FORMATION OF QUANTUM DOTS, QUANTUM DOT STRUCTURE FORMED THEREBY AND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT LASER例文帳に追加

量子ドットの作製方法並びに該方法により作製された量子ドット構造及び半導体量子ドットレーザ - 特許庁

QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL AMPLIFICATION ELEMENT, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL RELAY AND OPTICAL RECEIVER USING THE QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

量子ドット半導体素子及び該製造方法並びに量子ドット半導体素子を用いた量子ドット半導体レーザ、光増幅素子、光電変換素子、光送信機、光中継機及び光受信機 - 特許庁

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL SWITCH, SEMICONDUCTOR LASER, AND PHOTODETECTOR例文帳に追加

半導体量子ドット素子、その製造方法、光スイッチ、半導体レーザ、および光検出器 - 特許庁

The quantum dot semiconductor laser comprises a semiconductor substrate, an active layer 6 having a quantum dot 24 such that a TM mode gain of base level is larger than a TE mode gain and a semiconductor layer 21 which is formed connecting with the quantum dot 24 and made of a semiconductor material having the same substance and composition with the quantum dot 24, and a diffraction grating.例文帳に追加

量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるＴＭモード利得がＴＥモード利得よりも大きい量子ドット２４と、量子ドット２４に連なるように形成され、量子ドット２４と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層２１とを有する活性層６と、回折格子とを備えるものとする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMBER HAVING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT, SEMICONDUCTOR LASER, AND OPTICAL MODULE例文帳に追加

半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール - 特許庁

To provide a semiconductor laser that enhances light confinement and allows a beam shape to be approximated to a circular shape, in a quantum dot laser.例文帳に追加

量子ドットレーザにおいて、光閉込を強くし、かつビーム形状を円形に近づけることが可能な半導体レーザを提供すること。 - 特許庁

The active layer 4 of the semiconductor laser device is formed of a quantum dot layer 100 and a barrier layer 101.例文帳に追加

このような半導体レーザ装置の記活性層４は、量子ドット層１００とバリア層１０１により形成されている。 - 特許庁

To achieve a quantum dot semiconductor laser which has superior single mode property and a narrow spectrum line width.例文帳に追加

量子ドット半導体レーザにおいて、単一モード性に優れ、スペクトル線幅の狭い半導体レーザを実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device applied to a quantum dot laser element capable of improving a temperature characteristic.例文帳に追加

温度特性の向上を図ることが可能な量子ドットレーザ素子に適用される半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser is connected to an APC drive circuit and light detected by the quantum dot film 9 is monitored so that a bias current which is input to the semiconductor laser is feedback-controlled.例文帳に追加

これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having semiconductor structure obtained by multilayering semiconductor microcrystal of a quantum dot to have a high quality, and to provide a laser module and a manufacturing method of the optical semiconductor device.例文帳に追加

量子ドットなどの半導体微結晶を高品質に多層化した半導体構造をもつ光半導体装置、レーザモジュールおよび光半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To materialize an optical semiconductor element which can control an induced emission characteristic in response to a particle size of a ZnO quantum dot (ZnO ultrafine particle), and is applicable to various laser devices.例文帳に追加

ＺｎＯ量子ドット（ＺｎＯ超微粒子）の粒子径に応じて誘導放出特性を制御することができ、種々のレーザ装置に応用可能な光半導体素子を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser and a manufacturing method thereof for acquiring high-speed modulating operation and higher reliability even when a p-type doped quantum dot active layer is used.例文帳に追加

ｐ型ドープの量子ドット活性層を用いても高速変調動作及び高い信頼性を確保することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁