single faultsとは 意味・読み方・使い方

An SiC single crystal epitaxial substrate containing a very small amount of stacking faults and having excellent surface morphology can be obtained by using such a silicon carbide single crystal substrate for growing the thin film.例文帳に追加

当該成長用炭化珪素単結晶基板を用いることによって、積層欠陥が非常に少なく、表面モフォロジーの優れたＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板が得られる。 - 特許庁

The double connection release differential assembly of the present invention eliminates faults in accordance with a single axle connection release mechanism that has been used conventionally.例文帳に追加

本発明二重連結はずしディファレンシャル・アセンブリは、従来使われている単一車軸連結はずし機構に伴う欠点を除く。 - 特許庁

To provide a method for heat treating a silicon single-crystal wafer, which suppresses generation of oxidation-induced stacking faults in the device- forming active layer and makes the oxygen precipitation density uniform inside the wafer.例文帳に追加

デバイス活性層での酸化誘起積層欠陥を抑制し、また酸素析出密度をウェーハ面内で均一にしたシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁

To accurately locate a fault point in a system of two parallel transmission lines having a single line branch, by using voltage and current information detected at the edge of a power source and differentiating faults of the two parallel transmission lines and the single line branch.例文帳に追加

単回線分岐がある平行２回線送電系統において、電源端で検出された電圧、電流情報を用いて、平行２回線の故障又は単回線分岐の故障を区別して検出し、故障点を正確に標定する。 - 特許庁

A light-emitting layer AxByCz is positioned between an anode and a cathode, and the light-emitting layer is made to be a single layer organic light-emitting medium in which different materials are mixed, and there is no faults of hetero junction.例文帳に追加

発光層ＡｘＢｙＣｚがアノードとカソードの間に位置し、該発光層が異なる物質を混合した単一層有機発光媒体とされ、ヘテロ接合の欠点がない。 - 特許庁

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

To provide a production control system and method, for estimating failure probabilities of single or multiple persistent or intermittent faults in a production system with multiple production resources.例文帳に追加

多数の生産リソースを有する生産システムにおける単一または複数の持続的障害または間欠的障害の失敗確率を推定するための生産制御システムおよび方法を提供する - 特許庁