plasma positionとは 意味・読み方・使い方

PLASMA ION SOURCE MASS SPECTROSCOPE AND ION SOURCE POSITION ADJUSTING METHOD例文帳に追加

プラズマイオン源質量分析装置及びイオン源位置調整方法 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a device in which the plasma is suppressed except in the intended position and in which precision is superior.例文帳に追加

意図した部位以外でのプラズマを抑制し、精度のよいプラズマ処理方法および装置を提供すること。 - 特許庁

The output of plasma arc is changed in the order of the position of a plasma torch 6, a plasma current value, and a plasma gas flow rate value, thus allowing even an inexperienced person to perform a stable operation.例文帳に追加

プラズマアークの出力を、プラズマトーチ６の位置、プラズマ電流値、プラズマガス流量値の順で変化させることにより、未熟練者でも安定した運転をすることができる。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 comprises: a plasma processing chamber 11; a plasma generating chamber 12 connected to the plasma processing chamber 11; a high-frequency antenna 16 for generating plasma; a plasma controlling plate 17 for controlling the electronic energy in the plasma; and an operation bar 171 and a moving mechanism 172 for adjusting the position of the plasma controlling plate 17.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。 - 特許庁

When the plasma arc electrode 11 is lowered at the position with the same height as or lower than the upper surface of the cast slab H, the plasma arc P is shifted to the cast slab H from the plasma electrode 11.例文帳に追加

プラズマアーク電極１１が鋳片Ｈの上面と同じ高さあるいは低い位置まで下降したとき、プラズマアークＰはプラズマ電極１１から鋳片Ｈに移行する。 - 特許庁

A plasma source provided at a position opposite to a board W is divided into a plurality of plasma source units 11 that can be independently controlled.例文帳に追加

基板Ｗと対向する位置に設けたプラズマ源を、個別に制御可能な複数のプラズマ源ユニット１１に分割する。 - 特許庁

To conduct monitoring at the position of a substrate which is an object to be treated in a plasma treatment apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置で、加工対象である基板の位置におけるモニタを行う。 - 特許庁

To provide a plasma processor which prevents plasma from becoming incapable of being equalized due to the change of density of distributed electrons in the position above or below the plasma generated within a container, in a plasma processor which performs deposition.例文帳に追加

成膜などを行うプラズマ処理装置において、容器内で発生するプラズマの上下位置での分布電子密度が変化して均一処理ができなくなるのを防止したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁