p-side p-typeとは 意味・読み方・使い方

The p-side electrode 15 is connected to the p-type surface 20ap.例文帳に追加

ｐ側電極１５は、ｐ型表面２０ａｐに接続されている。 - 特許庁

An p-side electrode 22 is connected to the p-type doping region 20.例文帳に追加

ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

A stripe-shaped P-side electrode 15 is formed on a P-type contact layer contained in the uppermost layer of the P-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｐ型半導体層１４の最上層に含まれるｐ型コンタクト層の上には、ストライプ状のｐ側電極１５が形成されている。 - 特許庁

The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.例文帳に追加

ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁