「source isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

An underground burial structure of a culvert comprises a culvert 1 buried underground and vibration isolation walls 10 and 20 disposed adjacent to the culvert and along the culvert in a first vibration transmitting route from a first vibration generating source to the culvert and/or in a second vibration transmitting route that transmits resonance vibration of the culvert to an exterior.例文帳に追加

カルバートの地中埋設構造は、地中に埋設されたカルバート１と、第１の振動発生源からカルバートまでの第１の振動伝達経路内および／または前記カルバートで共振した振動が外部へ伝達する第２の振動伝達経路内においてカルバートに近接してかつカルバートに沿うようにして配置された防振壁１０、２０とを備える。 - 特許庁

A mode field diameter of a waveguide is made different by portions of the waveguide on the assumption that a single mode condition is satisfied, whereby a function of allowing light travelling in a forward direction to be transmitted through with minimum loss and maximally intercepting return light fed back to a light source is given to obtain desired insertion loss and isolation.例文帳に追加

シングルモード条件が充足されることを前提として、導波路のモードフィルド径を導波路の部位によって異ならしめることにより、順方向に伝搬する光に対しては、最小限の損失で透過しせしめ、また光源に帰還する戻り光に対しては、最大限これを遮断するという機能を付与することにより、所望の挿入損失とアイソレーションを得る。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁