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polysilicon sidewallとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 ポリシリコン側壁


JST科学技術用語日英対訳辞書での「polysilicon sidewall」の意味

polysilicon sidewall


「polysilicon sidewall」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 57



例文

A polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17a is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25a.例文帳に追加

ポリシリコン層(アモルファスシリコン層)17aは、サイドウォール絶縁層25aにより、ポリシリコン層19と分離される。 - 特許庁

In addition, a polysilicon layer 17b (amorphous silicon layer) is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25b.例文帳に追加

また、ポリシリコン層(アモルファスシリコン層)17bは、サイドウォール絶縁層25bにより、ポリシリコン層19と分離される。 - 特許庁

(e) and (f): A polysilicon film 18 is accumulated and then it is etched to form a polysilicon sidewall film 18a in the trench 16.例文帳に追加

(e)(f)ポリシリコン膜18を堆積した後にエッチングして、トレンチ16にポリシリコン側壁膜18aを形成する。 - 特許庁

Next, after a sidewall of an N-type polysilicon film is formed on the sidewall on a recessed portion, the Si_3N_4 film is etched to form an emitter opening.例文帳に追加

次に凹部の側壁にN型ポリSi膜のサイドウォールを形成後、Si_3N_4膜をエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

Then, the polysilicon film 29 and the sidewall 26 of polysilicon are isolated by anisotropic etching in the shapes of the gate electrode 24 and the sidewall 26.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜29およびポリシリコンのサイドウォール26を、ゲート電極24およびサイドウォール26の形状に異方性エッチングによって分離する。 - 特許庁

Thus, a polysilicon sidewall 114 formed in a side part of a polysilicon film 112 is formed at the sometime in a sidewall of the auxiliary hole 120.例文帳に追加

これにより,ポリシリコン膜112(図4)の側部に形成されるポリシリコンサイドウォール114(図4)は,同時に予備孔120の側壁にも形成されることとなる。 - 特許庁

例文

The width of the sidewall corresponding to the occupied area ratio of the polysilicon of the LSI intended to be manufactured is obtained from the relationship between the occupied area ratio of the polysilicon and the width of the sidewall.例文帳に追加

製造しようとするLSIのポリシリコン占有率に相応するサイドウォール幅を、前記ポリシリコン占有率とサイドウォール幅との関係から求める。 - 特許庁

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「polysilicon sidewall」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 57



例文

The relationship between a polysilicon occupation factor of an occupied area ratio on a semiconductor substrate by a polysilicon film operated as a mask layer and a sidewall width (a width of a sidewall insulating film retained at the sidewall of a wiring) for a plurality of types of LSIs is previously obtained.例文帳に追加

複数品種のLSIについて予め、マスク層としてはたらくポリシリコン膜が半導体基板上に占める面積割合であるポリシリコン占有率とサイドウォール幅(配線の側壁に残す側壁絶縁膜の膜幅)との関係を求める。 - 特許庁

Before forming an emitter polysilicon 15, sidewall insulating films are formed at an opening at the upper part of an emitter formation area, resist is embedded in between the sidewall insulating films, and the upper parts of the sidewall insulating films are etching-removed to lower the heights of the sidewall insulating films.例文帳に追加

エミッタポリシリコン15を形成する前には、エミッタ形成領域上部の開口に側壁絶縁膜が形成されており、側壁絶縁膜間にレジストを埋め込んで、側壁絶縁膜の上部をエッチング除去し、側壁絶縁膜の高さを低くする。 - 特許庁

A polysilicon sidewall 5 makes tight contact with the tungsten nitride 6b on the side of the tungsten 6c.例文帳に追加

タングステン6cの側面にある窒化タングステン6bにはポリシリコンサイドウォール5を密着させる。 - 特許庁

Thereafter, polysilicon is deposited on the overall surface, and a spacer and a polyresistor are formed simultaneously on a gate electrode sidewall through anisotropically etching.例文帳に追加

その後、全面にポリシリコンを堆積させ、異方性エッチングによりゲート電極側壁にスペーサ、及びポリ抵抗を同時に形成することとした。 - 特許庁

The lower electrode bottom part, the lower electrode sidewall part and the roughened electrode film are composed of polysilicon.例文帳に追加

また、下部電極底部、下部電極側壁部及び上述の粗面状電極膜は、ポリシリコンによって形成されている。 - 特許庁

An insulating film sidewall is formed on a conductive member composed of a polysilicon layer formed on a semiconductor wafer (step 1).例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成されたポリシリコン層でなる導電部材に絶縁膜サイドウォールを形成する(ステップ1)。 - 特許庁

Here, the polysilicon film remains like a side-wall on the sidewall of the portion of the source interconnect layer protruding from the upper end of the trench.例文帳に追加

このとき、ソース配線層のトレンチの上端よりも上に突出した部分の側壁には、ポリシリコン膜がサイドウォール状に残る。 - 特許庁

例文

A second polysilicon layer 24 on the dielectric film 20 is etched to form a sidewall spacer 24 on a gate 22 of the transistor.例文帳に追加

誘電膜20上の第2のポリシリコン層24は、トランジスタのゲート22上に側壁スペーサ24を形成するためにエッチングされる。 - 特許庁

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「polysilicon sidewall」の意味に関連した用語
1
ポリシリコン側壁 JST科学技術用語日英対訳辞書

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