「オーミック接触」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ｎ^+型ＧａＮ層４には、ソース電極１５がオーミック接触している。例文帳に追加

On the n^+-type GaN layer 4, a source electrode 15 forms an ohmic contact. - 特許庁

オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode contact structure capable of realizing ohmic contact. - 特許庁

接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。例文帳に追加

To reduce contact resistance value, thereby achieving ohmic contact with a base film. - 特許庁

発光積層構造の表面上に、発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する。例文帳に追加

A second ohmic contact layer, which is brought into ohmic contact with the surface layer of the luminescence laminate structure, is formed on the front surface of the luminescence laminate structure. - 特許庁

このオーミック電極は、ＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体（２）にＰｔ層（３）が接触したオーミックコンタクトを備えているので、このオーミックコンタクトの優れた特性に基づき、高い信頼性を有する。例文帳に追加

The ohmic electrode is highly reliable, since it is formed by ohmic contact having superior characteristics, in which the Pt layer (3) contacts the compound semiconductor (2), having InGaAs as the main component. - 特許庁

支持基板の形成材料と、第１のオーミックコンタクト層の形成材料と共晶点よりも低い温度で熱処理を行い、支持基板と第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる。例文帳に追加

The forming material of the support substrate is heat treated at the temperature lower than the eutectic point of the forming material of the first ohmic contact layer, and the ohmic contact of the support substrate and the first ohmic contact layer is performed. - 特許庁

ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。例文帳に追加

The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact. - 特許庁

ＧａＮ系化合物半導体素子において、電極とのオーミック接触をとる。例文帳に追加

To ohmically contact with an electrode in a GaN based compound semiconductor element. - 特許庁

また、基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。例文帳に追加

Further, a drain electrode 18 is in ohmic contact with the other surface of the substrate 1. - 特許庁

良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element having good ohmic contact. - 特許庁

また、ｎ^+型ＧａＮ基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。例文帳に追加

On the other side surface of the n^+-type GaN substrate 1, a drain electrode 18 forms an ohmic contact. - 特許庁

このオーミック接触性に優れる電極を利用して化合物半導体素子を構成する。例文帳に追加

The chemical compound semiconductor device is constituted using the electrode having a good ohmic contact property. - 特許庁

ＩＩ−ＶＩ族半導体光変換素子内のオーミック接触のパッシベーションキャップ層例文帳に追加

PASSIVATION CAPPING LAYER FOR OHMIC CONTACT IN II-VI SEMICONDUCTOR LIGHT TRANSDUCING DEVICE - 特許庁

成膜状態の第２の窒化物半導体層にオーミック接触する電極とを備えている。例文帳に追加

An electrode coming into ohmic contact with the second nitride semiconductor layer under deposition state is also provided. - 特許庁

オーミック電極６はＧａＮ基板２のＮ原子面９に接触して形成される。例文帳に追加

The ohmic electrode 6 is formed in contact with an N atomic plane 9 of the GaN substrate 2. - 特許庁

前記背面電極は、前記シリコン基板の該第一表面とオーミック接触する。例文帳に追加

The back electrode makes an ohmic contact with the first surface of the silicon substrate. - 特許庁

オーミック接触を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING IMPROVED OHMIC CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ｐ−ＧａＮ層４上にｐ電極５が密着して形成されオーミック接触している。例文帳に追加

A p-electrode 5 is made in close contact on the p-GaN layer 4, making ohmic contact. - 特許庁

ｎ^＋型ＧａＮ層６には、ソース電極１７がオーミック接触している。例文帳に追加

A source electrode 17 is in ohmic contact with the n^+-type GaN layer 6. - 特許庁

半導体基板１の下面に裏面電極８がオーミック接触するように配置されている。例文帳に追加

A rear electrode 8 is arranged, so as to come into ohmic contact with the rear surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

一方、ＳｉＣ基板２の裏面には、カソード電極３をオーミック接触させる。例文帳に追加

On the other hand, a cathode electrode 3 is ohmic-contacted to a second surface of the SiC substrate 2. - 特許庁

露出した発光積層構造の表面層にオーミック接触する第１の電極を形成する。例文帳に追加

A first electrode which is brought into ohmic contact with the surface layer of the exposed luminescence laminate structure is formed. - 特許庁

信号線13のトップコート層24と画素電極27との接続がオーミック接触となる。例文帳に追加

Thus, the top coat layer 24 of the signal line 13 is connected to the pixel electrode 27 and makes ohmic contact with each other. - 特許庁

このオーミック接触は、酸化性物質に暴露されるときに、ある酸化速度を有する。例文帳に追加

The ohmic contact has an oxidation rate in the case of being exposed to an oxidative substance. - 特許庁

ゲート先端連結部は、ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しない。例文帳に追加

The gate tip connecting portion crosses neither the drain ohmic contacting portions nor the drain connecting portion. - 特許庁

それにより、熱処理による合金化を行うことなくｐ型ＧａＮ層４にオーミック接触するｐ電極７およびｎ型ＧａＮ層３にオーミック接触するｎ電極８が形成される。例文帳に追加

Thereby, without performing alloying by heat treatment, a p-type electrode 7 coming into ohmic contact with the p-type GaN layer 4 and n electrode 8 coming into ohmic contact with the n-type GaN layer 3 are formed. - 特許庁

リン化硼素系半導体層に直接、接触させてオーミック電極を設ける従来の構成では、良好なオーミック接触性の電極が充分に安定して得られない問題点を解決する。例文帳に追加

To solve the problem that an electrode having a good and stable ohmic contact property cannot be obtained by a conventional constitution that an ohmic electrode is formed in contact with a phosphorated boron type semiconductor layer directly. - 特許庁

ソース電極２５は、Ｐ型ＧａＮ層６にオーミック接触する第１電極部２５１と、Ｎ型ＧａＮ層７にオーミック接触する第２電極２５２とを接合して構成されている。例文帳に追加

A source electrode 25 is composed by joining a first electrode section 251 in ohmic contact with the p-type GaN layer 6 and a second electrode section 252 in ohmic contact with the n-type GaN layer 7. - 特許庁

垂直断面において、ＩＧＢＴセル（１１０）内にのみ、第１の電極（１０）とオーミック接触しているソース領域（３）と、第１の電極（１０）とオーミック接触している反ラッチアップ領域（４）とが形成されている。例文帳に追加

A source region (3) in ohmic contact with the first electrode (10) and an anti-latch-up region (4) in ohmic contact with the first electrode (10) are, in a vertical cross-section, only formed in the IGBT-cell (110). - 特許庁

また、基板の裏面に段差を設け、その側面において電極を接触させることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。例文帳に追加

By forming a step in the backside of the substrate and then bringing the electrode to the side face of the step, both ohmic contact and light reflection are satisfied. - 特許庁

ソース電極１０８とドレイン電極１０９がオーミックコンタクト層１０６を介して電子供給層１０４とチャネル層１０３に対してオーミック接触している。例文帳に追加

A source electrode 108 and a drain electrode 109 are brought into ohmic contact with the electron supply layer 104 and the channel layer 103 with the ohmic contact layer 106 therebetween. - 特許庁

表面３０１Ｓ１の第１領域Ｒ１上には、第１領域Ｒ１とのオーミック接触を有する陽極電極ないしはオーミックドレイン電極３０２が形成される。例文帳に追加

On a first region R1 of a surface 301S1, an anode electrode or an ohmic drain electrode 302 having ohmic contact with the first region R1 is formed. - 特許庁

表面３０１Ｓ１の第２領域Ｒ２上にも、第２領域Ｒ２とのオーミック接触を有する陰極電極ないしはオーミックソース電極３０３が形成される。例文帳に追加

On a second region R2 of the surface 301S1, a cathode electrode or an ohmic source electrode 303 having ohmic contact with the second region R2 is formed as well. - 特許庁

ドレイン電極が、ゲート電極の一方の側に、該ゲート電極とある間隔を隔てて配置され、半導体基板にオーミック接触する。例文帳に追加

The drain electrode is provided on one side of the gate electrode at a certain interval from the gate electrode, and is ohmic-contacted to the semiconductor substrate. - 特許庁

このように、ドレイン電極１０５を、高温アニールで合金化してバリア層１０２にオーミック接触することなく、形成できる。例文帳に追加

In such a manner, the drain electrode 105 can be formed by alloying it by high-temperature annealing while preventing ohmic contact with the barrier layer 102. - 特許庁

これにより、合金層１５と半導体基板６とがオーミック接触となり、低いコンタクト抵抗率を得ることが可能となる。例文帳に追加

Consequently, the alloy layer 15 and the semiconductor substrate 6 are brought into ohmic contact, and low contact resistivity can be obtained. - 特許庁

発光層と金属電極との間にコンタクト層を選択的に設けることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。例文帳に追加

By selectively forming a contact layer between a light emitting layer and a metal electrode, both ohmic contact and light reflection are satisfied. - 特許庁

バンドギャップの大きな半導体にオーミック電極を形成したときの接触抵抗を低減させることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for reducing contact resistance when an ohmic electrode is formed of a semiconductor with a large band gap. - 特許庁

主部は、ゲート電極に関してドレイン電極とは反対側の領域において半導体基板にオーミック接触する。例文帳に追加

The main part makes ohmic-contact with semiconductor substrate, in a region on the side opposite to the drain electrode for the gate electrode. - 特許庁

安定したオーミック接触を容易に得ることができるとともに、信頼性の高い半導体素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element being capable of easily obtaining a stable ohmic contact and having a high reliability and a manufacturing method for the semiconductor element. - 特許庁

さらに、ｐ側コンタクト電極層を形成した後に還元性雰囲気で熱処理を施すことによりオーミック接触を改善することができる。例文帳に追加

Further, by performing heat treatment in a reducing atmosphere after forming a p-side contact electrode layer, the ohmic contact can be improved. - 特許庁

良好なオーミック接触を形成することができ、デバイス特性を安定させることができるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect transistor which can form good ohmic contacts and stabilize device characteristics. - 特許庁

また、上記の低い電気抵抗率（ElectricResistivity）と高い熱伝導率（Thermal Conductivity）のオーミック接触電極は、銀が材料として形成される。例文帳に追加

The ohmic contact electrode having low Electric Resistivity and high Thermal Conductivity is formed by using silver as a material. - 特許庁

酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which can obtain superior ohmic contact with a p-type semiconductor layer that uses a zinc oxide material. - 特許庁

オーミック電極と電子走行層との接触抵抗を低減することが可能な半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of reducing contact resistance between an ohmic electrode and an electron travelling layer. - 特許庁