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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 和英図学用語 > principal reference planeの意味・解説 

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和英図学用語辞書での「principal reference plane」の意味

principal reference plane


「principal reference plane」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 19



例文

The reference axis Ax extends in a direction of the normal of the principal plane 13a.例文帳に追加

基準軸Axは主面13aの法線方向に延在する。 - 特許庁

A first conductivity type buffer layer 15 is formed on the principal plane 13a of the semiconductor region 13, and the principal plane 13a forms an angle of 10° or more relative to the reference plane RC.例文帳に追加

第1導電型バッファ層15は半導体領域13の主面13a上に設けられ、この主面13aは基準面RCに対して10度以上の角度を成す。 - 特許庁

A reference electrode 36 is formed by facing the detecting electrodes 28, 30 with the driving electrodes 32, 34 on another principal plane of the vibration material 22.例文帳に追加

振動体22の他方主面上に検出用電極28,30および駆動用電極32,34と対向させて基準電極36を形成する。 - 特許庁

A principal plane 13a of a support 13 is at an angle ALPHA which is at least 40° and not more than 140° relative to a reference plane Sc, and the reference plane Sc is orthogonal to a reference axis Cx extending in a c-axis direction of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

支持体13の主面13aは、基準平面Scに対して40度以上140度以下の角度ALPHAを成しており、基準平面Scは該III族窒化物半導体のc軸の方向に延びる基準軸Cxに直交する。 - 特許庁

A principal plane 13a of a support substrate 13 constituted of the group III nitride semiconductor extends along a reference plane R_SUB orthogonal to a reference axis Ax inclined at a predetermined angle ALPHA relative to a c-axis of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる支持基体13の主面13aは、該III族窒化物半導体のc軸に対して所定の角度ALPHAで傾斜した基準軸Axに直交する基準平面R_SUBに沿って延在する。 - 特許庁

The method for manufacturing the inkjet recording head has a process of measuring a height of a principal plane of the head substrate at least on three measuring points (S101), and a process of setting a reference plane that passes two points on the principal plane of the measuring points (S103).例文帳に追加

本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、ヘッド基板の主面の高さを少なくとも3つの測定点で測定する工程(S101)と、測定点のうち、主面上の2点を通る基準面を設定する工程(S103)とを有する。 - 特許庁

例文

To provide an optical communication module having such a structure that a lead plane and a principal plane of the mounting substrate can be aligned with respect to a common reference plane.例文帳に追加

リード面の位置と搭載基板の主面とが共通の基準面に関して位置合わせ可能な構造を有する光通信モジュールを提供する。 - 特許庁

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「principal reference plane」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 19



例文

The principal surface 55a of the substrate 55 forms an angle larger than 61 degrees with reference to a reference plane perpendicular to a reference axis VC55 extending in a c-axis direction of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

基板55の主面55aは、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸VC55に直交する基準平面を基準にして61度より大きい角度を成す。 - 特許庁

The principal surface 13a of the semiconductor region 13 is inclined at an angle α relative to a flat plane Sc orthogonal to a reference axis Cx of the [0001] axis of the principal surface 13a.例文帳に追加

半導体領域13の主面13aは、該主面13aにおける[0001]軸方向の基準軸Cxに直交する平面Scに対して角度αで傾斜する。 - 特許庁

A principal surface 13a of the group-III nitride semiconductor support 13 shows non-polarity inclined to a reference plane Sc orthogonal to a reference axis Cx, which in turn extends along a (c) axis of a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

III族窒化物半導体支持体13の主面13aは、基準軸Cxに直交する基準平面Scに対して傾斜する非極性を示しており、基準軸CxはIII族窒化物半導体のc軸方向に延びる。 - 特許庁

The forming of the data structure having the multiple Z-plane images includes a step of automatically focusing at a principal reference focal plane, a step of capturing and digitizing an optically magnified reference Z-image, and a step of shifting the specimen 31 relative to the lens system 15 by a predetermined increment to capture and digitize another Z-plane image.例文帳に追加

複数のZ平面画像を有するデータ構造の形成には、主基準焦点面に自動的に焦点を合わせるステップ、光学的に拡大された基準Z画像を捕獲し、かつ、ディジタル化するステップ、および他のZ平面画像を捕獲し、かつ、ディジタル化するために、標本31を所定の増分だけレンズ系15に対してシフトさせるステップが含まれている。 - 特許庁

The formation of the data structure having the multiple Z-plane images preferably includes automatically focusing at a principal reference focal plane and capturing and digitizing an optically magnified reference Z-image and then shifting the specimen 31 relative to the lens system 15 by a predetermined increment to capture and digitize another Z-plane image.例文帳に追加

複数のZ平面画像を有するデータ構造の形成には、主基準焦点面に自動的に焦点を合わせるステップ、光学的に拡大された基準Z画像を捕獲し、かつ、ディジタル化するステップ、および他のZ平面画像を捕獲し、かつ、ディジタル化するために、標本31を所定の増分だけレンズ系15に対してシフトさせるステップが含まれている。 - 特許庁

The forming of the data structure having the multiple Z-plane images preferably includes automatically focusing at a principal reference focal plane and capturing and digitizing an optically magnified reference Z-image and then shifting the specimen (31) relative to the lens system (15) by a predetermined increment to capture and digitize another Z-plane image.例文帳に追加

複数のZ平面画像を有するデータ構造の形成には、主基準焦点面に自動的に焦点を合わせるステップ、光学的に拡大された基準Z画像を捕獲し、かつ、ディジタル化するステップ、および他のZ平面画像を捕獲し、かつ、ディジタル化するために、標本31を所定の増分だけレンズ系15に対してシフトさせるステップが含まれている。 - 特許庁

The dielectric multilayer film is formed by arranging the substrate such that its horizontal reference plane is inclined by a prescribed tilt angle ϕ from a horizontal direction H, making dielectric material incident along a fixed entrance direction by vacuum vapor deposition, and laminating and depositing it on the principal plane of the substrate.例文帳に追加

誘電体多層膜は、基板をその水平基準面が水平方向Hから所定のチルト角φ傾くように配置して、誘電体材料を真空蒸着により一定の入射方向に沿って入射させ、基板主面に積層成膜させて形成する。 - 特許庁

例文

The principal surface 17a is inclining in the direction of the m-axis of a hexagonal nitride semiconductor at an angle of ALPHA in the range of 63 degree or more and less than 80 degree with reference to a plane orthogonal to a reference axis Cx extending in the direction of the c-axis of the hexagonal nitride semiconductor.例文帳に追加

この主面17aは、六方晶系窒化物半導体のc軸の方向に延在する基準軸Cxに直交する面を基準に63度以上80度未満の範囲の角度ALPHAで六方晶系窒化物半導体のm軸の方向に傾斜している。 - 特許庁

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