「single faults」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a redundancy system that allows communication service to be continued even if multiple faults occur without a single fault point.例文帳に追加

単一障害点が存在せず、多重障害が起きても通信サービスを継続できる冗長化方式を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a silicon single crystal, which can grow a single crystal of a non-faulty region where there is no OSF (oxidation-induced stacking faults) and grown-in faults over the whole diameter direction region, in a high yield and stably.例文帳に追加

径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

An SiC single crystal epitaxial substrate containing a very small amount of stacking faults and having excellent surface morphology can be obtained by using such a silicon carbide single crystal substrate for growing the thin film.例文帳に追加

当該成長用炭化珪素単結晶基板を用いることによって、積層欠陥が非常に少なく、表面モフォロジーの優れたＳｉＣ単結晶エピタキシャル基板が得られる。 - 特許庁

The double connection release differential assembly of the present invention eliminates faults in accordance with a single axle connection release mechanism that has been used conventionally.例文帳に追加

本発明二重連結はずしディファレンシャル・アセンブリは、従来使われている単一車軸連結はずし機構に伴う欠点を除く。 - 特許庁

To provide a method for heat treating a silicon single-crystal wafer, which suppresses generation of oxidation-induced stacking faults in the device- forming active layer and makes the oxygen precipitation density uniform inside the wafer.例文帳に追加

デバイス活性層での酸化誘起積層欠陥を抑制し、また酸素析出密度をウェーハ面内で均一にしたシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。 - 特許庁

This silicon carbide single crystal 1 comprises an assembly 2 of screw dislocations, the stacking faults 3 and edge dislocations 4 and is obtained by dividing the assembly 2 of the screw dislocations into sections in the direction of the axis (extending the dislocation lines) of the screw dislocations with the stacking faults 3 or the edge dislocations 4.例文帳に追加

らせん転位の集合体２、積層欠陥３、及び刃状転位４が含まれ、らせん転位の集合体２が積層欠陥３若しくは刃状転位４によって、らせん転位の軸（転位線を伸長する）方向に分断された炭化珪素単結晶１とする。 - 特許庁

To accurately locate a fault point in a system of two parallel transmission lines having a single line branch, by using voltage and current information detected at the edge of a power source and differentiating faults of the two parallel transmission lines and the single line branch.例文帳に追加

単回線分岐がある平行２回線送電系統において、電源端で検出された電圧、電流情報を用いて、平行２回線の故障又は単回線分岐の故障を区別して検出し、故障点を正確に標定する。 - 特許庁

A light-emitting layer AxByCz is positioned between an anode and a cathode, and the light-emitting layer is made to be a single layer organic light-emitting medium in which different materials are mixed, and there is no faults of hetero junction.例文帳に追加

発光層ＡｘＢｙＣｚがアノードとカソードの間に位置し、該発光層が異なる物質を混合した単一層有機発光媒体とされ、ヘテロ接合の欠点がない。 - 特許庁

A silicon single crystal having such a property that the oxidation-induced stacking faults generated during high temperature oxidation treatment is ≤1×10^2/cm^2 is obtained by cooling a silicon single crystal at a cooling speed of ≥3.0°C/min within a temperature range of 1,100-900°C after pulling, in a process for pulling and growing the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０^2／ｃｍ^2以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。 - 特許庁

To provide a production control system and method, for estimating failure probabilities of single or multiple persistent or intermittent faults in a production system with multiple production resources.例文帳に追加

多数の生産リソースを有する生産システムにおける単一または複数の持続的障害または間欠的障害の失敗確率を推定するための生産制御システムおよび方法を提供する - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁

The silicon wafer is cut out from the silicon single crystal grown by the CZ method and doped with the nitrogen, and generates the oxidation-induced stacking faults in a density of ≥103/cm2 on the surface, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(2) ＣＺ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に10^3/cm^2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a fluoride single crystal little in the reduction of transmittance when an ultraviolet light is irradiated in vacuo by the reduction of the density of structural faults, and requiring no precision control in the stage of crystal growth.例文帳に追加

構造欠陥密度が低減され、真空紫外光照射時の透過率低下が少ないフッ化物単結晶の製造方法であって、結晶成長段階での精密制御を必要としない製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a transfer mask, capable of stably manufacturing the mask which does not have faults, without having to break the transfer pattern of an upper single-crystal silicon wafer in a step of manufacturing the mask by using the substrate for the mask, its transfer mask, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

転写マスク用基板を用いて転写マスクを製造する工程において、上部単結晶シリコンウェハの転写パターンが破壊されず、欠陥のない転写マスクを安定して製造することを可能とする転写マスク用基板、及びその転写マスク並びにその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a display apparatus, a display driving apparatus and a method for driving the display apparatus which prevent signals from being incorrectly transmitted to driver integrated circuits (ICs), following the driver IC connected to driving IC that has a fault, as a result that a single driver IC among the plurality of driver ICs connected in a cascade structure falls in a state of not operating normally due to faults.例文帳に追加

カスコード構造に連結された複数の駆動ＩＣのうち一の駆動ＩＣが故障により非正常動作の状態になることで該故障した駆動ＩＣに連結された駆動ＩＣ以降の駆動ＩＣに信号が正しく伝達されなくなることを防止する表示装置、表示駆動装置、及び表示装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁