shallow areasとは 意味・読み方・使い方

In the soil-conditioning process, the artificial zeolite is sprayed onto soils of tidelands, shallow sea areas and mangroves.例文帳に追加

このように破壊された土壌を修復する方法を見いだすことが、環境保護のうえから求められてきた。 - 特許庁

In the case of wild hare, it does not have white winter coat when cattails flower, and in areas where sharks or crocodiles (mentioned later) are found in the shallow waters the hare's fur does not even turn white in winter.発音を聞く 例文帳に追加

野生のウサギの場合、ガマの開花期に白い冬毛になることはなく、浅瀬にサメかワニ（後述）がいるような土地では冬に白くなることさえない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a semiconductor device having an N-type MOS transistor for protecting ESD that restrains an off leak current without increasing processes and occupation areas and has a shallow trench separation structure having sufficient ESD protection functions.例文帳に追加

工程の増加や占有面積の増加もなくオフリーク電流を小さく抑えた、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を得る。 - 特許庁

Side pads 7 having the same heights as the flow-in side floating surfaces 2a and 2b and the center floating surface 2c and small areas are formed on the flow-out sides of the side rail shallow groove surfaces 6.例文帳に追加

サイドレール浅溝面６の流出側に、流入側浮上面２ａ，２ｂ及びセンター浮上面２ｃと同じ高さで小面積のサイドパッド７が形成されている。 - 特許庁

An isolation trench 19, formed between data areas, and a shallow concave pit 23, for recording control information, are formed in a resist layer 63 on the disk substrate by pressing force by a stamper 37.例文帳に追加

データエリア間に形成する分離溝１９とコントロール情報を記録する浅い凹状ピット２３とを、スタンパ３７の押圧によってディスク基板上のレジスト層６３に形成する。 - 特許庁

A control gate electrode 22 of a non-volatile memory is formed in a hole formed in an inter-layer insulating film, and a hole 22a formed in the inter-layer insulating film on source/drain areas is made shallow.例文帳に追加

不揮発性メモリの制御ゲート電極２２を、層間絶縁膜に形成される孔に形成する構造をとり、ソース及びドレイン領域上の層間絶縁膜に形成される孔２２ａを浅くする。 - 特許庁

A plurality of STIs (shallow trench isolations) 17 are formed on a silicon substrate 11 of a nonvolatile semiconductor memory device 1, and an upper layer of the silicon substrate 11 is divided into a plurality of active areas AA.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、シリコン基板１１に複数本のＳＴＩ１７を形成して、シリコン基板１１の上層部分を複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。 - 特許庁

Another portion of the isolation area 16 having no P-type bottom separation area 18 in the vicinity of the bottom does not part the N-type shallow well areas 14 of both sides.例文帳に追加

一方、Ｐ型の底部分離領域１８を底部近傍にもたない他の一部の素子分離領域１６は、両側のＮ型の浅いウェル領域１４を分断していない。 - 特許庁