳｉＣ基板上に低抵抗のオーミック電極を形成することができ、熱処理における半導体装置の素子部の損傷および特性の劣化を防止することができる熱処理方法および熱処理装置、ならびに前記熱処理方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treating method and a heat treating device forming a low resistance ohmic electrode on an SiC substrate with thermal energy smaller than in the prior art, and preventing damage and degradation of characteristics of an element part of a semiconductor device in heat treatment, and to provide a method of manufacturing the semiconductor using the heat treating method. - 特許庁

微結晶シリコンを用いた第１の半導体層１１４上に第２の半導体層１１５を積層させた上で、第１の半導体層１１４及び第２の半導体層１１５の側面でオーミックコンタクト層１１７、１１８とコンタクトを取ることにより、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供することができる。例文帳に追加

The second semiconductor layer 115 after being laminated on the first semiconductor layer 114 using the microcrystal silicon is brought into contact with the ohmic contact layers 117, 118 on side faces of the first semiconductor layer 114 and second semiconductor layer 115 to improve the contact yield, thereby providing the transistor substrate having the transistor with the excellent characteristics, and the method of manufacturing the transistor substrate. - 特許庁

前記情報記録媒体は、電荷輸送性を有する分子、非線形光学特性を有する分子及び光照射により立体構造が変化する光機能分子を含有する記録層（２）と、前記記録層を挟持する一対の透明オーミック電極（３ａ，３ｂ）とを有し、光照射時に伝導度が減少することを特徴とする。例文帳に追加

The information recording medium is characterized by having the recording layer (2) containing molecules with a charge transfer property, molecules with a nonlinear optical property and optically functional molecules whose three-dimensional structure changes with light irradiation and a pair of transparent ohmic electrodes (3a, 3b) sandwiching the recording layer and having conductance which is reduced on light irradiation. - 特許庁

ゲート電極１３１は、銅及び基板と接触特性が良好であってパターン溶液が基板に影響を与えない金属の二重金属層で形成し、ソース電極１４９及びドレイン電極１５１は、銅及び下部オーミックコンタクト層と銅との反応を防ぐことができる金属の二重金属層で形成する。例文帳に追加

A gate electrode 131 is formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal which has satisfactory contact characteristics with the substrate and whose pattern solution does not affect the substrate and a source electrode 149 and a drain electrode 151 are formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal by which reaction of a lower ohmic contact layer and copper is prevented. - 特許庁

サンプルホールド回路などの周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタの、金属配線との接続部におけるコンタクト抵抗を、非線形性を十分少なくしてオーミックな特性を有する構造とした電気光学装置と、その製造方法、及びこの電気光学装置を備えた電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide an electro-optical device in which the contact resistance of a thin film transistor constituting the peripheral drive circuit of a sample hold circuit at the joint with metal wirings is provided with a structure having ohmic characteristics by suppressing nonlinearity sufficiently, and to provide its fabrication method and an electronic apparatus comprising the electro-optical device. - 特許庁

一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。例文帳に追加

One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics. - 特許庁

シリコンカーバイド基板上、もしくはシリコンカーバイド基板上に設けられたシリコンカーバイド基板と同じ導電型の半導体層上部に、特性の良い薄い不純物ドープ層を設け、不純物ドープ層の上に、容易にオーミック電極を形成する半導体装置製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method for forming a thin impurity dopeed layer whose characteristics are satisfactory on a silicon cover guide substrate or a semiconductor layer formed on the silicon cover guide substrate whose conductive type is the same as that of the silicon cover guide substrate, and for easily forming an ohmic electrode on the impurity doped layer. - 特許庁

ｐ型の窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面を覆っているとともに貫通孔が形成されている絶縁膜と、貫通孔の底面に露出している窒化物半導体層の表面に接している金属膜を備えている窒化物半導体装置の製造方法において、良好なオーミック特性を実現できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor device comprising a p-type nitride semiconductor layer, an insulating film covering the nitride semiconductor layer and formed with a through hole, and a metal film in contact with the nitride semiconductor layer exposed at the bottom face of the through hole, which method being able to actualize good ohmic characteristics. - 特許庁