over-erasureとは 意味・読み方・使い方

To provide a data replication technique for providing erasure encoded replication of large data sets over a geographically distributed replica set.例文帳に追加

大きなデータセットのイレーザ(erasure)符号化された複製を、地理的に分散されたレプリカ・セット上にわたって提供するデータ複製技術を提供する。 - 特許庁

To prohibit over-write-in and over-erasure of data with a bit unit in testing a function of a memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ等のメモリデバイスの機能試験に際し、ビット単位でデータの過剰書込み及び過剰消去を禁止する。 - 特許庁

To simply detect a memory transistor of a non-volatile semiconductor memory being in an over-erasure state.例文帳に追加

過剰消去状態になった不揮発性半導体メモリのメモリセルトランジスタを簡単に検出する。 - 特許庁

Thus, narrow pulses are applied at higher voltage levels to reduce the amount of over erasure of the memory block.例文帳に追加

狭いパルスはより高い電圧レベルで印加されて、メモリブロックの過剰消去の量が減少される。 - 特許庁

Specifically, the method executes over-erasure verification and writing back operation sequentially from a first address to a final address.例文帳に追加

具体的には、最初のアドレスから最終アドレスまで順番に過消去ベリファイおよび書戻しを実行する。 - 特許庁

Since erasure operation is performed with a block unit en bloc in a flash memory or the like, an over-erasure state of a memory transistor caused by dispersion of threshold voltage is caused.例文帳に追加

フラッシュメモリなどでは、ブロック単位などで一括して消去動作を行うことから、しきい値電圧のばらつきに起因して過剰消去状態のメモリトランジスタが発生する。 - 特許庁

For a memory cell connected to one word line, applying a erasure pulse for erasing information (S1), first verifying confirming shift of threshold voltage by applying this erasure pulse (S2), and second verifying operation confirming whether over-erasure is caused by applying the erasure pulse or not are performed.例文帳に追加

１ワード線につながるメモリセルに対して、情報を消去するための消去パルス印加（Ｓ１）と、この消去パルス印加によるしきい値電圧のシフトを確認する第１のベリファイ動作（Ｓ２）と、上記消去パルス印加によって過剰消去が発生したか否かを確認する第２のベリファイ動作（Ｓ３）とを行う。 - 特許庁

The erasing method for a nonvolatile semiconductor storage device executes block-one-round type over-erasure verification.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の消去方法は、ブロック一巡型過消去ベリファイを実行する。 - 特許庁