pit growthとは 意味・読み方・使い方

After a bottom part S of the pit is covered by the second group III nitride compound semiconductor 4 in the manner of lateral growth, epitaxial growth is conducted again for forming a first group III nitride compound semiconductor layer 32 (c).例文帳に追加

アルミニウム組成が高くなったことで、第１のIII族窒化物系化合物半導体層３１が覆えなかった小領域Ｓを、第２のIII族窒化物系化合物半導体層４が覆えるようになる（ｂ）。 - 特許庁

To minimize generation of a pit on a workpiece surface by restraining growth of inevitably generating gas into bubbles in electrochemical machining.例文帳に追加

電気化学的加工に際し、必然的に発生するガスの気泡への成長を抑制して、被加工物表面にピットが発生することを極力防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor capable of increasing electrostatic capacity by making generation and growth of an etching pit more suitable.例文帳に追加

エッチングピットの発生、成長をより好適化することにより、静電容量の増大を図ることのできる電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time of growth, a six-sided pyramid-like pit 19 is formed with a part of a threading dislocation 13 formed at an assembling part formed at an upper part of a protruding part 11b of the sapphire substrate 11, as a starting point.例文帳に追加

この成長時に、サファイア基板１１の凸部１１ｂの上の部分に形成される会合部に形成された貫通転位１３の一部を起点として六角錐状のピット１９が形成される。 - 特許庁

To provide an aluminum foil for an electrolytic capacitor, which gives higher capacitance and higher strength of the foil to the electrolytic capacitor, by uniformly distributing more etching initiation points for pits growth due to etching, and making the formed pits acquire uniform pit length.例文帳に追加

エッチングによるピット形成の起点となるエッチング開始点を増加させるとともに均一化させ、更に形成するピットのピット長を均一にさせることにより、静電容量および箔の強度を向上させることが可能な電解コンデンサ用アルミニウム箔を提供する。 - 特許庁

To provide the growth method of a nitride semiconductor layer which is capable of reducing a pit-type crystalline defect on the surface of a nitride semiconductor layer formed on a substrate whereby capable of obtaining a high-quality nitride semiconductor layer reduced in defects across the whole surface of the substrate.例文帳に追加

基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets.例文帳に追加

気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 - 特許庁