「オーミック接触」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

良好なオーミック接触を得ながら、表面プラズモンの効果を得ることが可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element capable of obtaining effects of surface plasmon, while obtaining satisfactory ohmic contact. - 特許庁

既存の業界工程と互換でき、有効に、生産コストを低減できる銀含有金属オーミック接触電極を提供する。例文帳に追加

To provide a silver-containing metal ohmic contact electrode which is compatible with an existing industry process, and capable of effectively reducing production cost. - 特許庁

また、基板と電極との界面に反応抑制膜を選択的に設けることより、オーミック接触と光反射とを両立させる。例文帳に追加

Moreover, by selectively forming a reaction suppressing film on the boundary between a substrate and the electrode, both ohmic contact and light reflection are satisfied. - 特許庁

この後、ＳｉＣ基板１のオーミック接触領域３が形成されている面上に窒化物半導体結晶を積層する。例文帳に追加

Then, the nitride semiconductor crystal is laminated on a surface where an ohmic contact region 3 is formed on the SiC substrate 1. - 特許庁

高濃度のドーピングを行うことが可能で、電極と良好なオーミック接触を取ることを可能とする。例文帳に追加

To make it possible to: carry out doping at a high concentration; and make an excellent ohmic contact with an electrode. - 特許庁

低い接触抵抗と良好な表面状態とを併せ持つオーミック性電極を備えた炭化珪素半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device including an ohmic electrode having both low contact resistance and an excellent surface state. - 特許庁

光反射層２はＡｌより高い反射率を有すると共に半導体領域３に良好にオーミック接触する。例文帳に追加

The light-reflecting layer 2 is brought into good ohmic contact with the semiconductor region 3, while having a reflectivity higher than Al. - 特許庁

ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with which sufficient ohmic contact can be obtained for a SiC substrate and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

この後、ＳｉＣ基板２のオーミック接触領域３が形成されている面とは反対側にＩｎを含む窒化物半導体結晶を積層する。例文帳に追加

Then, the nitride semiconductor crystal containing In is laminated at a side opposite to a surface where an ohmic contact region 3 is formed on the SiC substrate 2. - 特許庁

ソース電極４０とドレイン電極５０は、主面上に設けられ、半導体層とオーミック性接触を形成し、互いに離間する。例文帳に追加

The source electrode 40 and the drain electrode 50 are provided on a main surface of the semiconductor layer, form an ohmic contact to the semiconductor layer, and are spaced apart from each other. - 特許庁

低い接触電位のオーミック電極を有する化合物半導体装置の製造方法および化合物半導体装置の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for manufacturing a compound semiconductor device which has an ohmic electrode of a low contact potential. - 特許庁

第２電極は、第２半導体層に対してオーミック接触を形成し、発光層からの発光光に対して透光性を有する。例文帳に追加

The second electrode forms an ohmic contact to the second semiconductor layer, and has translucency to the light emitted from the light emitting layer. - 特許庁

ｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７の表面に、透明電極からなるｐ型電極４がオーミック接触している。例文帳に追加

A p-type electrode 4 comprising a transparent electrode is in ohmic contact with a surface of the p-type GaN guide contact layer 17. - 特許庁

ｎ＋ＧａＡｓ層３は、キャリア濃度が５×１０^18ｃｍ^-3と高く、カソード電極４とオーミック接触する。例文帳に追加

The n^+ GaAs layer 3 has a high carrier concentration of 5×10^18 cm^-3, and comes into ohmic contact with the cathode electrode 6. - 特許庁

オーミック電極の接触抵抗を低減するとともに高い耐圧特性を実現することが可能な炭化珪素半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device capable of reducing the contact resistance of an ohmic electrode and obtaining the high pressure resistance properties of the same. - 特許庁

基板と金属層をオーミック接触させることで、基板と金属層間の抵抗差を低減させることができる。例文帳に追加

Since the substrate and the metal layer have ohmic contact with each other, a resistance difference between the substrate and the metal layer is reduced. - 特許庁

ｐ型非極性GaN面と電極との間に良好なオーミック接触を提供できる、電極を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing an electrode that can provide good ohmic contact between a p-type nonpolar GaN surface and an electrode. - 特許庁

この非ｐ型オーミック接触層は、放射線を発する半導体素子の操作電圧を下げるのに用いられる。例文帳に追加

The non-p-type ohmic contact layer is used to reduce the operating voltage of the radiation emitting semiconductor device. - 特許庁

半導体基板とオーミック接触する金属層を、蒸着による方法と比べて、容易に、安価に形成する。例文帳に追加

To deposit a metallic layer brought into ohmic contact with a semiconductor substrate more easily and inexpensively compared to the case of a method by vapor deposition. - 特許庁

第２の基板側の対向電極２７は、ＴＦＴ１００のソース電極６とオーミック接触されている。例文帳に追加

The counter electrode 27 on the second substrate side is brought into ohmic contact with a source electrode 6 in a TFT 100. - 特許庁

不均一な結晶相の形成を抑制してオーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode contact structure capable of attaining ohmic contact by suppressing formation of a non-uniform crystal phase. - 特許庁

ｃ面に対して傾斜したｐ型主面において良好なオーミック接触を有する半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element which has excellent ohmic contact on a p-type principal plane inclined to a (c) plane. - 特許庁

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板１と金属膜２との界面にオーミック接触領域３が形成される。例文帳に追加

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 1 and the metal film 2 by high-temperature annealing. - 特許庁

高温アニ−ルによりＳｉＣ基板２と金属膜１との界面にオーミック接触領域３が形成される。例文帳に追加

An ohmic contact region 3 is formed on the interface between the SiC substrate 2 and the metal film 1 by high-temperature annealing. - 特許庁

素子分離領域上のドレイン連結部が、ドレインオーミック接触部の同じ側の端部同士を接続する。例文帳に追加

A drain connecting portion on an element separation region connects ends of the drain ohmic contacting portions, on the same side to each other. - 特許庁

良好なオーミック性接触が得られる裏面電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a rear-face electrode having proper ohmic contact, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

良好なオーミック接触が実現されたコンタクト構造を備えた高性能な半導体装置を実現する。例文帳に追加

To achieve a high-performance semiconductor device with a contact structure with improved ohmic contact. - 特許庁

このコンタクト層６は、発光層部９よりもバンドギャップエネルギーが小さく、Ａｕ膜７とオーミック接触し、かつ、Ａｌを含まない。例文帳に追加

The contact layer 6 has smaller band gap energy than the light emitting layer 9 has, is in ohmic contact with the Au film 7, and contains no Al. - 特許庁

少なくとも電極の主材料を含む電極主材料層６１と、金属材料の拡散を防止する拡散防止層６２と、金属に対してオーミック接触するオーミック接触層６３とを順次積層して構成されている電極構造。例文帳に追加

The electrode structure comprises a layer 61 containing at least the main material of the electrode, a layer 62 for preventing diffusion of metallic material, and a layer 63 for making ohmic contact with the metal formed sequentially. - 特許庁

共振器方向Ａにおける少なくとも一方の端部を除く他の領域においてｐ側コンタクト層４３とオーミック接触するｐ側オーミック電極５２と、その端部においてｐ側コンタクト層４３とショットキー接触するｐ側ショットキー電極５３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor laser comprises a P-type side ohmic electrode 52 brought into ohmic contact with a P-type contact layer 43 in other region except at least one end of a resonator direction A, and a P-type side Schottky electrode 53 brought into Schottky contact with the layer 43 at its end. - 特許庁

半導体基板１の裏面には、その半導体基板１とオーミック接触によりＡｇを含む第１電極５が設けられ、ｐ^＋形拡散領域３とオーミック接触して、たとえばＡｇからなる第２電極６が設けられている。例文帳に追加

On the rear surface of the semiconductor substrate 1, On the rear surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 5 containing Ag is formed in ohmic contact with the semiconductor substrate 1, and a second electrode 6 consisting of Ag e.g. is formed in ohmic contact with the p^+ type diffusion area 3. - 特許庁

第二の絶縁層が基板に形成され、ゲートライン及びゲート電極と、第一の絶縁層と、半導体層と、オーミック接触層と、の側壁を覆うと共に、前記ソース領域とドレイン領域におけるオーミック接触層を露出させる。例文帳に追加

A second insulating layer is formed on a substrate and covers side walls of the gate line and the gate electrode, the first insulating layer, the semiconductor layer, and the ohmic contact layer, and at the same time, exposes the ohmic contact layer in the source region and the drain region. - 特許庁

また、スルーホール電極26a とシリコン部品１との接触部をオーミック接触とするために、接触部のシリコン表面にサンドブラストや逆スパッタリングが施される。例文帳に追加

Since a contact part between the through hole electrode 26a and the silicon part 1 is ohmic contact, sand blast and reverse sputtering are applied to a silicon surface of a contact part. - 特許庁

ＺｎＯセラミックス結晶粒子１７とＰｔ内部電極１３との接触はショットキ接触を示すのに対し、ＺｎＯセラミックス結晶粒子１７とＡｇ内部電極１１は低抵抗のオーミック接触を示す。例文帳に追加

A ZnO ceramics crystal grain 17 and Pt internal electrode 13 are in Schottky contact, while 17 and Ag internal electrode 11 are in ohmic contact of low resistance. - 特許庁

窒化物半導体表面に形成されるｎ型オーミック電極に関して、製造工程における熱処理や高電流が流れる使用条件に対して信頼性に優れており、かつ低い接触抵抗が得られるｎ型オーミック電極を提供する。例文帳に追加

To provide an n-type ohmic electrode having excellent reliability to heat treatment in a manufacturing process, and to use conditions under which large current flows, and having low contact resistance in an n-type ohmic electrode formed on the surface of a nitride semiconductor. - 特許庁

所定元素からなるドーパンドでドープされたオーミック接触半導体層６上に、前記所定元素を含むとともにＡｕの拡散を抑制する安定層８及びＡｕ層９を順次積層させたオーミック電極７を形成する。例文帳に追加

The method for forming the ohmic electrode comprises the steps of forming the ohmic electrode 7 in which a stable layer 8 and an Au layer 9 containing a predetermined element and suppressing the diffusion of an Au are sequentially laminated, on the ohmic contact semiconductor layer 6 doped with a dopant made of the predetermined element. - 特許庁

ｐ型半導体層１０５上にオーミック接触層１０７と密着層１０６を分けて形成し、メッキによって基板１１０を形成することにより、オーミック接合に優れるとともに、メッキによって基板を作製した際に剥離することがない。例文帳に追加

An ohmic contact layer 107 and an adhering layer 106 are separately formed on a p-type semiconductor layer 105, and a substrate 110 is formed by plating, and thus, excellent ohmic junction can be formed and the substrate can be prevented from being peeled when it is formed by plating. - 特許庁

接続対象に接合した炭素元素円筒型構造体５１の接合部の内部に金属材料５９が位置し、炭素元素円筒型構造体５１と接続対象５７とがオーミック接触により接続しているオーミック接続構造とする。例文帳に追加

In the ohmic connection structure, a metal material 59 is positioned in the joining section of the carbon element cylindrical structure 51 joined with an object to be connected, and the carbon element cylindrical structure 51 and the object to be connected 57 are connected by an ohmic connection. - 特許庁

金属電極部は、半導体基板の上面に露出するｎ型半導体領域にショットキー接触しているとともに、半導体電極部にオーミック接触している。例文帳に追加

The metal electrode portion comes into Schottky contact with an n-type semiconductor region exposed on the upper face of the semiconductor substrate, and comes into ohmic contact with the semiconductor electrode portion. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ層２６上にオーミック接触して、カソード電極２７が形成され、ＡｌＧａＮ層２４上にショットキー接触して、アノード電極２８が形成されている。例文帳に追加

A cathode electrode 27 is formed in ohmic contact on the n-type GaN layer 26 and an anode electrode 28 is formed in Schottky contact on the AlGaN layer 24. - 特許庁

ｐ側電極５９が、オーミック接触している第１の電極部５９ａと、ショットキー接触している第２の電極部５９ｂとから構成されている。例文帳に追加

The P-side electrode 59 is composed of a first electrode 59a which is in ohmic contact and a second electrode 59b which is in Schottky contact. - 特許庁

コレクタ電極１２がｐ^+型領域４ａに対してオーミック接触させられ、かつ、ｐ型領域４ｂに対してショットキー接触させられるようにする。例文帳に追加

A collector electrode 12 is brought into ohmic contact with a p^+-type region 4a, and brought into Schottky contact with a p-type region 4b. - 特許庁

第１の電極１１を内側Ｐ^＋型半導体領域１６にオーミック接触させ、アノード側Ｎ^＋型半導体領域１８にショットキバリア接触させる。例文帳に追加

The first electrode 11 is in contact with the inside p^+-type semiconductor region 16 through ohmic contact while the Schottky barrier is contacted with the anode side n^+-type semiconductor region 18. - 特許庁

電流通路を短縮し、ショットキー接触金属層内の電流集中を減少させ、それによってデバイスの順方向抵抗を低下させるために、メサはオーミック接触金属層３１６，３１８によって分離されている。例文帳に追加

The mesa regions are separated by ohmic contact metal layers 316, 318 to shorten a current path and reduce a current concentration in the Schottky contact metal layers, thereby reducing the forward resistance of a device. - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と電極とのオーミック接触面積を拡大し、接触抵抗の低減を図ることができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser and method of manufacturing the same, which can enlarge an ohmic contact area between a nitride-based III-V compound semiconductor layer and an electrode to reduce contact resistance. - 特許庁