random loadingとは 意味・読み方・使い方

The transporter makes random access to the plurality of carriers in the loading bay.例文帳に追加

搬送装置は、ローディングベイにおける複数のキャリアにランダムにアクセスする。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR LOADING DIRECTLY DATA ON BIT LINES IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリにおけるビット線上へ直接ロードする方法及び装置 - 特許庁

After performing a strip operation, the object is considered to have its entries in a ``random'' order, as it was just after objectinitialization and loading.例文帳に追加

パス情報除去の操作後、オブジェクトが保持するデータエントリは、オブジェクトの初期化、ロード直後と同じように``ランダムに''並んでいます。 - Python

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁

Shiftable memory areas 101, 102, and 103 are provided and connected to a pseudo-random number generator 107 and a signature analyzer 108 to perform loading and unloading operations instead of scan chains 104, 105, and 106.例文帳に追加

シフト可能なメモリ領域１０１，１０２，１０３を設け、このメモリ領域を疑似乱数発生器１０７、シグネチャ解析器１０８に接続し、スキャンチェイン１０４，１０５，１０６に代ってロード・アンロード動作を実行させる。 - 特許庁

To especially ensure capacitance of a capacitor and easily form a contact which is formed on a portion except a capacitor forming part, concerning a semiconductor device having the capacitor of concave structure in a DRAM (dynamic random access memory) mixed loading device etc.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部混載デバイスなどにおけるコンケーブ構造のキャパシタを有する半導体装置に関し、特にキャパシタの容量を確保するとともに、キャパシタ形成部以外の箇所に形成されるコンタクト部の形成を容易行うものである。 - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁