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source isolationとは 意味・読み方・使い方
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「source isolation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 156件
A width X2 of the trench isolation part 4 of the high voltage power source circuit part is wider than a width X1 of the trench isolation part 4 of the low voltage power source circuit part.例文帳に追加
また、高電圧電源回路部のトレンチ分離部4の幅X2は低電圧電源回路部のトレンチ分離部4の幅X1よりも広い。 - 特許庁
To provide a high-reliability dual power source automatic changeover circuit and an isolation device thereof.例文帳に追加
高信頼度デュアル電源自動切換回路及びその隔離装置の提供。 - 特許庁
A signal transmission method supplies a source signal and divides it into a first isolation signal and a second isolation signal.例文帳に追加
信号送信方法は、ソース信号を供給し、ソース信号を第1の分離信号と第2の分離信号に分ける。 - 特許庁
A deep isolation groove 5a extending from the principal surface of a substrate 1SA (source address) to a requested depth is formed and, thereafter, an insulating film 5b is buried into the deep isolation groove 5a to form a penetrated isolation part 5.例文帳に追加
基板1SAにその主面から所望の深さまで延びる深い分離溝5aを形成した後、深い分離溝5a内に絶縁膜5bを埋め込み貫通分離部5を形成する。 - 特許庁
Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region.例文帳に追加
光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。 - 特許庁
To provide a vibration isolation pedestal suitable for floor face installation of heavy equipment with a built-in vibration source.例文帳に追加
振動源を内蔵する重量機器の床面設置に好適な防振架台を提供する。 - 特許庁
The vibration isolation structure is for a building 1 constructed close to a vibration generating source.例文帳に追加
防振構造は、振動発生源の近傍に構築される建物1の防振構造である。 - 特許庁
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「source isolation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 156件
The source line plugs are in contact with first regions and the isolation regions in the active regions.例文帳に追加
このソースラインプラグは、活性領域内の第1領域と分離領域とに接触する。 - 特許庁
To provide a vibration isolation wall mounted device suitable for wall surface installation of a heavy apparatus having a vibration source built therein.例文帳に追加
振動源を内蔵する重量機器の壁面設置に好適な防振壁掛装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a trench isolation structure, wherein related to a CMOS integrated circuit, etc., it comprises multiple power source voltage using trench isolation as an element isolation method, both isolation characteristics between NMOS and PMOS at a low power source voltage part and a latch-up resistance of a high power source voltage part are maintained without difficulty in the manufacturing process.例文帳に追加
素子分離方法としてトレンチ分離を用いた多電源電圧を有するCMOS集積回路等において、低電源電圧部のNMOSとPMOSの分離特性と高電源電圧部のラッチアップ耐性を両立することができると共に、製造工程上の困難性を伴わないトレンチ分離構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加
半導体層内に分離構造210が形成され、これは第1ソース/ドレイン領域を第2ソース/ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁
The power source switch, the output level of the power source battery, the vibration isolation start switch, the check of opening and closing of the lid and the vibration isolation processing are repetitively executed at every 1 ms (millisecond).例文帳に追加
電源スイッチ、電源電池の出力レベル、防振開始スイッチ、蓋の開閉のチェック、および防振処理は1ms(ミリ秒)毎に繰り返し実行する。 - 特許庁
According to the method, in an isolation process, a dioxins attaching source or an asbestos dusting source is isolated and the inside of the incinerator enclosed airtightly by isolation is kept under negative pressure using a dust collector.例文帳に追加
隔離工程により、ダイオキシン類付着源またはアスベスト粉塵発生源を隔離し、隔離により密閉区分された内部を集塵装置により負圧に維持する。 - 特許庁
This semiconductor device comprises a trench isolation structure, wherein each element at a high power source voltage circuit part and a low power source voltage circuit part is isolated interns of elements by a trench isolation part 4.例文帳に追加
高電源電圧回路部と低電源電圧回路部とにおける各素子をトレンチ分離部4により素子分離したトレンチ分離構造を有する半導体装置である。 - 特許庁
A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加
P基板13の上面内部に第1分離領域14及び第2分離領域8を形成し、第1分離領域14内にソース5c、チャネル15及びドレイン5bを形成してその上部にゲート5aを配置することによりNMOSFET5を形成する。 - 特許庁
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