radical 108とは 意味・読み方・使い方

The method of manufacturing a semiconductor memory device includes steps of: forming a floating gate electrode FG above a semiconductor substrate 101; forming an electrode-to-electrode insulating film 108 above the floating gate electrode FG; forming a radical nitride film 109 on the surface of the insulating film 108 through radical nitriding; and forming a control gate electrode CG on the radical nitride film 109.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板１０１の上方に浮遊ゲート電極ＦＧを形成する工程と、この浮遊ゲート電極ＦＧの上方に電極間絶縁膜１０８を形成する工程と、ラジカル窒化により、電極間絶縁膜１０８の表面にラジカル窒化膜１０９を形成する工程と、このラジカル窒化膜１０９上に制御ゲート電極ＣＧを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

A treatment chamber 101 is a chamber performing radical treatment on the surface of a processed substrate 102 of semiconductor, or the like, and a gas introduction means 105 is provided between a region 111 where radicals are generated by a radical generating means 108 and a means 103 for supporting the processed substrate.例文帳に追加

処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。 - 特許庁

The organic radical compound as the active material is a nitroxyl compound which has an N-oxoammonium cation partial structure in an oxidization state and a nitroxyl radical partial structure in a reduction state, and the electrode has a plurality of holes 108 in an electrode active material layer 101 formed on a collector 102.例文帳に追加

活物質としての有機ラジカル化合物は、酸化状態においてＮーオキソーアンモニウムカチオン部分構造をとり、還元状態においてニトロキシルラジカル部分構造をとるニトロキシル化合物であり、集電体１０２上に形成された電極活物質層１０１中に複数の孔１０８を有する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element 100 having a semiconductor electrode 108 including a semiconductor layer 103 and pigment, an electrode couple 109, and an electrolyte layer 104 arranged between the semiconductor electrode 108 and the electrode couple 109, a cyclic nitroxyl radical compound and oxammonium salt are included in the electrolyte layer 104.例文帳に追加

半導体層１０３および色素を含む半導体電極１０８、対電極１０９ならびに半導体電極１０８と対電極１０９との間に設けられた電解質層１０４を有する光電変換素子１００であって、電解質層１０４中に環状ニトロキシルラジカル化合物とオキソアンモニウム塩を有する。 - 特許庁

This device is provided with a chamber 100 for introducing a wafer, radical source 102 capable of supplying radicals into the chamber 100, beam source 104 capable of supplying ion beams or plasmas into the chamber 100, wafer stage 106 capable of supporting and fixing the wafer led into the chamber 100 and neutralizer 108 capable of neutralizing electric charges inside the chamber 100 ionized by the ion beams, plasmas or radicals.例文帳に追加

ウエハが導入されるチャンバ１００と、チャンバ１００内にラジカルを供給できるラジカルソース１０２と、チャンバ１００内にイオンビームまたはプラズマを供給できるビームソース１０４と、チャンバ１００内に導入されるウエハを支持して固定できるウエハステージ１０６及び前記イオンビーム、プラズマまたはラジカルによりイオン化されたチャンバ１００内の電荷を中和できる中和器１０８を含む。 - 特許庁