polysilicon sidewallとは 意味・読み方・使い方

The relationship between a polysilicon occupation factor of an occupied area ratio on a semiconductor substrate by a polysilicon film operated as a mask layer and a sidewall width (a width of a sidewall insulating film retained at the sidewall of a wiring) for a plurality of types of LSIs is previously obtained.例文帳に追加

複数品種のＬＳＩについて予め、マスク層としてはたらくポリシリコン膜が半導体基板上に占める面積割合であるポリシリコン占有率とサイドウォール幅（配線の側壁に残す側壁絶縁膜の膜幅）との関係を求める。 - 特許庁

Before forming an emitter polysilicon 15, sidewall insulating films are formed at an opening at the upper part of an emitter formation area, resist is embedded in between the sidewall insulating films, and the upper parts of the sidewall insulating films are etching-removed to lower the heights of the sidewall insulating films.例文帳に追加

エミッタポリシリコン１５を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。 - 特許庁

A polysilicon sidewall 5 makes tight contact with the tungsten nitride 6b on the side of the tungsten 6c.例文帳に追加

タングステン６ｃの側面にある窒化タングステン６ｂにはポリシリコンサイドウォール５を密着させる。 - 特許庁

Thereafter, polysilicon is deposited on the overall surface, and a spacer and a polyresistor are formed simultaneously on a gate electrode sidewall through anisotropically etching.例文帳に追加

その後、全面にポリシリコンを堆積させ、異方性エッチングによりゲート電極側壁にスペーサ、及びポリ抵抗を同時に形成することとした。 - 特許庁

The lower electrode bottom part, the lower electrode sidewall part and the roughened electrode film are composed of polysilicon.例文帳に追加

また、下部電極底部、下部電極側壁部及び上述の粗面状電極膜は、ポリシリコンによって形成されている。 - 特許庁

An insulating film sidewall is formed on a conductive member composed of a polysilicon layer formed on a semiconductor wafer (step 1).例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成されたポリシリコン層でなる導電部材に絶縁膜サイドウォールを形成する（ステップ１）。 - 特許庁

Here, the polysilicon film remains like a side-wall on the sidewall of the portion of the source interconnect layer protruding from the upper end of the trench.例文帳に追加

このとき、ソース配線層のトレンチの上端よりも上に突出した部分の側壁には、ポリシリコン膜がサイドウォール状に残る。 - 特許庁

A second polysilicon layer 24 on the dielectric film 20 is etched to form a sidewall spacer 24 on a gate 22 of the transistor.例文帳に追加

誘電膜２０上の第２のポリシリコン層２４は、トランジスタのゲート２２上に側壁スペーサ２４を形成するためにエッチングされる。 - 特許庁