silicon vacancyとは 意味・読み方・使い方

Consequently, the vacancies simultaneously diminish by pair annihilation with the interstitial silicon in the silicon single crystal 9, and occurrence of defects (COP (crystal originated particle), FPD (flow pattern deft), or the like) caused by vacancy clusters is suppressed.例文帳に追加

その結果、シリコン単結晶９内で空孔が格子間シリコンとの対消滅によって同時に消滅し、空孔クラスタによる欠陥（ＣＯＰ、ＦＰＤなど）の発生が抑制される。 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER HAVING HOMOGENEOUS VACANCY DEFECT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MAKING SAME例文帳に追加

均一なベイカンシ欠陥を有するシリコン単結晶インゴット、シリコンウエハ、シリコン単結晶インゴットの製造装置、及びシリコン単結晶インゴットの製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer, for suppressing the variation in density of vacancy inside a wafer and improving gettering performance.例文帳に追加

ウェーハ内部における空孔濃度のバラつきを抑制し、イントリンシック・ゲッタリング能力を高めることが可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a closely packed silicon carbide sintered compact with very little vacancy and a semiconductor using the same, and to provide a member for liquid crystal-manufacturing apparatus.例文帳に追加

空孔が極めて少ない高緻密な炭化珪素焼結体およびこれを用いた半導体および液晶製造装置用部材を提供する。 - 特許庁

The silicon ingot is produced by pulling an ingot in an axial direction from a melt in a hot zone furnace by an ingot pulling speed profile which is sufficiently high to prevent an interstitial mass and is sufficiently low to restrict a vacancy mass in a zone V rich in vacancy.例文帳に追加

シリコンインゴットがインタースチシャル固まりを防止できるくらい十分高いが、べーカンシー固まりをべーカンシー豊富領域Ｖ内に制限できるくらい十分低いインゴットの引上速度プロファイルで、ホットゾーン炉内の溶融物からインゴットを軸方向に引上させることで製作される。 - 特許庁

An RTA furnace for rapid heating and rapid cooling is used to apply heat treatment to a silicon wafer having an oxide film of 30-100 Å thicker than the thickness of a natural oxide film in an atmosphere of nitrogen gas, thereby nitriding the oxide film to form a nitrided oxide film, and the vacancy and nitrogen are injected into the inside of the silicon wafer from the surface of the silicon wafer.例文帳に追加

急熱急冷が可能なＲＴＡ炉を用い、自然酸化膜より厚い３０Å〜１００Åの酸化膜が形成されたシリコンウェーハを、窒素ガスの雰囲気下で熱処理することで、酸化膜を窒化して窒化酸化膜とし、シリコンウェーハの表面からシリコンウェーハの内部に空孔および窒素を注入する。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon in an ingot or wafer form, which contains an axially symmetric region in which vacancies are the predominant intrinsic point defect and which is substantially free of agglomerated vacancy intrinsic point defects, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

空孔が優勢な真性点欠陥の、凝集空孔真性点欠陥を実質的に有さない軸対称領域を含んで成りインゴットまたはウエハ形態の単結晶シリコン、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which does not belong to any to a vacancy-enriched V-region, an OSF region, and an interstitial silicon- enriched region, or an I-region, when it is manufactured by a Czochralski method, which has excellent electrical characteristics and a gettering capability, and with which the yield of a device can be reliably improved, and to provide an epitaxial wafer.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する際、空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そして格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ優れた電気特性とゲッタリング能力を有し、デバイス歩留りを確実に向上させることができるシリコン単結晶及びエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁