「オーミック接触」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device. - 特許庁

基板上に、III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、アルミニウム含まないIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第２の窒化物半導体層を備え、この窒化物半導体層にショットキ接触するゲート電極と、オーミック接触するソース電極及びドレイン電極を備えている。例文帳に追加

A nitride semiconductor device comprises a first nitride semiconductor layer composed of a group III-V nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer composed of the group III-V nitride semiconductor layer not containing aluminum on a substrate; and further comprises a gate electrode which comes into Schottky-contact with the nitride semiconductor layer, and a source electrode and drain electrode which come into ohmic-contact therewith. - 特許庁

窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極２からチャネルまでの抵抗（アクセス抵抗）を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化（低消費電力化）が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that is made faster and less in loss (lower in power consumption) by greatly reducing ohmic contact resistance of a heterojunction field effect transistor using a nitride semiconductor and simultaneously greatly reducing resistance (access resistance) from a source electrode 2 to a channel, and a method of fabricating the same. - 特許庁

酸化亜鉛系半導体発光素子において成長用基板とその上に形成される電極とのオーミック接触を向上させるとともに、酸化亜鉛系半導体発光素子の発光効率及び信頼性を向上させることができる製造方法及び当該製法によって製造される酸化亜鉛系半導体発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for improving ohmic contact of a growing substrate and an electrode formed on the substrate in a zinc oxide-based semiconductor light emitting element and improving emission efficiency and reliability of the zinc oxide-based semiconductor light emitting element and to provide the zinc oxide-based semiconductor light emitting element manufactured by the manufacturing method. - 特許庁

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。例文帳に追加

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode. - 特許庁

基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、ゲート電極、ゲート絶縁膜、結晶性半導体層が、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

The thin film transistor has, on a substrate, a gate electrode, a gate insulating film containing phosphorus, a crystalline semiconductor layer, and source and drain electrodes, and is characterized in that the gate electrode, gate insulating film, and crystalline semiconductor layer are laminated in this order from the substrate side, and the crystalline semiconductor layer is brought into ohmic contact with the source and drain electrodes on the opposite side from the substrate. - 特許庁

この電極構造は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面上に形成されたＡｌ層１０ａ、Ａｌ層１０ａの表面に接触するように形成されたＰｔ層１０ｂおよびＰｔ層１０ｂの表面上に形成されたＡｕ層１０ｃを含むｎ側オーミック電極１０とを備えている。例文帳に追加

The electrode structure comprises an n-type GaN substrate 1, and an n-side ohmic electrode 10 including an Al layer 10a formed on the rear surface of the n-type GaN substrate 1, a Pt layer 10b formed to touch the surface of the Al layer 10a, and an Au layer 10c formed on the surface of the Pt layer 10b. - 特許庁

本発明の課題は、ＩＴＯ膜とＧａＮを主原料とする半導体電極層のオーミック接触抵抗を良好に保持するとともにシート抵抗が低く、透明性及び結晶品質で優れたスパッタ法によるＩＴＯの成膜を可能にするＩＴＯ電極及びその作製方法、並びにＩＴＯ電極を有する窒化物半導体発光素子を提供することである。例文帳に追加

To provide an ITO electrode to form by a sputter method a film of ITO which maintains excellent ohmic contact resistance between the ITO film and a semiconductor electrode layer using GaN as a main material, which has low sheet resistance, and which is excellent in transparency and crystal quality, its manufacturing method, and a nitride semiconductor light-emitting element having the ITO electrode. - 特許庁

（イ）半導体発光機能層４と、（ロ）半導体発光機能層４の一方の主表面の一部に、半導体発光機能層４とオーミック接触するように設けられたコンタクト用合金層５と、（ハ）コンタクト用合金層５が存在しない半導体発光機能層４の残余の一部及びコンタクト用合金層５に接合された高導電性反射膜３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element comprises a semiconductor light emitting function layer 4, an alloy layer 5 provided at a part on one major surface of the semiconductor light emitting function layer 4 to make ohmic contact therewith, and a high conductivity reflective film 3 bonded to a part of the residual semiconductor light emitting function layer 4 where the contact alloy layer 5 does not exist and the contact alloy layer 5. - 特許庁

ｐ型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、ｐ型窒化物半導体層に、少なくともロジウムとイリジウムとを含有する電極を形成することにより、電極とｐ型窒化物半導体層との良好なオーミック接触が得られると共に、電極が高反射率を有するので、電極における光の吸収が少なくなり、外部量子効率の良い窒化物半導体素子が得られる。例文帳に追加

In the nitride semiconductor element having the p-type nitride semiconductor layer, by forming an electrode containing at least rhodium and iridium, an excellent ohmic contact between the electrode and the p-type semiconductor layer is obtained and at the same time, the nitride semiconductor element the external quantum efficiency of which is excellent is obtained because the electrode has a high reflection coefficient therefore the absorption of light at the electrode is reduced. - 特許庁

半導体装置は、半導体層１０上に設けられたゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に設けられ、隣接するウェル領域１３間に少なくとも１つの開口部８を有するゲート電極９と、ソース領域１５にオーミック接触するソース電極１９と、半導体基板１１の裏面に設けられたドレイン電極１８とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device comprises: a gate insulating film 16 provided on a semiconductor layer 10; a gate electrode 9 provided on the gate insulating film 16 and having at least one opening 8 between adjacent well regions 13; a source electrode 19 in ohmic contact with the source region 15; and a drain electrode 18 provided on the rear surface of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。例文帳に追加

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2. - 特許庁

半導体発光装置は、サファイアからなる基板１０の上に順次形成されたＰ型半導体層１１、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる活性層１２及びＰ型半導体層１３と、Ｐ型半導体層１３の上に形成され、該Ｐ型半導体層１３とオーミック接触し且つ活性層１２からの発光光５０を反射する反射層１４ｂを含むＮ側反射電極１４とを有している。例文帳に追加

The semiconductor light emitting device comprises a P type semiconductor layer 11, an active layer 12 of InGaN/GaN and a P type semiconductor layer 13 formed sequentially on a sapphire substrate 10, and an N side reflection electrode 14 including a reflective layer 14b formed on the P type semiconductor layer 13 to come into ohmic contact therewith and reflecting emission light 50 from the active layer 12. - 特許庁

二次元電子ガスを形成するＧaＡ層と超伝導電流のソース及びドレイン電極層となる二つのＮbＮ超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、ＮbＮ超伝導電極層とＧaＡs層との層間にＩn−Ｓn層を挿入し熱処理することにより、ＮbＮ超伝導電極層と二次元電子ガスとのオーミック接触を実現させるものである。例文帳に追加

To achieve ohmic contact between an NbN superconductive electrode layer and a two-dimensional electron gas by inserting an In-Sn layer between the NbN superconductive electrode layer and a GaAs layer for heat treatment in a semiconductor coupled superconductive device having two NbN superconductive electrode layers that becomes the GaA layer for forming the two-dimensional electron gas and the source and drain electrode layer of a superconductive current. - 特許庁

半導体基板の受光面側に反射防止膜を有し、この反射防止膜上にファイヤースルー法によって表面電極を形成した太陽電池素子において、十分なオーミック接触を得るとともに、表面電極と半導体基板間の密着強度を確保し、電極自体の強度も確保した太陽電池素子を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell element in which sufficient ohmic contact is obtained, bonding strength between a surface electrode and a semiconductor substrate is ensured and the strength of the electrode itself is also ensured, in the solar cell element having an antireflection film on a light-receiving surface of the semiconductor substrate and the surface electrode formed on the antireflection film by a fire through method. - 特許庁

第１の主面と該第１の主面に背向する第２の主面とを有するｎ^＋型ＳｉＣ基板１１と、第２の主面上に形成されたエピタキシャル層１３と、エピタキシャル層１３上に形成されると共に、エピタキシャル層１３とオーミック接触した電極１４とを有することを特徴とする。例文帳に追加

The SiC semiconductor device has an n^+ type SiC substrate 11 having a first main face and a second main face confronted with the first main face, an epitaxial layer 13 formed on the second main face and an electrode 14 which is formed on the epitaxial layer 13 and is brought into ohmic-contact with the epitaxial layer 13. - 特許庁

ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層１０の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層１１と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層１２と、絶縁膜１３とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。例文帳に追加

The source and drain electrode sections are formed by successively etching an insulating film 13, an ohmic-contact source electrode and drain electrode layer 12, and a low- resistance diamond layer 11 which transmits carriers metallically and has a certain degree of doping concentration in one photolithography process after the diamond layer 11, source electrode and drain electrode layer 12, and insulating film 13 are successively formed on the diamond layer 10. - 特許庁

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。例文帳に追加

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively. - 特許庁

本発明の太陽電池は、太陽電池は、第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、を含む。例文帳に追加

The photovoltaic cell includes a silicon substrate having a first surface and a second surface opposed to the first surface and having a plurality of recessed tanks on the second surface, a back electrode formed on the first surface of the silicon substrate and brought into ohmic contact with the first surface, a doped silicon layer formed on an inner surface of each recessed tank, and a front electrode formed on the second surface of the silicon substrate. - 特許庁

太陽電池用の導電性ペーストにオーミック接触させる電極の形成に用いられる導電性ペーストであって、当該導電性ペーストの盛り量を高く、厚膜で印刷することができるため、無鉛ガラスフリットを用いたとしても高い変換効率が安定して得られる太陽電池用導電性ペースト、及び該太陽電池用導電性ペーストを製造する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide conductive paste for solar cell using for formation of an electrode making ohmic contact to conductive paste of a solar cell, capable of stably obtaining high conversion efficiency, even with the use of lead-free glass frit since a height amount of a volume of the conductive paste makes high so as to enable to print in a thick film, and to provide a manufacturing method for manufacturing the conductive paste for solar cell. - 特許庁

ゲート電極１３１は、銅及び基板と接触特性が良好であってパターン溶液が基板に影響を与えない金属の二重金属層で形成し、ソース電極１４９及びドレイン電極１５１は、銅及び下部オーミックコンタクト層と銅との反応を防ぐことができる金属の二重金属層で形成する。例文帳に追加

A gate electrode 131 is formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal which has satisfactory contact characteristics with the substrate and whose pattern solution does not affect the substrate and a source electrode 149 and a drain electrode 151 are formed by using a dual metal layer consisting of copper and a metal by which reaction of a lower ohmic contact layer and copper is prevented. - 特許庁

カーボンナノチューブなどの炭素系線状構造材料が、対向電極間に機能部位として設けられている機能素子であって、炭素系線状構造材料と対向電極とのオーミック接触性が良く、比較的低い温度と簡易な工程で作製可能な機能素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a functional element in which a carbonaceous linear structural material, such as a carbon nanotube, is provided between counter electrodes as a functional site, which has a good ohmic contact between the carbonaceous linear structural material and the counter electrodes, and which can be manufactured at a relatively low temperature and with a simple process, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。例文帳に追加

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer. - 特許庁

本発明の目的は、受光面電極を５００〜６５０℃で低温焼成する場合において、反射防止膜をファイアスルーして半導体基板と受光面電極が互いにオーミック接触し、かつ接着強度を十分に確保することが可能な受光面電極を形成し得る導電性ペーストを提供することにある。例文帳に追加

To provide a conductive paste capable of forming a light receiving surface electrode, which paste can ensure that a semiconductor substrate and the light receiving surface electrode are in ohmic contact with each other at a sufficient bonding strength through a firing of an antireflection film, when sintering the light receiving surface electrode at low temperature such as 500 to 650°C. - 特許庁

Ａｌを含むｐ型のIII−Ｖ属化合物半導体であって、該半導体層上に触媒層に用いる方法において、高いｐ型の導電性を発揮させることができ、さらに低コストで作製でき、電極との良好なオーミック接触をも実現することができるｐ型III−Ｖ属化合物半導体の作製方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a p-type group III-V compound semiconductor containing Al which can allow to exhibit high p-type conductivity in a method using a catalytic layer on a semiconductor layer, can be manufactured at a low cost and can also realize good ohmic contact with an electrode. - 特許庁

本発明は、スイッチング特性の悪化や寄生サイリスタの動作開始を抑制し、かつコレクタとコレクタ電極との接触が良好なオーミック性を有する電力用半導体装置とその製造方法に係り、短絡耐量などの特性を改善した電力用半導体装置とその製造方法を提供する事を目的とする。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device exhibiting good ohmic contact between the collector and the collector electrode while controlling aggravation of switching characteristics and operation start of a parasitic thyristor which improves such characteristics as short-circuit resistance, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。例文帳に追加

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5. - 特許庁

本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn_2O_3)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。例文帳に追加

On an upper of a upper clad layer made of p-GaN, an ohmic contact forming layer is formed using MIO, ZIO and CIO (In_2O_3 including one of Mg, Zn and Cu), and then a transparent electrode layer and a second electrode are formed with ITO thereon, thereby improving the contact resistance between the upper clad layer and the second electrode while obtaining high transparency. - 特許庁

集光用レンズ３は、レンズ部３ａおよびフランジ部３ｂの各形状に応じて半導体基板との接触パターンを設計した陽極を半導体基板の一表面側に半導体基板との接触がオーミック接触となるように形成した後に半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液からなる電解液中で半導体基板の他表面側を陽極酸化することで除去部位となる多孔質部を形成してから当該多孔質部を除去することによりレンズ部３ａおよびフランジ部３ｂが形成されている。例文帳に追加

The condensing lens 3 forms an anode, in which a contact pattern with a semiconductor substrate is designed according to each shape of a lens part 3a and a flange part 3b produced, in such a way that its contact with the semiconductor substrate may form an ohmic contact on one surface side of the semiconductor substrate. - 特許庁

５０ｍｍの直径を有し、１０μｍ以上の反りを有する半導体基板１の上に形成された半導体変調素子であって、半導体よりなるチャネル２と、チャネル２にオーミック接触するソース電極３およびドレイン電極４と、チャネル２上に形成された第１のゲート電極５および第２のゲート電極６とを有するデュアルゲート構造の電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする半導体変調素子を構成する。例文帳に追加

The semiconductor modulator element formed on a semiconductor substrate 1 having a diameter of 50 mm and a warp of 10 μm or more is composed of a field effect transistor having a dual gate structure having a semiconductor-made channel 2, a source electrode 3 and a drain electrode 4 ohmically contacted with the channel 2, and a first and second gate electrodes 5, 6 formed on the channel 2. - 特許庁