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s pilingとは 意味・読み方・使い方
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「s piling」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
A commodity storage column 2 where box-like commodities S are stored in the vertical piling state is arranged in a machine body 1.例文帳に追加
機体１内に、箱状の商品Ｓが上下方向に積載状態で収納される商品収納コラム２を配置する。 - 特許庁
In the bag 1, a main gas passage 7 and an inflation part are formed between both seats 2, 3 by piling seats 2, 3 and joining then with a sewing thread S.例文帳に追加
バッグ１は、シート２，３を重ね合わせ、縫糸Ｓによって結合することにより、両シート２，３の間に主気道７及び膨張部を形成したものである。 - 特許庁
When the image forming operation is finished, the drive of the elevator means 112 is controlled so as to lower the sheet piling means 111, and the sheet S is lowered.例文帳に追加
そして、画像形成動作が終了すると、シート積載手段１１１を下降させるよう昇降手段１１２の駆動を制御し、シートＳを下降させる。 - 特許庁
The device has a plurality of modules M0 to M6 which are electrically connected by piling up only, and each module has a print mechanism P, and an allocation means (input and output switching unit WE, WA) to distribute a sheet material S to an utilizable module.例文帳に追加
積み重ねるだけで電気接続される複数のモジュールＭ_0〜Ｍ_6を有し、各モジュールに印刷機構Pと、シート材料Sを利用可能なモジュールに分配する分配手段（入力及び出力スイッチングユニットＷ_E、Ｗ_A）を有する。 - 特許庁
The battery module is constituted by piling a plurality of flat batteries 1 equipped with a positive pole terminal 14 and a negative pole terminal 16 projecting at a single side of the broad plane S.例文帳に追加
電池モジュールは、片側の広平面部Ｓにおいて突出する正極端子部１４及び負極端子部１６を有する扁平形状電池１を複数枚重畳して構成される。 - 特許庁
The piling device has aligned arms movably connected with the frame 14 to align an article M on the piled articles S, a compression section mounted on the frame 14 to compress the piled articles S and a strap device section 12 mounted on the frame 14.例文帳に追加
積み重ね装置は、積み重ね物Ｓ上に物Ｍを整列するために動作可能にフレーム１４に結合された整列アームと、積み重ね物Ｓを圧縮するためにフレーム１４に取り付けられた圧縮部と、フレーム１４に取り付けられたストラップ装置部１２とを有する。 - 特許庁
Further, a second restriction member 416 for restricting a position of an end in a width direction of the sheet S at a side in the width direction perpendicular to the sheet conveying direction of the sheet piling up means and the sheet S is directed to the second restriction member 416 with the sheet conveying means 407 by a movement means.例文帳に追加
また、シート積載手段のシート搬送方向と直交する幅方向側にシートＳの幅方向端部の位置を規制する第２規制部材４１６を設け、移動手段により、シート搬送手段４０７と共にシートＳを第２規制部材４１６に向わせる。 - 特許庁
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「s piling」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
The sheet S delivered to a sheet piling up means is conveyed to an opposite direction to a sheet delivery direction by a sheet conveying means 407 and is abutted on a first restriction member 411 provided on an upstream side in the sheet delivery direction to restrict the position in the sheet delivery direction of the sheet S.例文帳に追加
シート積載手段に排出されたシートＳを、シート搬送手段４０７によりシート排出方向と逆方向に搬送し、シート排出方向上流側に設けられた第１規制部材４１１に当接させ、シートＳのシート排出方向の位置を規制する。 - 特許庁
The exterior wall W is constituted by piling a plurality of concrete blocks vertically in a plurality of stages and connecting the concrete blocks in a width direction in a plurality of rows, and the inner partition S is constituted by disposing the plurality of square bar blocks b to be orthogonal to each other in adjacent stages.例文帳に追加
外壁Ｗは、複数のコンクリートブロックを上下に複数段積み重ね、かつ幅方向に複数列連設して構成され、中仕切りＳは、複数の角棒ブロックｂを隣接段で互いに直交するように配置して構成されている。 - 特許庁
In the semiconductor device 100, a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁
In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁
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