sic uponとは 意味・読み方・使い方

When an SiC substrate 10 is cut from an SiC ingot, the main face of the SiC substrate 10 is off from a basal face, and the SiC substrate 10 is cut by setting an off-direction in plan view so that a direction of a dislocation column DSL is not substantially coincident with a direction of a step STP caused upon an epitaxial growth.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０をＳｉＣインゴットから切り出す際に、ＳｉＣ基板１０の主面をｂａｓａｌ面からオフさせて、かつ、転位列ＤＳＬの方向とエピタキシャル成長の際に生じるステップＳＴＰの方向とが実質的に一致しないように、平面視におけるオフ方向を設定して切り出す。 - 特許庁

In the gate-forming region of the semiconductor layer 102, a gate oxide film 104 and a polysilicon film 105 are laminated upon each other.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のゲートを形成する領域にゲート酸化膜１０４およびポリシリコン膜１０５が積層される。 - 特許庁

The surface 11 can be planarized based upon the planarized reverse surface 12 of the SiC wafer 10 as a reference surface, so the SiC wafer 10 with high precision can be obtained in which level difference has removed from the surface 11.例文帳に追加

平坦化されたＳｉＣウェハ１０の裏面１２を基準面として表面１１を平坦化できるため、表面１１から段差が取り除かれた高精度のＳｉＣウェハ１０を得ることができる。 - 特許庁

To provide a cleaning method where the damage of the worked face in a CVD-SiC compact, impurities produced upon working or the like can be effectively removed.例文帳に追加

ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の加工面の傷や加工時に生じる不純物などを効果的に除去する洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

The confocal differential interference image shows unevenness change of approximately several nm of a sample surface in the form of a luminance distribution, so a crystal defect appearing on the SiC substrate surface or epitaxial layer surface is detected based upon the luminance distribution.例文帳に追加

共焦点微分干渉画像は、試料表面の数ｎｍ程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。 - 特許庁

Upon the epitaxial growth of 3C-SiC or GaN which is effected on a substrate of Si, multi-layered (2 layered) epitaxial growth film is formed of an organic metall material.例文帳に追加

基板となるＳｉ上に３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮをエピタキシャル成長させるときに、有機金属原料により多層（２層）のエピタキシャル成長膜を形成する。 - 特許庁

Consequently, the light rays emitted from the top lamp 3 or side lamps 4 are reflected by the internal walls of the passages 5a and uniformly projected upon the SiC substrate 1 mounted on the wafer stage 6.例文帳に追加

これにより、トップランプ３やサイドランプ４が発した光が通路５ａの内壁で反射し、ウェハステージ６上のＳｉＣ基板１に均一に照射される。 - 特許庁