「オーミック接触」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

更には大面積部１３０ｐの下方とそれよりも広い領域においてｐコンタクト電極１２１とｐ型層１２のオーミック接触を排除するため、ｐ型層１２に高抵抗面１２ｓｒを設けておく。例文帳に追加

Further, a p-type layer 12 is provided with a high-resistance surface 12sr so as to eliminate ohmic contact between a "p" contact electrode 121 and a p-type layer 12 below the large-area portion 130p and in a region wider than it. - 特許庁

電極と半導体層との良好なオーミック接触を実現し、かつ発光部での発光を遮ることなく取り出すことで、発光効率を改善できるようにする。例文帳に追加

To realize a superior ohmic contact between an electrode and a semiconductor layer and to extract light emitted from a light emitting member without intercepting it so as to improve a semiconductor light emitting device in luminous efficiency. - 特許庁

電極形成工程の前に被研磨面をドライエッチングすれば、結晶性が劣化したダメージ層が除去でき、良好なオーミック接触が得られる。例文帳に追加

By dry-etching the polished surface before the electrode forming process, a damaged layer having deteriorated crystallinity can be removed and good ohmic contact can be obtained. - 特許庁

本発明の半導体装置は、炭化珪素からなるＮ型の炭化珪素半導体基板１に形成されたＮ型の炭化珪素エピタキシャル層２と、炭化珪素半導体基板１とオーミック接触し、かつ、炭化珪素とバンドギャップの異なる多結晶シリコンからなるヘテロ半導体層３０を基材とするオーミック領域４とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with an N-type silicon carbide epitaxial layer 2 formed on an N-type silicon carbide semiconductor substrate 1 including silicon carbide, and an ohmic region 4 that ohmically contacts the silicon carbide semiconductor substrate 1 and is a substrate of hetero semiconductor layer 30 composing a polycrystal silicon of different bandgap with silicon carbide. - 特許庁

ショットキ接触する電極（ゲート電極１６）１６とオーミック接触する電極（ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ）との間のIII−Ｖ族窒化物半導体層１４表面に、ＥＣＲスパッタリング法により珪素膜１５を形成する。例文帳に追加

A silicon film 15 is formed on the surface of a III-V group nitride semiconductor layer 14 between a Schottky-contact electrode 16 (a gate electrode 16) and ohmic-contact electrodes (a source electrode 17a and a drain electrode 17b) by an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering method. - 特許庁

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。例文帳に追加

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28. - 特許庁

これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。例文帳に追加

Thus, an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer is improved, it is possible to enhance wire bonding efficiency and an yield upon the packaging of the light-emitting device, and the luminous efficacy of the device and a device lifetime can be enhanced by low non-contacting resistance and excellent current-voltage characteristics. - 特許庁

化合物半導体表面にプラズマプロセスによるダメージを与えることなく、化合物半導体と金属電極との接触抵抗を低減し、両者の接触部におけるオーミック特性を改善することができる化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor device in which the ohmic characteristics can be improved at the contact part of the compound semiconductor and a metal electrode, by reducing the contact resistance of the compound semiconductor and the metal electrode, without damaging the surface of the compound semiconductor due to the process. - 特許庁

以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。例文帳に追加

According to the procedure, the silicon carbide semiconductor device having an ohmic electrode providing a satisfactory contact with interconnections with a deposition of carbon atom on the surface layer of electrodes and the formation of the Schottky contact by the Si and the SiC suppressed can be acquired. - 特許庁

第１及び第２の主電極１３，１４は主半導体領域１２にオーミック接触してＨＥＭＴから成る主半導体スイッチング素子２０のドレイン又はソースとして機能すると共に第１及び第２のダイオード２１，２２のカソードとして機能する。例文帳に追加

The first and second main electrodes 13, 14 serve as a drain or a source of a main semiconductor switching element 20 composed of HEMT in ohmic contact with the main semiconductor region 12 and further serve as a cathode of the first and second diodes 21, 22. - 特許庁

第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４との間には、第１の半導体層１０２及び第２の半導体層１０４のそれぞれとオーミック接触して形成され、且つ亜鉛を含む酸化物層である第１のコンタクト層１０３が形成されている。例文帳に追加

A first contact layer 103, which is formed in ohmic contact with the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104 and is an oxide layer including zinc, is formed between the first semiconductor layer 102 and the second semiconductor layer 104. - 特許庁

本発明は、放射線を生じさせるのに用いる活性層（ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、ｐ型導電層、透明導電層（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ， ＴＣＬ）、そして非ｐ型オーミック（ｏｈｍｉｃ）接触層を含む、放射線を発する半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation emitting semiconductor element, which includes an active layer for emitting radiation, a p-type conductive layer, a transparent conductive layer (TCL), and a non-p-type ohmic contact layer. - 特許庁

化合物電界効果型半導体装置に関し、メサ構造を形成することで素子間分離され、且つ、ゲート・リセスをもつＦＥＴに於いて、ゲートからの漏れ電流がなく、オーミック電極の接触抵抗が低く、設計通りのゲート・リセスが形成できるようにする。例文帳に追加

To form a gate recess as designed with no current leakage from a gate and low contact resistance of an ohmic electrode, related to an FET comprising the gate recess where a mesa structure is formed to separate elements. - 特許庁

半導体セラミック層とＮｉを含む内部電極との間にオーミック接触が得られるとともに、小型で、室温における抵抗値が低く、かつ温度変化による抵抗変化幅が十分な値を有する積層型半導体セラミック素子を得る。例文帳に追加

To obtain a laminated semiconductor ceramic device which is small in size, has an ohmic contact between a semiconductor layer and an Ni- containing inner electrode, a low resistance value at room temperature, and an sufficient range of resistance change induced by temperature change. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic contact system of a new concept having excellent electrical, optical, thermal and structural characteristics in which an effective carrier concentration is increased, a Schottky barrier is reduced by the adjustment of an energy-band gap between substances, and high transmissivity is obtained. - 特許庁

ゲルマニウム（Ｇｅ）および白金（Ｐｔ）のうちの少なくとも一方を含む中間層６を発熱抵抗体層３と電極層４との間に設け、この中間層６を利用して発熱抵抗体層３と電極層４との間をオーミック接触させる。例文帳に追加

An intermediate layer 6, which includes at least either of germanium (Ge) and platinum (Pt), is provided between the thermal resistor layer 3 and an electrode layer 4; and the thermal resistor layer 3 and the electrode layer 4 are brought into ohmic contact with each other by using the intermediate layer 6. - 特許庁

半導体セラミック層と内部電極との間で良好なオーミック接触が得られるとともに、小型かつ低抵抗で、十分な抵抗変化幅を有し、さらには、高い耐圧を実現できる、正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子を提供する。例文帳に追加

To obtain a lamination type semiconductor ceramic element capable of providing an excellent ohmic contact between a semiconductor ceramic layer and an internal electrode, having a small size and a low resistance, a sufficient resistance change width, capable of actualizing a high breakdown strength, having positive temperature characteristics of resistance. - 特許庁

透明で導電性を有する金属酸化物からなる窓層を備えたＡｌＧａＩｎＰＬＥＤにおいて、発光を外部に効率良く取り出すことが可能で、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と低抵抗で良好なオーミック接触を得ることができる窓層の構造を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of a window layer that can have light emission extracted efficiently to the outside, and can obtain satisfactory ohmic contact with a III-V compound semiconductor layer having a low resistance in an AlGaInP LED with the window layer made of a transparent metal oxide having conductivity. - 特許庁

Ｓｉ半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触を確保でき、更に十分な耐熱性を有する表示装置用金属配線膜を提供する。例文帳に追加

To provide a metal wiring film for a display unit capable of ensuring an electric contact having a low resistance ohmic characteristic even if a barrier metal layer between a Si semiconductor layer and/or a transparent conductive film is omitted, and having sufficient heat resistance. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability. - 特許庁

さらに、ＭＲＥＬと、それが挿入される活性層との間の界面全体にわたってオーミック接触を確保するために、ＭＲＥＬと活性層との間の界面の隙間を、銅などの高導電性金属からなる薄い層によって埋めるようにしてもよい。例文帳に追加

Furthermore, an interface(s) between the MREL and an active layer into which it has been inserted may be bridged by a thin layer of a highly conductive metal such as copper so as to ensure an ohmic contact across the full interface between the MREL and the active layer. - 特許庁

シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。例文帳に追加

To provide an Al alloy film for a display device in which mutual diffusion between Al and Si can be suppressed and electrical contact having low-resistance ohmic characteristics can be obtained, even if a barrier metal layer between a silicon semiconductor layer and/or a transparent conductive film and the Al alloy film is omitted, and which has sufficient heat resistance. - 特許庁

したがって、オーミックコンタクトやライン抵抗の悪化を伴うことなく受光面電極の細線化が可能になるため、細線化して受光面積を大きくしても十分に接触抵抗が低いことからＦＦ値が低下しないので、光電変換効率の高い太陽電池が得られる。例文帳に追加

The light receiving surface electrode can therefore be made thin without causing the ohmic contact nor line resistance to deteriorate, so even when light reception area is increased by the thinning, contact resistance is sufficiently low and an FF value thereby does not decrease, so that a solar cell with high photoelectric conversion efficiency can be obtained. - 特許庁

そこで当該オーミック電極６と当該コンタクト層４との接触面積Ｓを小さくしたまま、間に台座電極７ｐを設け、配線基板２００上の回路配線２０ｐとの接続を台座電極との接合面積がＳより大きなボール電極９ｐで行うようにする。例文帳に追加

A pedestal electrode 7p is provided between the electrode 6 and the contact layer 4, while the area S of the electrode 6 with the layer 4 remains small, and a connection with circuit wiring 20p on a wiring substrate 200 is conducted by a ball electrode 9p, having a contact area larger than the S with the pedestal electrode. - 特許庁

また、ｐ型領域６と接続される電極をＡｌ膜２２で構成することにより、ｎ^+ 型ソース領域５に接続されるＮｉ膜２３とＡｌ膜２２がオーバラップしてもＡｌ膜２２とｐ型領域６とがオーミック接触するようにできる。例文帳に追加

Moreover, since the electrode which is connected with the region 6 is constituted of the film 22, an ohmic contact of the film 22 with the region 6 can be made even through an Ni film 23, which is connected with an n+ source region 5, overlaps the film 22. - 特許庁

基板の裏面側に不純物ドープ層１５を形成することにより、基板裏面にオーミック電極を取る場合に接触抵抗が低下し、電力損失が少なく大容量のＳｉＣ半導体素子を製造することができる。例文帳に追加

The impurity dope layer 15 is formed on the back face side of the substrate so that contact resistance can be reduced at the time of forming an ohmic electrode on the back face of the substrate, and that a large capacity of SiC semiconductor element whose power loss is small can be manufactured. - 特許庁

ｐ型電極と同一面上の周囲または基板裏面及び側面に形成されたｎ型電極が、透光性でありさらにオーミック接触である金属薄膜層または酸化物半導体層、それらの積層体からなる構成を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。例文帳に追加

The gallium nitride system compound semiconductor light- emitting device is in a configuration consisting of a metal thin-film layer or an oxide semiconductor layer where an n-type electrode that is formed at the surrounding on the same plane as a p-type electrode or on the reverse and side surfaces of a substrate transmits light and is in ohmic contact, and a laminate consisting of them. - 特許庁

これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。例文帳に追加

In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10. - 特許庁

また、ｐ型半導体層上にオーミック接触層を形成し、ｎ型半導体層及び発光層上に絶縁性の保護膜層を形成し、さらに密着層を形成し、メッキによって金属板を形成することでも、同様の効果がある。例文帳に追加

Also, the same effect can be obtained in such a way that an ohmic contact layer is formed on the p-type semiconductor layer, an insulating protective layer is formed on an n-type semiconductor layer and a light-emitting layer, an adhering layer is formed and metal plate is formed by plating. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。例文帳に追加

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102. - 特許庁

この窒化物系半導体発光ダイオード素子は、ｐ型ＧａＮ層４に接触するように形成され、約１．０ｎｍの厚みを有するＡｌ膜６ａと、Ａｌ膜６ａ上に形成されたＡｇ膜６ｂとを含むｐ側オーミック電極６を備えている。例文帳に追加

The nitride based semiconductor light emitting diode element is provided with a p-type ohmic electrode 6 comprising an Al film 6a having a thickness of about 1.0 nm formed to touch a p-type GaN layer 4, and an Ag film 6b formed on the Al film 6a. - 特許庁

さらにツェナーダイオードの中心部のＮ^+型領域を掘り下げることにより、ゲートパッド電極との接触面積を稼いで、安定したオーミック性が得られ、且つリーク電流を低減できるＭＯＳＦＥＴの保護装置を実現できる。例文帳に追加

Moreover, the contact area with a gate pad electrode can be gained by further increasing the depth of the N+ type region at the central part of the Zener diode, stable ohmic performance can be obtained, and a protection device of MOSFET capable of reducing the leakage current can be realized. - 特許庁

このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて、優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い光透過性によって素子の発光効率を高めうる。例文帳に追加

According to such a nitride-based light-emitting element and a method for manufacturing the element, ohmic contact characteristics for the p-type clad layer are improved, thereby superior current-voltage characteristics are exhibited; and in addition, luminous efficiency of the element is improved by the high light-transmittance of a transparent electrode. - 特許庁

このような窒素物系発光素子とその製造方法は、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されているため発光効率及び素子寿命を向上させ、かつウェーハ成長後の活性化工程を省略できて、製造工程を単純化させうる。例文帳に追加

Such a nitride-based light emitting element and its manufacturing method improves an ohmic contact characteristic with the p-type clad layer, hence increases the emission efficiency, and expands the life of the element, and at the same time, can omit an activation process after growth of a wafer and thus can simplify the manufacturing processes. - 特許庁

本発明はＢメタルとＮメタルをＴａ／Ａｕの二重層に形成して、別途の熱処理工程無しでも常温においてオーミック接触を形成でき外観とワイヤボンディング特性の優れた窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light emitting diode with excellent appearance and a wire bonding property, capable of forming an ohmic contact even at an ordinary temperature without any special heat treatment process by forming a B metal and an N metal in double layers of Ta/Au, and to provide a method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting diode. - 特許庁

第二の窒化物半導体スタックの複数の六角形のピラミッド型の孔は、第一の透明導電性の酸化物層で満たされ、低い抵抗のオーミック接触は、操作電圧を減じ、発光装置の発光効率を改善するように、複数の六角形のピラミッド型の孔の内面で発生する。例文帳に追加

The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated on the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device. - 特許庁

ｐ型窒化物系半導体層１８と透光性導電体層２２との間にｐ型ＧａＡｓ半導体によるコンタクト層２０が設けられている為、ｐ型窒化物系半導体層１８と透光性導電体層２２との間に良好なオーミック接触が成立する。例文帳に追加

Since a contact layer 20 due to an n-type GaAs semiconductor is provided between a p-type nitride-based semiconductor layer 18 and a translucent conductive layer 22, improved ohmic contact is established between the p-type nitride-based semiconductor layer 18 and the translucent conductive layer 22. - 特許庁

少なくとも、ゲートトリガ電流Ｉ_ＧＴの経路となるベース層（Ｐ型ベース領域、Ｐ型半導体領域Ｐ１）のゲート電極Ｍ１ｂとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層ＬＭで形成する。例文帳に追加

A high-concentration impurity layer, which is at least an ohmic contact surface for a gate electrode M1b of a base layer (a P-type base region and a P-type semiconductor region P1) that is a path of a gate trigger current I_GT, is formed by a high-melting-point metal silicide layer LM. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、基板（低濃度基板１１）と、基板上に形成された絶縁層（酸化膜１２）と、絶縁層上に形成された活性層１３と、基板の裏面に形成された金属層（金属薄膜１５）と、を有し、基板と金属層はオーミック接触する、ことを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the substrate (a lightly-doped substrate 11), an insulating layer (an oxide film 12) formed on the substrate, an active layer 13 formed on the insulating layer, and the metal layer (a metal thin film 15) formed on the backside of the substrate, the substrate and the metal layer having ohmic contact with each other. - 特許庁

化合物半導体装置に関し、高信頼性を実現可能なダブルドープ構造ＩｎＰ系ＨＥＭＴ又は逆ＨＥＭＴ構造ＩｎＰ系ＨＥＭＴに於いて、微細化が可能なノンアロイオーミック電極構造の場合にも接触抵抗を低減させ、ＩｎＰ系ＨＥＭＴの高速性能を実現する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor device that can reduce contact resistance and establish high speed performance of an InP-based HEMT even if a double-doped InP-based HEMT or a reverse HEMT InP-based HEMT wherein high reliability can be obtained has a micro-fabricable non-alloy ohmic electrode structure. - 特許庁

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。例文帳に追加

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element. - 特許庁

本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層に正孔を注入するためのｐ側電極に、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触する金属を用いるとともに、かかるｐ側電極を形成するコンタクト層をｎ型窒化物半導体で形成する。例文帳に追加

In the nitride semiconductor light emitting element, a metal which is in ohmic contact with an n-type nitride semiconductor is used in a p-side electrode for injecting hole to a p-type nitride semiconductor layer, and a contact layer forming the p-side electrode is formed of an n-type nitride semiconductor. - 特許庁

本発明では、金属層２が、半導体積層部１０とオーミック接触させる第１金属層２１と、Ａｇからなる第２金属層２２と、導電性基板１と低温接着可能とする金属からなる第３金属層２３とを少なくとも有していることに特徴がある。例文帳に追加

The metal layer 2 has at least a first metal layer 21 which is brought into ohmic contact with the laminated semiconductor section 10, a second metal layer 22 composed of Ag, and a third metal layer 23 composed of a metal that can be bonded to the substrate 1 at low temperatures. - 特許庁

高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６におけるｎ型ＡｌＧａＮ層１０７に形成された開口部１０７ａからの露出領域の上には、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接触するゲート電極１１２が形成されている。例文帳に追加

On a region of the high-concentration p-type GaN layer 106 which is exposed in an opening 107a formed in the n-type AlGaN layer 107, a gate electrode 112 having an ohmic contact with the high-concentration p-type GaN layer 106 is formed. - 特許庁

ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い透光性によって素子の発光効率を高めうる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride system light-emitting device which not only indicates superior current/voltage characteristics, in such a way that the ohmic contact properties with a p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high translucency characterized by a transparent electrode. - 特許庁