polysilicon sidewallとは 意味・読み方・使い方

Next, after a sidewall of an N-type polysilicon film is formed on the sidewall on a recessed portion, the Si_3N_4 film is etched to form an emitter opening.例文帳に追加

次に凹部の側壁にＮ型ポリＳｉ膜のサイドウォールを形成後、Ｓｉ_3Ｎ_4膜をエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

The relationship between a polysilicon occupation factor of an occupied area ratio on a semiconductor substrate by a polysilicon film operated as a mask layer and a sidewall width (a width of a sidewall insulating film retained at the sidewall of a wiring) for a plurality of types of LSIs is previously obtained.例文帳に追加

複数品種のＬＳＩについて予め、マスク層としてはたらくポリシリコン膜が半導体基板上に占める面積割合であるポリシリコン占有率とサイドウォール幅（配線の側壁に残す側壁絶縁膜の膜幅）との関係を求める。 - 特許庁

The polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17, a polysilicon layer 19, sidewall insulating layers 25a and 25b, and field oxide layers 27a and 27b are polished by the CMP.例文帳に追加

次に、ＣＭＰにより、ポリシリコン層（アモルファスシリコン層）１７、ポリシリコン層１９、サイドウォール絶縁層２５ａ、２５ｂおよびフィールド酸化層２７ａ、２７ｂを研磨する。 - 特許庁

A polysilicon layer 15 is formed on the gate oxide film 14 while the polysilicon layer 15 has only a specific thickness and at the same time forms the sidewall of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜１４上において所定の厚みを有しかつゲート電極の側壁を形成するようにポリシリコン層１５が形成されている。 - 特許庁

Polysilicon film 29 that becomes a gate electrode 24 and a sidewall 26 of polysilicon, which becomes a diffusion region, are formed by one pattern as a plurality of FETs.例文帳に追加

ゲート電極２４となるポリシリコン膜２９と拡散領域となるポリシリコンのサイドウォール２６とを、複数のＦＥＴ分として一つのパターンで形成する。 - 特許庁

On a gate insulated film 2, a polysilicon sidewall 5, which has high adhesive strength to the gate insulating film 2, is provided.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２上に、ゲート絶縁膜２との接着力が強いポリシリコンサイドウォール５を配置する。 - 特許庁

A polysilicon sidewall 5 with a strong adhesive force to a gate insulating film 2 is arranged on the gate insulating film 2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２上に、ゲート絶縁膜２との接着力が強いポリシリコンサイドウォール５を配置する。 - 特許庁

The conductive sidewall 42 is composed of a lean-doped polysilicon the same as the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

導電性サイドウォール４２は、拡散層取り出し電極２２と同じように、リンドープトポリシリコンで形成されている。 - 特許庁