source isolationとは 意味・読み方・使い方

The source line plugs are in contact with first regions and the isolation regions in the active regions.例文帳に追加

このソースラインプラグは、活性領域内の第１領域と分離領域とに接触する。 - 特許庁

To provide a vibration isolation wall mounted device suitable for wall surface installation of a heavy apparatus having a vibration source built therein.例文帳に追加

振動源を内蔵する重量機器の壁面設置に好適な防振壁掛装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench isolation structure, wherein related to a CMOS integrated circuit, etc., it comprises multiple power source voltage using trench isolation as an element isolation method, both isolation characteristics between NMOS and PMOS at a low power source voltage part and a latch-up resistance of a high power source voltage part are maintained without difficulty in the manufacturing process.例文帳に追加

素子分離方法としてトレンチ分離を用いた多電源電圧を有するＣＭＯＳ集積回路等において、低電源電圧部のＮＭＯＳとＰＭＯＳの分離特性と高電源電圧部のラッチアップ耐性を両立することができると共に、製造工程上の困難性を伴わないトレンチ分離構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加

半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁

The power source switch, the output level of the power source battery, the vibration isolation start switch, the check of opening and closing of the lid and the vibration isolation processing are repetitively executed at every 1 ms (millisecond).例文帳に追加

電源スイッチ、電源電池の出力レベル、防振開始スイッチ、蓋の開閉のチェック、および防振処理は１ｍｓ（ミリ秒）毎に繰り返し実行する。 - 特許庁

According to the method, in an isolation process, a dioxins attaching source or an asbestos dusting source is isolated and the inside of the incinerator enclosed airtightly by isolation is kept under negative pressure using a dust collector.例文帳に追加

隔離工程により、ダイオキシン類付着源またはアスベスト粉塵発生源を隔離し、隔離により密閉区分された内部を集塵装置により負圧に維持する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a trench isolation structure, wherein each element at a high power source voltage circuit part and a low power source voltage circuit part is isolated interns of elements by a trench isolation part 4.例文帳に追加

高電源電圧回路部と低電源電圧回路部とにおける各素子をトレンチ分離部４により素子分離したトレンチ分離構造を有する半導体装置である。 - 特許庁

A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加

Ｐ基板１３の上面内部に第１分離領域１４及び第２分離領域８を形成し、第１分離領域１４内にソース５ｃ、チャネル１５及びドレイン５ｂを形成してその上部にゲート５ａを配置することによりＮＭＯＳＦＥＴ５を形成する。 - 特許庁