parasitic factorとは 意味・読み方・使い方

In the circuit simulation of the electrostatic breakdown protective circuit including a MOSFET, a current amplification factor is altered in response to a gate voltage of the MOSFET in the description 1 of device characteristics of a parasitic bipolar transistor of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴを有する静電破壊保護回路の回路シミュレーションにおいて、ＭＯＳＦＥＴの寄生バイポーラトランジスタの素子特性記述１のうち、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧に応じて電流増幅率を変更する。 - 特許庁

To solve the problem that additional inline loss is generated in the input of a low noise amplifier an the noise factor of a reception route is deteriorated as a result when performing filtering to transmission signals so as to eliminate parasitic coupling inside the reception route.例文帳に追加

受信経路内での寄生結合を除去するために送信信号に対してフィルタリングを行うと、低ノイズ増幅器の入力において追加的なインライン損失が生じ、結果として受信経路のノイズ因子が悪化する。 - 特許庁

Thereby, the dc current amplification factor h_FE of a parasitic bipolar transistor is raised to lower a snap-back starting voltage Vt1 in an ESD protective element 101.例文帳に追加

これにより、ＥＳＤ保護素子１０１において、寄生バイポーラトランジスタの直流電流増幅率ｈ_ＦＥを上昇させ、スナップバック開始電圧Ｖｔ１を低下させる。 - 特許庁

To provide an eddy current sensor and its sensor coil in which measurement precision of the sensor can be enhanced by reducing drift of sensor output signal due to parasitic capacitance varying within measuring circuit under the effects of any environmental factor other than temperature.例文帳に追加

温度以外の環境要因の影響を受け、測定回路内で変化する寄生容量を原因とするセンサ出力信号のドリフトを減少させ、渦電流センサの測定精度を向上させる。 - 特許庁

In this case, as the bias voltage is supplied via a direct current generating circuit 31 having a high impedance, a Q factor of an LCR consonant oscillation circuit comprised of the high impedance, and a capacity as a parasitic element of the bonding pad 13 and an inductance as a parasitic element of the bonding wire 12, can be reduced based upon the high impedance.例文帳に追加

この際、バイアス電圧が、高インピーダンスを有する直流電流発生回路３１を介して供給されるので、この高インピーダンスと、ボンディング・パッド１３の寄生要素である容量と、そのボンディング・ワイヤ１２の寄生要素であるインダクタンスと、からなるＬＣＲ共振回路のＱ値を、上記した高インピーダンスに基づいて小さくすることができる。 - 特許庁

To reduce parasitic resistance effectively without deteriorating the performance of a transistor, such as high-frequency characteristics (f_T, f_max), a current amplification factor h_FE, and the withstand voltage between a collector and an emitter, and increasing variations for a bipolar transistor in which an extraction electrode is formed by a polycrystalline film.例文帳に追加

引き出し電極が多結晶膜で形成されているバイポーラトランジスタについて、高周波特性（ｆ_T ，ｆ_max ）、電流増幅率ｈ_FEやコレクタ−エミッタ間耐圧等のトランジスタの性能低下やバラツキを増加させることなく、寄生抵抗を効果的に低減する。 - 特許庁

To provide a simply manufactured display device equipped with a display panel having a capacitive load such as an ELDP and a PDP and a semiconductor device activating the capacitive load and which surely operates and substantially collects all power charged in the capacitive load regardless of current amplification factor of a parasitic bi-polar transistor.例文帳に追加

ＥＬＤＰやＰＤＰのような容量性負荷を有する表示パネルと、上記容量性負荷を駆動する半導体装置を備えた表示装置であって、確実に動作し、容量性負荷に充電された電力を寄生バイポーラトランジスタの電流増幅率にかかわらず実質的に全て回収でき、簡単な製造プロセスで製造できるものを提供する。 - 特許庁