reflected ionsとは 意味・読み方・使い方

The transmitting portion is composed of such a material as transmitting observation light reflected from an alignment pattern formed on the substrate and from a mark region including peripheral substrates to enter observation equipment, and intercepting ions.例文帳に追加

透過部は、基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つイオンを遮断する材質から構成される。 - 特許庁

The fiber gratings 4a and 4b enable spontaneously emitted light, which is not used for re-exciting erbium ions not to be emitted as an output light but is reflected towards the wavelength division multiplexing couplers 2a and 2b respectively and made incident on the erbium-doped fiber 1 again.例文帳に追加

ファイバグレーティング４ａ，４ｂはエルビウムイオンの再励起に使われなかった自然放出光を出力光として出力させずに、それぞれ波長分割多重カプラ２ａ，２ｂ側へと反射し、再度エルビウム添加ファイバ１内に入射させている。 - 特許庁

Metastable parent ions which spontaneously fragment by Post Source Decay whilst passing through the field free or drift region 5 are arranged to enter the ion mirror 7, and reflected by the reflectron towards an ion detector 8 when the reflectron is maintained at a certain voltage.例文帳に追加

ポストソース分解により自然に分解し、フィールドフリー又はドリフト領域５を通り抜ける準安定親イオンは、イオンミラー７に入るよう準備され、リフレクトロンがある一定の電圧で保たれているとき、リフレクトロンでイオン検出器８に向かって反射される。 - 特許庁

The ion injection device injecting impure ions into a silicon wafer 2 has a platen 1 supporting the wafer 2, a goniometer moving the platen 1, an X-ray irradiation mechanism 3 irradiating X-rays to the wafer 2 supported by the platen 1, and a scintillation counter 6 detecting a reflected X-ray 5 which is an X-ray 4 irradiated from the mechanism 3 and reflected from the wafer 2.例文帳に追加

本発明に係るイオン注入装置は、シリコンウェーハ２に不純物イオンを注入する装置において、前記ウェーハ２を保持するプラテン１と、プラテン１を動かすゴニオメータと、プラテン１に保持された前記ウェーハ２にＸ線を照射するＸ線照射機構３と、機構３によって照射されたＸ線４が前記ウェーハ２で反射する反射Ｘ線５を検出するシンチュレーションカウンター６と、を具備する。 - 特許庁

The dimensional conversion difference of the etching pattern corresponding to the resist pattern 13 is adjusted within a prescribed range by generating the plasma by adjusting the ratio of the mixed gas and by varying the vertical etching rate of the polycrystalline silicon layer 12 to be reflected in the control of the duration of isotropic etching using the fluorine radical by changing the etching rate by controlling the bias power which accelerates bromine ions to the wafer 10 side.例文帳に追加

この混合ガスの比率を調整しつつプラズマ化し、少なくとも臭素イオンをウェハ側へと加速するバイアスパワーを制御して多結晶シリコン層１２の垂直方向のエッチング速度を変化させることにより、フッ素ラジカルによる等方性エッチング時間の制御に反映させ、レジストパターン１３に応じたエッチングパターンの寸法変換差を所定範囲で調整する。 - 特許庁