「source isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a vibration isolation pedestal suitable for floor face installation of heavy equipment with a built-in vibration source.例文帳に追加

振動源を内蔵する重量機器の床面設置に好適な防振架台を提供する。 - 特許庁

The vibration isolation structure is for a building 1 constructed close to a vibration generating source.例文帳に追加

防振構造は、振動発生源の近傍に構築される建物１の防振構造である。 - 特許庁

The source line plugs are in contact with first regions and the isolation regions in the active regions.例文帳に追加

このソースラインプラグは、活性領域内の第１領域と分離領域とに接触する。 - 特許庁

To provide a vibration isolation wall mounted device suitable for wall surface installation of a heavy apparatus having a vibration source built therein.例文帳に追加

振動源を内蔵する重量機器の壁面設置に好適な防振壁掛装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench isolation structure, wherein related to a CMOS integrated circuit, etc., it comprises multiple power source voltage using trench isolation as an element isolation method, both isolation characteristics between NMOS and PMOS at a low power source voltage part and a latch-up resistance of a high power source voltage part are maintained without difficulty in the manufacturing process.例文帳に追加

素子分離方法としてトレンチ分離を用いた多電源電圧を有するＣＭＯＳ集積回路等において、低電源電圧部のＮＭＯＳとＰＭＯＳの分離特性と高電源電圧部のラッチアップ耐性を両立することができると共に、製造工程上の困難性を伴わないトレンチ分離構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.例文帳に追加

半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁

The power source switch, the output level of the power source battery, the vibration isolation start switch, the check of opening and closing of the lid and the vibration isolation processing are repetitively executed at every 1 ms (millisecond).例文帳に追加

電源スイッチ、電源電池の出力レベル、防振開始スイッチ、蓋の開閉のチェック、および防振処理は１ｍｓ（ミリ秒）毎に繰り返し実行する。 - 特許庁

According to the method, in an isolation process, a dioxins attaching source or an asbestos dusting source is isolated and the inside of the incinerator enclosed airtightly by isolation is kept under negative pressure using a dust collector.例文帳に追加

隔離工程により、ダイオキシン類付着源またはアスベスト粉塵発生源を隔離し、隔離により密閉区分された内部を集塵装置により負圧に維持する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a trench isolation structure, wherein each element at a high power source voltage circuit part and a low power source voltage circuit part is isolated interns of elements by a trench isolation part 4.例文帳に追加

高電源電圧回路部と低電源電圧回路部とにおける各素子をトレンチ分離部４により素子分離したトレンチ分離構造を有する半導体装置である。 - 特許庁

A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加

Ｐ基板１３の上面内部に第１分離領域１４及び第２分離領域８を形成し、第１分離領域１４内にソース５ｃ、チャネル１５及びドレイン５ｂを形成してその上部にゲート５ａを配置することによりＮＭＯＳＦＥＴ５を形成する。 - 特許庁

The power source of a driver part 12 is supplied from a power source line BATT and ground line GND connected to an on-vehicle battery through a power source isolation circuit 26 being a floating power source.例文帳に追加

ドライバ部１２の電源は、車載バッテリに接続された電源ラインＢＡＴＴ及びグランドラインＧＮＤからフローティング電源である電源アイソレーション回路２６を通じて供給される。 - 特許庁

The isolation insulating film 5 serves as a partial trench isolation that has not reached the BOX layer 2, and source/drain regions 17 are formed of first and second impurity ions which have different mass numbers.例文帳に追加

分離絶縁膜５は、ＢＯＸ層２に達していない部分トレンチ分離であり、ソースドレイン領域１７は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されている。 - 特許庁

To make feasible connecting a source region more reliably in a non- volatile semiconductor memory adopting an STI(shallow trench isolation) structure in the interelement isolation.例文帳に追加

本発明は、素子間分離にＳＴＩ構造を採用する不揮発性半導体記憶装置において、ソース領域をより確実に接続できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The width w1 of a doped isolation region 11 for insulating/isolating adjoining drain regions 7 (source regions 9) is smaller than that w2 of an element isolation region 3.例文帳に追加

隣り合うドレイン領域７（ソース領域９）どうしを絶縁分離する不純物領域分離領域１１の幅ｗ１は、素子分離領域３の幅ｗ２よりも小さい。 - 特許庁

A tunnel isolation layer 12 for forming the electron source and an electron-emitting element DPX having the same isolation layer and not contributing to displaying is arranged in the vicinity of the display range AR.例文帳に追加

表示領域ＡＲの周囲に、電子源を構成するトンネル絶縁層１２と同層の絶縁層をもつ表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸを設けた。 - 特許庁

To provide a system for emergencies which achieves the appropriate isolation of the inside of a reactor containment vessel from the outside of it by closing isolation valves promptly by the use of a gas turbine generator as an emergency power source.例文帳に追加

非常用電源としてガスタービン発電機を使用し、隔離弁を迅速に閉弁することにより、原子炉格納容器の内外を好適に隔離することができる非常用システムを提供する。 - 特許庁

To make the source/drain of a transistor low in resistance and to reduce the leakage current in a semiconductor device which is formed on a SOI substrate and equipped with a partial trench isolation as an inter-element isolation.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成され、素子間分離として部分トレンチ分離を有する半導体装置において、トランジスタのソースドレインの低抵抗化およびリーク電流の低減を図る。 - 特許庁

The height of the top face of an element-isolation insulating film 4 in a drain-side region is constituted so as to be lower than that H2 of the element-isolation insulating film 4 in a source-side region A2.例文帳に追加

ドレイン側領域の素子分離絶縁膜４の上面高さを、ソース側の領域Ａ２の素子分離絶縁膜４の上面高さＨ２に比較して低く構成している。 - 特許庁

A liner film 11 is formed continuously from the inside wall of an element isolation groove 2 over the source/drain regions 8 and the gate electrode 4.例文帳に追加

素子分離用溝２の内壁から、ソース・ドレイン領域８上およびゲート電極４上まで連続してライナー膜１１が形成されている。 - 特許庁

A laser plasma EUV radiation source 46 provides thermal isolation between a nozzle body 48 and a target material flowing through the nozzle body.例文帳に追加

レーザープラズマＥＵＶ放射線源（４６）はノズル本体（４８）とそこを通って流れる標的材料との間の熱隔離を提供す。 - 特許庁

The circumference of the source and drain regions are surrounded with the complete isolation region 157b, excluding the gate electrode and its vicinity.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域の周辺は、ゲート電極近傍を除いて、完全分離領域１５７ｂで囲まれる。 - 特許庁

The amplifier output provides high impedance with the amplifier's power source set off and hence isolation from the amplifiers set ON can be ensured.例文帳に追加

また、アンプの電源がＯＦＦ時にはアンプの出力が高インピーダンスとなるために、ＯＮ状態のアンプとのアイソレーションを確保できる。 - 特許庁

The circuit is provided with a direct current power source, and an isolation diode CR100 installed in a forward direction between loads having a gain voltage in series.例文帳に追加

直流電源と、儲蓄電圧を有する負荷間に順方向に直列に設置されている隔離ダイオードＣＲ１００とを備える。 - 特許庁

By the subsequent heat treatment, the P-type impurities are introduced from the solid diffusion source film 5 at the boundary part of the pixel part with an element isolation insulating film 9.例文帳に追加

その後の熱処理により、素子分離絶縁膜９と画素部の境界部に固体拡散源膜５からＰ型不純物を導入する。 - 特許庁

The electronic control module 18 supplies a double isolation layer between the tool housing working as a heat sink and a line voltage source in it.例文帳に追加

電子制御モジュール１８は、ヒートシンクとして作用する工具ハウジングと内部のライン電圧源との間に二重の絶縁層を提供する。 - 特許庁

A thick insulating film 6 is formed on the source lines 3a and 18a, bit lines 3b and 18b, and the trench isolation oxide films 2.例文帳に追加

そのソース線３ａ、１８ａ、ビット線３ｂ、１８ｂおよびトレンチ分離酸化膜２上に厚膜絶縁膜６が形成されている。 - 特許庁

To improve the yield of the source/drain dielectric strength of a transistor by reducing the stresses produced in the circumference of an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の周辺に生じる応力を低減してトランジスタのソース／ドレイン耐圧の歩留を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A silicide film is arranged on the surface of the source/drain region and is extended to the element isolation insulating film.例文帳に追加

シリサイド膜は、ソース／ドレイン領域の表面上に配設され、素子分離絶縁膜上まで延在する。 - 特許庁

Owing to this fillet CN1, an obtuse angle is included at the boundary between the source/drain active layers 6c1, 6d1 and an element isolation region 5b.例文帳に追加

この面取りＣＮ１により、ソース／ドレイン活性層６ｃ１，６ｄ１と素子分離領域５ｂとの境界に鈍角が含まれるようになる。 - 特許庁

There is formed a protective insulating film 17 which covers the element isolation region 12 and a corner 16a of the source-drain region 16.例文帳に追加

そして、素子分離領域１２及びソース・ドレイン領域１６のコーナー部１６ａを覆う保護絶縁膜１７が形成されている。 - 特許庁

The water in the seismic isolation pit 2 is heated or cooled by a heat source device 4 to store heat in the water W.例文帳に追加

免震ピット２内の水Ｗは熱源装置４で加熱若しくは冷却されて水Ｗに熱を蓄える。 - 特許庁

In addition, a damage of a source/drain region or an element isolation region due to etching can be minimized.例文帳に追加

これに加えて、ソース／ドレイン領域又は素子分離領域に対するエッチング損傷も最小化することができる。 - 特許庁

The semiconductor device has an insulating film (oxide film) formed selectively only between STI element isolation and the PN-junction of the source/drain regions.例文帳に追加

その半導体装置では、ＳＴＩ素子分離とソース／ドレイン領域のＰＮ接合部分の間のみに選択的に絶縁膜（酸化膜）を形成している。 - 特許庁

An N-type region that becomes a source of the JFET is formed between the body region 15 and the P-type device isolation region 13.例文帳に追加

ボディ領域１５とＰ型素子分離領域１３との間にＪＦＥＴのソースとなるＮ型領域が形成される。 - 特許庁

When vibration is applied to the vibration isolation support device 10 by a light floor shock source, an outer peripheral rubber part 22 is compressed and deformed to correspond to it.例文帳に追加

防振支持具１０に軽量床衝撃源により加振されると外周ゴム部２２が圧縮変形してこれに対応する。 - 特許庁

Inter-circuit isolation is achieved by connecting respective gates of the transistors to source potentials (VDD, VSS) to turn off the transistors.例文帳に追加

回路間のアイソレーションは、各トランジスタのゲートを電源電位（ＶＤＤ，ＶＳＳ）に接続して、各トランジスタをオフさせることにより実現される。 - 特許庁

In an nMOS, the plane of the source/drain region parallel to the gate width direction is brought into contact with an element isolation film into which a silicon nitride film is inserted, and the plane of the source/drain region in parallel to a gate length direction comes into contact with the element isolation film composed only of a silicon oxide film.例文帳に追加

ｎＭＯＳにおいては、ゲート幅方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン窒化膜が挿入された素子分離膜と接し、ゲート長方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン酸化膜のみからなる素子分離膜と接している。 - 特許庁

To make cooling water in a suppression pool usable as water source of a reactor isolation cooling system even when the temperature of the suppression pool water rises because of occurrence of loss-of total AC current source event during reactor isolation in a nuclear power plant.例文帳に追加

原子力発電プラントの原子炉隔離時に全交流電源喪失事象が生じサプレッションプール水温が上昇しても、原子炉隔離時冷却系の水源としてサプレッションプール内の冷却水を使える様にすること。 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

A color failure correction value calculating section 223 estimates the intensity of the yellow light source by identifying whether the images are photographed under the yellow light source or not in accordance with the isolation degrees and calculates the color failure correction values according to the intensity of the yellow light source.例文帳に追加

カラーフェリア補正値算出部２２３は、前記離隔度に基づいて、黄色光源下で撮影された画像か否かを識別し、黄色光源強度を推定し、黄色光源強度に応じてカラーフェリア補正値を算出する。 - 特許庁

In the source/drain regions 131 and 132, source/drain conductors 155 are so formed as to be stretched over the source/drain regions 131 and 132 and an element isolation region 102.例文帳に追加

また、ソース／ドレイン領域１３１,１３２においては、ソース／ドレイン導電体１５５をソース／ドレイン領域１３１,１３２と素子分離領域１０２にまたがるように形成する。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

While an element isolation film for electrically isolating regions where respective transistors are formed is formed, a region isolation film 12 for separating the source region, channel region, and drain region of an MOS transistor for a high breakdown voltage from one another is formed.例文帳に追加

各トランジスタが形成される領域を、それぞれ電気的に分離するための素子分離膜が形成されると同時に高耐圧用ＭＯＳトランジスタのソース領域とチャネル領域とドレイン領域とを互いに分離するための領域分離膜１２が形成される。 - 特許庁

In the cross-section along a region between word lines 8 and 8, a trench isolation oxide film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and source liens 3a and 18a and bit lines 3b and 18b are formed in an element forming region between the trench isolation oxide films 2.例文帳に追加

ワード線８とワード線８とによって挟まれた領域に沿った断面において、半導体基板１の表面にトレンチ分離酸化膜２が形成され、そのトレンチ分離酸化膜２によって挟まれた素子形成領域にソース線３ａ、１８ａとビット線３ｂ、１８ｂが形成されている。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁