「"オーミック接触"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ｎ^+型ＧａＮ層４には、ソース電極１５がオーミック接触している。例文帳に追加

On the n^+-type GaN layer 4, a source electrode 15 forms an ohmic contact. - 特許庁

オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode contact structure capable of realizing ohmic contact. - 特許庁

ＧａＮ系化合物半導体素子において、電極とのオーミック接触をとる。例文帳に追加

To ohmically contact with an electrode in a GaN based compound semiconductor element. - 特許庁

また、基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。例文帳に追加

Further, a drain electrode 18 is in ohmic contact with the other surface of the substrate 1. - 特許庁

良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element having good ohmic contact. - 特許庁

また、ｎ^+型ＧａＮ基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。例文帳に追加

On the other side surface of the n^+-type GaN substrate 1, a drain electrode 18 forms an ohmic contact. - 特許庁

このオーミック接触性に優れる電極を利用して化合物半導体素子を構成する。例文帳に追加

The chemical compound semiconductor device is constituted using the electrode having a good ohmic contact property. - 特許庁

ＩＩ−ＶＩ族半導体光変換素子内のオーミック接触のパッシベーションキャップ層例文帳に追加

PASSIVATION CAPPING LAYER FOR OHMIC CONTACT IN II-VI SEMICONDUCTOR LIGHT TRANSDUCING DEVICE - 特許庁

成膜状態の第２の窒化物半導体層にオーミック接触する電極とを備えている。例文帳に追加

An electrode coming into ohmic contact with the second nitride semiconductor layer under deposition state is also provided. - 特許庁

前記背面電極は、前記シリコン基板の該第一表面とオーミック接触する。例文帳に追加

The back electrode makes an ohmic contact with the first surface of the silicon substrate. - 特許庁

オーミック接触を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING IMPROVED OHMIC CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ｐ−ＧａＮ層４上にｐ電極５が密着して形成されオーミック接触している。例文帳に追加

A p-electrode 5 is made in close contact on the p-GaN layer 4, making ohmic contact. - 特許庁

ｎ^＋型ＧａＮ層６には、ソース電極１７がオーミック接触している。例文帳に追加

A source electrode 17 is in ohmic contact with the n^+-type GaN layer 6. - 特許庁

半導体基板１の下面に裏面電極８がオーミック接触するように配置されている。例文帳に追加

A rear electrode 8 is arranged, so as to come into ohmic contact with the rear surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

一方、ＳｉＣ基板２の裏面には、カソード電極３をオーミック接触させる。例文帳に追加

On the other hand, a cathode electrode 3 is ohmic-contacted to a second surface of the SiC substrate 2. - 特許庁

露出した発光積層構造の表面層にオーミック接触する第１の電極を形成する。例文帳に追加

A first electrode which is brought into ohmic contact with the surface layer of the exposed luminescence laminate structure is formed. - 特許庁

信号線13のトップコート層24と画素電極27との接続がオーミック接触となる。例文帳に追加

Thus, the top coat layer 24 of the signal line 13 is connected to the pixel electrode 27 and makes ohmic contact with each other. - 特許庁

このオーミック接触は、酸化性物質に暴露されるときに、ある酸化速度を有する。例文帳に追加

The ohmic contact has an oxidation rate in the case of being exposed to an oxidative substance. - 特許庁

ゲート先端連結部は、ドレイオーミック接触部及びドレイン連結部のいずれとも交差しない。例文帳に追加

The gate tip connecting portion crosses neither the drain ohmic contacting portions nor the drain connecting portion. - 特許庁

接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。例文帳に追加

To reduce contact resistance value, thereby achieving ohmic contact with a base film. - 特許庁

ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。例文帳に追加

The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact. - 特許庁

それにより、熱処理による合金化を行うことなくｐ型ＧａＮ層４にオーミック接触するｐ電極７およびｎ型ＧａＮ層３にオーミック接触するｎ電極８が形成される。例文帳に追加

Thereby, without performing alloying by heat treatment, a p-type electrode 7 coming into ohmic contact with the p-type GaN layer 4 and n electrode 8 coming into ohmic contact with the n-type GaN layer 3 are formed. - 特許庁

ソース電極２５は、Ｐ型ＧａＮ層６にオーミック接触する第１電極部２５１と、Ｎ型ＧａＮ層７にオーミック接触する第２電極２５２とを接合して構成されている。例文帳に追加

A source electrode 25 is composed by joining a first electrode section 251 in ohmic contact with the p-type GaN layer 6 and a second electrode section 252 in ohmic contact with the n-type GaN layer 7. - 特許庁

垂直断面において、ＩＧＢＴセル（１１０）内にのみ、第１の電極（１０）とオーミック接触しているソース領域（３）と、第１の電極（１０）とオーミック接触している反ラッチアップ領域（４）とが形成されている。例文帳に追加

A source region (3) in ohmic contact with the first electrode (10) and an anti-latch-up region (4) in ohmic contact with the first electrode (10) are, in a vertical cross-section, only formed in the IGBT-cell (110). - 特許庁

ドレイン電極が、ゲート電極の一方の側に、該ゲート電極とある間隔を隔てて配置され、半導体基板にオーミック接触する。例文帳に追加

The drain electrode is provided on one side of the gate electrode at a certain interval from the gate electrode, and is ohmic-contacted to the semiconductor substrate. - 特許庁

このように、ドレイン電極１０５を、高温アニールで合金化してバリア層１０２にオーミック接触することなく、形成できる。例文帳に追加

In such a manner, the drain electrode 105 can be formed by alloying it by high-temperature annealing while preventing ohmic contact with the barrier layer 102. - 特許庁

これにより、合金層１５と半導体基板６とがオーミック接触となり、低いコンタクト抵抗率を得ることが可能となる。例文帳に追加

Consequently, the alloy layer 15 and the semiconductor substrate 6 are brought into ohmic contact, and low contact resistivity can be obtained. - 特許庁

発光層と金属電極との間にコンタクト層を選択的に設けることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。例文帳に追加

By selectively forming a contact layer between a light emitting layer and a metal electrode, both ohmic contact and light reflection are satisfied. - 特許庁

主部は、ゲート電極に関してドレイン電極とは反対側の領域において半導体基板にオーミック接触する。例文帳に追加

The main part makes ohmic-contact with semiconductor substrate, in a region on the side opposite to the drain electrode for the gate electrode. - 特許庁

安定したオーミック接触を容易に得ることができるとともに、信頼性の高い半導体素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element being capable of easily obtaining a stable ohmic contact and having a high reliability and a manufacturing method for the semiconductor element. - 特許庁

さらに、ｐ側コンタクト電極層を形成した後に還元性雰囲気で熱処理を施すことによりオーミック接触を改善することができる。例文帳に追加

Further, by performing heat treatment in a reducing atmosphere after forming a p-side contact electrode layer, the ohmic contact can be improved. - 特許庁

良好なオーミック接触を形成することができ、デバイス特性を安定させることができるヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field-effect transistor which can form good ohmic contacts and stabilize device characteristics. - 特許庁

また、上記の低い電気抵抗率（ElectricResistivity）と高い熱伝導率（Thermal Conductivity）のオーミック接触電極は、銀が材料として形成される。例文帳に追加

The ohmic contact electrode having low Electric Resistivity and high Thermal Conductivity is formed by using silver as a material. - 特許庁

酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which can obtain superior ohmic contact with a p-type semiconductor layer that uses a zinc oxide material. - 特許庁

ショットキー電極１５は、ガードリング３０の内側面３０ａおよび上面３０ｃにオーミック接触している。例文帳に追加

The Schottky electrode 15 is in ohmic contact with an inner surface 30a and an upper surface 30c of the guard ring 30. - 特許庁

低浸透のオーミック接触を有するレーザ回路の形成方法及びこの方法により得られるレーザ回路例文帳に追加

METHOD OF FORMING LASER CIRCUIT HAVING LOW PENETRATION OHMIC CONTACT PROVIDING IMPURITY GETTERING AND THE RESULTANT LASER CIRCUIT - 特許庁

接続プラグの形成工程を伴わずに良好なオーミック接触を得ることを可能とするコンタクトホールを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having contact holes by which proper ohmic contact can be obtained without performing a step for forming connection plugs. - 特許庁

良好なオーミック接触を得ながら、表面プラズモンの効果を得ることが可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element capable of obtaining effects of surface plasmon, while obtaining satisfactory ohmic contact. - 特許庁

既存の業界工程と互換でき、有効に、生産コストを低減できる銀含有金属オーミック接触電極を提供する。例文帳に追加

To provide a silver-containing metal ohmic contact electrode which is compatible with an existing industry process, and capable of effectively reducing production cost. - 特許庁

また、基板の裏面に段差を設け、その側面において電極を接触させることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。例文帳に追加

By forming a step in the backside of the substrate and then bringing the electrode to the side face of the step, both ohmic contact and light reflection are satisfied. - 特許庁

また、基板と電極との界面に反応抑制膜を選択的に設けることより、オーミック接触と光反射とを両立させる。例文帳に追加

Moreover, by selectively forming a reaction suppressing film on the boundary between a substrate and the electrode, both ohmic contact and light reflection are satisfied. - 特許庁

この後、ＳｉＣ基板１のオーミック接触領域３が形成されている面上に窒化物半導体結晶を積層する。例文帳に追加

Then, the nitride semiconductor crystal is laminated on a surface where an ohmic contact region 3 is formed on the SiC substrate 1. - 特許庁

高濃度のドーピングを行うことが可能で、電極と良好なオーミック接触を取ることを可能とする。例文帳に追加

To make it possible to: carry out doping at a high concentration; and make an excellent ohmic contact with an electrode. - 特許庁

光反射層２はＡｌより高い反射率を有すると共に半導体領域３に良好にオーミック接触する。例文帳に追加

The light-reflecting layer 2 is brought into good ohmic contact with the semiconductor region 3, while having a reflectivity higher than Al. - 特許庁

ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with which sufficient ohmic contact can be obtained for a SiC substrate and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁