reverse blocking currentとは 意味・読み方・使い方

A series circuit of a constant-voltage diode, and a reverse current blocking diode is employed in place of the semiconductor switch 11.例文帳に追加

半導体スイッチ１１に代えて、定電圧ダイオードと逆流阻止用ダイオードの直列回路としたことを含む。 - 特許庁

The breaking function of the short circuit current is incorporated while holding the function of the conventional clamp diode by using the reverse blocking type switching elements.例文帳に追加

逆阻止型スイッチング素子を用いることにより、従来のクランプダイオードの機能を保有しつゝ短絡電流の遮断機能を持たせる。 - 特許庁

A reverse-flow blocking diode 50 for preventing a reverse current from flowing is arranged between an ignition terminal 30 and an anode (the positive-electrode side) of each light-emitting diode 41A-41C.例文帳に追加

イグニッション端子３０と各発光ダイオード４１Ａ〜４１Ｃのアノード（陽極側）との間には、逆方向電流が流れることを防止するための逆流阻止ダイオード５０が配されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which possesses reverse blocking characteristics and achieves a normally-off characteristic, on-state resistance, and the suppression of off-state current.例文帳に追加

本発明は、逆阻止特性を有し、かつノーマリオフ特性、オン抵抗とオフ電流の抑制を実現する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a normal operation, a DC power generated by solar cell strings 11 to 1n is outputted to an inverter 61 through reverse current blocking diodes 21 to 2n.例文帳に追加

通常の運転は、太陽電池のストリング１１〜１ｎで発電された直流電力は、逆流防止ダイオード２１〜２ｎを経てインバータ６１に出力される。 - 特許庁

When line voltages exceed the magnitude of the bias voltage, each blocking diodes 82a, 82b prevent a current from flowing through the bias voltage source 48 in a reverse direction.例文帳に追加

線間電圧がこのバイアス電圧の大きさを超えると、ブロッキング・ダイオード８２ａ，８２ｂが、電流がバイアス電圧源４８を逆方向に流れるのを阻止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high.例文帳に追加

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁