オーミック接触の英語

接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。例文帳に追加

To reduce contact resistance value, thereby achieving ohmic contact with a base film. - 特許庁

発光積層構造の表面上に、発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する。例文帳に追加

A second ohmic contact layer, which is brought into ohmic contact with the surface layer of the luminescence laminate structure, is formed on the front surface of the luminescence laminate structure. - 特許庁

このオーミック電極は、ＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体（２）にＰｔ層（３）が接触したオーミックコンタクトを備えているので、このオーミックコンタクトの優れた特性に基づき、高い信頼性を有する。例文帳に追加

The ohmic electrode is highly reliable, since it is formed by ohmic contact having superior characteristics, in which the Pt layer (3) contacts the compound semiconductor (2), having InGaAs as the main component. - 特許庁

支持基板の形成材料と、第１のオーミックコンタクト層の形成材料と共晶点よりも低い温度で熱処理を行い、支持基板と第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる。例文帳に追加

The forming material of the support substrate is heat treated at the temperature lower than the eutectic point of the forming material of the first ohmic contact layer, and the ohmic contact of the support substrate and the first ohmic contact layer is performed. - 特許庁

ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。例文帳に追加

The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact. - 特許庁

ＧａＮ系化合物半導体素子において、電極とのオーミック接触をとる。例文帳に追加

To ohmically contact with an electrode in a GaN based compound semiconductor element. - 特許庁

また、基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。例文帳に追加

Further, a drain electrode 18 is in ohmic contact with the other surface of the substrate 1. - 特許庁

良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element having good ohmic contact. - 特許庁