plane vertical electrodeとは 意味・読み方・使い方

A Z-coordinate of the plane part is calculated as a positioning reference point by bringing a probe 6 into contact with the plane part of the convex part in order to acquire a vertical reference position in the machining electrode 5.例文帳に追加

加工電極５における垂直方向の基準位置を取得するために、測定子６を凸部の平面部に接触させ、平面部のＺ座標を位置出しの基準点として算出する。 - 特許庁

Besides, a first electrode 39 formed into plane is provided on the base of the ball entrance chamber 25, and a second electrode 42 formed into vertical plane is provided on a partition wall 40 separating the ball entrance chamber 25 and the driving chamber 27.例文帳に追加

また、入球室２５の底面には、平面状に形成された第１の電極３９が設けられ、入球室２５と駆動室２７とを画成する隔壁４０には、垂直な平面状に形成された第２の電極４２が設けられている。 - 特許庁

The jaws have outlines, which aim at cooperating together with the forms of the angles of the electrode, like a technique of closing of the jaws, in which the electrode is brought to a nominal position of the electrode in the perpendicular plane to the vertical axis.例文帳に追加

あごは、電極が縦軸に対して垂直な平面での電極の名目上の位置にもたらされる、あごの閉鎖の手法のように、あごが電極の角の形状と協働することを目的とする輪郭を有する。 - 特許庁

Also, each wiring is deposited in the form of a plane vertical to the piezoelectric-element layers and the electrode layers, and is so formed as to make linear its contacting portion with the electrode layers.例文帳に追加

また、前記配線を前記圧電体層及び電極層と垂直な平面として前記電極層との接触部が直線状となるように形成することにより前記課題を解決する。 - 特許庁

When viewed from a direction vertical to the first principal plane of the substrate 10, an outline where the insulation film 35 is in contact with the substrate 10 is larger than that of the internal electrode 32.例文帳に追加

基板１０の第１の主面に対して垂直な方向から見たとき、絶縁膜３５と基板１０が接する外形は、内部電極３２の外形より大きい。 - 特許庁

When the plane shapes of an underlaid film 34, a deposited electrode 35, and a plated electrode 36 are formed into octangular shapes, the lengths of the linear portions w1, w2, w3 vertical to a ridge portion 41 are reduced.例文帳に追加

下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６の平面形状を八角形に形成した場合、リッジ部４１に垂直方向の直線部分ｗ１、ｗ２、ｗ３の長さが減少する。 - 特許庁

The first control gate electrode CG1, the first interpoly insulation film IPD1, the floating gate electrodes FG, the second interpoly insulation film IPD2 and the second control gate electrode CG2 are stacked in the direction vertical to the main plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１コントロールゲート電極ＣＧ１、第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１、フローティングゲート電極ＦＧ、第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２、および第２コントロールゲート電極ＣＧ２は、半導体基板の主平面に対して垂直方向に積層されている。 - 特許庁

A porous semiconductor crystalline layer 13 formed as a columnar crystalline structure in which a semiconductor crystal is grown in the vertical direction to the substrate plane from the anode side transparent electrode layer 12 is formed in the anode side transparent electrode layer 12.例文帳に追加

アノード側透明電極層１２には、半導体結晶がアノード側透明電極層１２から基板平面に対して垂直方向に成長した柱状結晶組織として形成された多孔質の半導体結晶層１３が形成されている。 - 特許庁