「reverse blocking current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The power consumption is reduced in comparison with the blocking case of the reverse current in general-purpose diodes.例文帳に追加

一般的なダイオードによって上記逆流を阻止する場合に比べ、消費電力が低減される。 - 特許庁

In the power controller for manipulating power by turning on/off a reverse blocking IGBT 5 for increasing a reverse blocking current in response to the temperature rise, the gate voltage of the reverse blocking IGBT 5 is controlled by gate driving circuits 1, 2 as follows.例文帳に追加

温度上昇に応じて逆阻止電流が増加する逆阻止ＩＧＢＴ５をオンオフさせて電力を操作する電力制御装置において、ゲート駆動回路１及び２により、逆阻止ＩＧＢＴ５のゲート電圧を次のように制御する。 - 特許庁

A series circuit of a constant-voltage diode, and a reverse current blocking diode is employed in place of the semiconductor switch 11.例文帳に追加

半導体スイッチ１１に代えて、定電圧ダイオードと逆流阻止用ダイオードの直列回路としたことを含む。 - 特許庁

The breaking function of the short circuit current is incorporated while holding the function of the conventional clamp diode by using the reverse blocking type switching elements.例文帳に追加

逆阻止型スイッチング素子を用いることにより、従来のクランプダイオードの機能を保有しつゝ短絡電流の遮断機能を持たせる。 - 特許庁

A reverse-flow blocking diode 50 for preventing a reverse current from flowing is arranged between an ignition terminal 30 and an anode (the positive-electrode side) of each light-emitting diode 41A-41C.例文帳に追加

イグニッション端子３０と各発光ダイオード４１Ａ〜４１Ｃのアノード（陽極側）との間には、逆方向電流が流れることを防止するための逆流阻止ダイオード５０が配されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which possesses reverse blocking characteristics and achieves a normally-off characteristic, on-state resistance, and the suppression of off-state current.例文帳に追加

本発明は、逆阻止特性を有し、かつノーマリオフ特性、オン抵抗とオフ電流の抑制を実現する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a normal operation, a DC power generated by solar cell strings 11 to 1n is outputted to an inverter 61 through reverse current blocking diodes 21 to 2n.例文帳に追加

通常の運転は、太陽電池のストリング１１〜１ｎで発電された直流電力は、逆流防止ダイオード２１〜２ｎを経てインバータ６１に出力される。 - 特許庁

When line voltages exceed the magnitude of the bias voltage, each blocking diodes 82a, 82b prevent a current from flowing through the bias voltage source 48 in a reverse direction.例文帳に追加

線間電圧がこのバイアス電圧の大きさを超えると、ブロッキング・ダイオード８２ａ，８２ｂが、電流がバイアス電圧源４８を逆方向に流れるのを阻止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high.例文帳に追加

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13).例文帳に追加

スイッチング装置（１０）は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードＤ３を内蔵する主IGFET（１１）と、保護スイッチ手段（１２）と、保護スイッチ制御手段（１３）とを有する。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード４は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ３がオン状態になるとダイオード４に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ３に直列接続されている。 - 特許庁

A diode 6 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an IGBT5 in an orientation such that a forward current flows to the diode 6 when the IGBT5 is turned on.例文帳に追加

また、ダイオード６は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ５がオン状態になるとダイオード６に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ５に直列接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device or the like capable of surely blocking a current flowing to a transistor when a power source is reversely connected and surely protecting the transistor from the reverse connection of the power source.例文帳に追加

電源が逆接続された場合に、トランジスタに流れる電流を確実に阻止して、電源の逆接続からトランジスタを確実に保護することが可能な半導体装置などの提供。 - 特許庁

A transistor 21 and a diode 22 for blocking reverse current are provided in the power supply line to make the overcurrent detection, and a control circuit 30 detects overcurrent by using the foreword voltage fluctuation across the diode 22.例文帳に追加

トランジスタ２１と逆電流防止用のダイオード２２を電力供給ラインに設けて、このダイオード２２の順電圧の電圧変動を利用して過電流検出制御回路３０で過電流検出を行う。 - 特許庁

This power factor improving power supply circuit once stores surge energy generated at a switch element 3 off time in a capacitor 10 through the forward conduction of a charge storage type diode 9 having a long carrier lifetime, connected in parallel with the switch element 3 by an inductor for reducing the reverse recovery current of the reverse-current blocking diode 6, and returns the surge energy to a load during its reverse conduction period.例文帳に追加

逆流阻止用ダイオード６の逆回復電流を低減するためのインダクタにより、スイッチ素子３のオフ時に発生するサージエネルギーを、スイッチ素子３に並列接続されたキャリアライフタイムの長い電荷蓄積型ダイオード９の順方向導通を通してコンデンサ１０に一旦蓄え、その逆方向導通期間に前記サージエネルギーを負荷に戻すことを特徴とする力率改善型電源回路。 - 特許庁

The secondary cell charging control semiconductor device 1 comprises a charger 5, a diode 2 for blocking reverse current from a secondary cell to the power source VDD or the charger 5, a PNP bipolar transistor 3 for controlling the charging current from the charger 5, and a capacitor 4 for stabilizing the VDD.例文帳に追加

二次電池充電器制御用半導体装置１、充電器５、二次電池から電源ＶＤＤや充電器５への電流逆流を阻止するダイオード２、充電器５からの充電電流を制御するＰＮＰバイポーラトランジスタ３、ＶＤＤを安定化させるキャパシタンス４を有する。 - 特許庁

To provide a power supply circuit capable of reducing an occupied area of an output stage circuit of the power supply circuit and easily blocking a reverse directional current from a capacitor connected in parallel with a load and to provide a mobile electronic apparatus.例文帳に追加

電源回路の出力段回路の占有面積を低減でき、出力端子に負荷と並列に接続されたコンデンサからの電流の逆流を容易に阻止できる電源回路および携帯型電子機器を提供することにある。 - 特許庁

The drain and source of an FET 30 are mutually connected in parallel with the resistor 16 and conductive and blocking operation between the drain and the source is executed by a square pulse Vrf having a horizontal deflection period and supplied to its gate, so that the quantity of a forward direction base current Ib1 and that of the reverse direction base current Ib2 are controlled.例文帳に追加

ＦＥＴ３０は、抵抗１６と並列にドレイン・ソース間が接続され、ゲートに供給される水平偏向周期の方形波パルスＶrfによりドレイン・ソース間の導通,遮断動作を行うことにより、水平出力トランジスタ７の順方向ベース電流Ｉb1の量及び逆方向ベース電流Ｉb２の量を制御する。 - 特許庁

The terminal box for solar cell modules has a pair of terminal boards 20, 20 disposed for connecting electrodes a of a solar cell module M in a box body 11, a reverse current blocking bypass diode 3 provided between both terminal boards and an outer connecting cable P connected to both terminal boards.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

A terminal box for a solar cell module has a pair of terminal boards 20, 20 for connecting the electrodes (a) of a solar cell module M in a box body 11, and a reverse current blocking bypass diode 3 is disposed between both the terminal boards, and outer connecting cables P are connected to both the terminal boards, respectively.例文帳に追加

ボックス本体１１内に、太陽電池モジュールＭの電極ａ接続用の対の端子板２０、２０を配設し、その両端子板間に逆流防止用バイパスダイオード３を設け、両端子板に外部接続用ケーブルＰを接続した太陽電池モジュール用端子ボックスである。 - 特許庁

The provided analog signal buffer is connected between a photoelectric conversion element for conversion to an analog signal and an analog signal processing circuit for converting the analog signal to a digital signal, and is equipped with circuit means for blocking the reverse current from being induced within the analog signal buffer when the output power from the photoelectric conversion element is lowered.例文帳に追加

本発明は、アナログ信号に変換する光電変換素子と、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ信号処理回路との間に接続され、光電変換素子の出力電力の低下時にアナログ信号バッファ内に生じる逆電流を阻止する回路手段と備えるアナログ信号バッファを提供する。 - 特許庁

The plasma generator comprises a plurality of high frequency power sources 28a, 28b for feeding discharging electrodes 23 disposed in a reactor chamber 21 and reverse current blocking circuits 30a, 30b disposed between the discharging electrodes 28a, 28b and the high frequency power sources 28a, 28b for separating reflected powers.例文帳に追加

反応容器２１内に配置された放電用電極２３へ給電を行う複数の高周波電源２８ａ，２８ｂと、前記放電用電極２８ａ，２８ｂと前記高周波電源２８ａ，２８ｂ間に配置された、反射電力を分離処理する逆流防止回路３０ａ，３０ｂとを具備したことを特徴とする高周波プラズマ生成装置。 - 特許庁

When a lithium secondary battery pack having reversed terminal arrangement is connected to a charger, an inverse voltage is not applied to a charging control IC in the charger interior so that the charging control IC does not generate abnormal exothermic heart and the charger is not broken to secure safety by detecting inverse voltage applied and electrically blocking a circuit that flows reverse current coming from the lithium secondary battery pack.例文帳に追加

上記充電装置において、端子配列が逆に配列されているリチウム二次電池パックが接続された場合においても、逆電圧が印加されたことを検出し、リチウム二次電池パックからの逆電流が流れる回路を電気的に遮断することより、充電装置内部の充電制御ＩＣへ逆電圧が印加されることが無く、充電制御ＩＣの異常な発熱も発生せず充電装置は破壊無く、安全を確保することができる。 - 特許庁