si microcrystalとは 意味・読み方・使い方

An Si substrate where an SiGeC crystal is deposited is subjected to heat annealing, thus relieving the SiGeC crystal, at the same time, depositing an SiC microcrystal for reducing defect density, and hence manufacturing the thin, relaxation buffer layer with less defects.例文帳に追加

SiGeC結晶を堆積したSi基板を熱アニールすることで、SiGeC結晶を緩和させると同時に、SiC微結晶を析出させて欠陥密度を低減し、薄くても欠陥の少ない緩和バッファ層を製造する。 - 特許庁

An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on a glass substrate 11, and an a-Si film 13 is formed thereon through an RF sputtering method and turned to microcrystal in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

ガラス基板１１上に酸化珪素膜１２を形成し、その上にａ−Ｓｉ膜１３をＲＦスパッタ法により成膜し水素雰囲気中で熱結晶化を行う。 - 特許庁

This laminate type photovoltaic device is provided with a bottom cell 3 including a photoelectric conversion layer 32 composed of a microcrystal Si layer, and a front cell 4 formed on the bottom cell 3 and including a photoelectric conversion layer 42 composed of an amorphous Si layer.例文帳に追加

この積層型光起電力装置は、微結晶Ｓｉ層からなる光電変換層３２を含むボトムセル３と、ボトムセル３上に形成され、非晶質Ｓｉ層からなる光電変換層４２を含むフロントセル４とを備えている。 - 特許庁

The crystal particles at an initial stage in film-forming of an i layer of a microcrystal Si formed on a first dope layer 4 counter-dopes only a region 51 growing in a growth plane direction.例文帳に追加

第一ドープ層４上に成膜する微結晶Ｓｉのｉ層の製膜初期の結晶粒が成長面内方向に成長する領域５１のみにカウンタードープを行う。 - 特許庁

To suppress an optical leakage current of a microcrystal Si thin film transistor, and to reduce deterioration in display characteristics, such as crosstalk and a decrease in contrast, of a liquid crystal display etc., during in use being irradiated with light.例文帳に追加

微結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの光リーク電流を抑制し、液晶ディスプレイ等の光照射下で使用する場合に、クロストークやコントラストの低下等の表示特性の劣化を低減する。 - 特許庁

Accordingly, a photosensor 151 can suppress an increase of leakage current that is caused by the employment of microcrystal semiconductor such as μC-Si or the like in the light receiving layer 151c thanks to the first intermediate layer 151b.例文帳に追加

したがって、フォトセンサ１５１は、第１中間層１５１ｂの存在によって、受光層１５１ｃにμＣ−Ｓｉ等の微結晶半導体を用いることによって生じるリーク電流の増大を抑制できる。 - 特許庁