「source isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, after removing the first buried element isolation insulating film 22, the bottom face thereof and the source region of a memory central transistor are ion injected with impurities.例文帳に追加

そして、第一の埋め込み素子分離絶縁膜２２を除去した後に、その底部とメモリセルトランジスタのソース領域とに不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A source region 40 and a drain region 50 are arranged so as to be isolated from each other in a semiconductor substrate 30 whose elements are isolated by an element isolation region (STI) 20.例文帳に追加

素子分離領域(STI)２０により素子分離された半導体基板３０中に、ソース領域４０およびドレイン領域５０が離間して設けられている。 - 特許庁

As a result, a stress applied to the source/drain active layers 6c1, 6d1 from the element isolation region 5b can be alleviated without generation of an obtuse-angled portion at the corner.例文帳に追加

その結果、コーナーに鋭角的な部分が発生せずに、素子分離領域５ｂからソース／ドレイン活性層６ｃ１，６ｄ１へと加わる応力が緩和される。 - 特許庁

This semiconductor device comprises the element isolation insulating film 2 formed in a SOI layer 13 interposing an element-forming region, source/drain regions 8a, 8b formed in the element-forming region interposing a channel region, and titanium silicide films 40 formed on the source/drain regions 8a, 8b spacing away from the element isolation insulating film 2.例文帳に追加

ＳＯＩ層１３に素子形成領域を挟んで形成される素子分離酸化膜２と、素子形成領域にチャネル領域を挟んで形成されるソース／ドレイン領域８ａ，８ｂと、素子分離酸化膜２と間隔を隔ててソース／ドレイン領域８ａ，８ｂに形成されるチタンシリサイド膜４０とを備えている。 - 特許庁

The opening and closing of a lid of a battery case are checked (S412) when a power source switch of the binoculars is on, the output level of the power source battery exceeds the respective threshold and a vibration isolation start switch is on.例文帳に追加

双眼鏡の電源スイッチがオンであり、電源電池の出力レベルが所定の閾値を超えており、防振開始スイッチがオンのとき、電源電池を収容する電池ケースの蓋の開閉をチェックする（Ｓ４１２）。 - 特許庁

On the front surface of the substrate 10, a first element isolation region 12 of an STI structure is formed, which separates diffusion layers 14 that function as a source drain region.例文帳に追加

基板１０の表面には、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層１４どうしを分離するSTI構造の第一の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

A protection layer 9 is formed at the end on the side of the element isolation insulating film in the source drain layer 8 so as to prevent the formation of an alloy layer at the end thereof.例文帳に追加

ソース・ドレイン層８における素子分離絶縁膜２側の端部には、当該端部における合金層の形成を防止する保護層９が形成されている。 - 特許庁

In a region 411, a body region is formed in a drain region 121 defined by an element isolation region, and an N-type source region is formed in the body region.例文帳に追加

領域４１１においては、素子分離領域により規定されるドレイン領域１２１にボディ領域が形成され、ボディ領域にＮ型のソース領域が形成される。 - 特許庁

A resistor 23 for prevention of isolation fluctuation, which is connected in parallel with the high-frequency switching element 2 is provided between the drain and the source of the high-frequency switching element 22.例文帳に追加

高周波スイッチ素子２２のドレインとソースとの間には、高周波スイッチ素子２２と並列に接続されたアイソレーション変動防止用の抵抗器２３が設けられている。 - 特許庁

Further, the width of a superimposed diffusion layer 1121 for the source and drain region 112 is made larger than a distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109.例文帳に追加

また、ソース、ドレイン領域１１２の積み上げ拡散層１１２１の幅がゲート電極１０３と素子分離領域１０９との間の距離よりも大きくなるようにしている。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁

While an element isolation film for electrically isolating regions where respective transistors are formed is formed, a region isolation film 12 for separating the source region, channel region, and drain region of an MOS transistor for a high breakdown voltage from one another is formed.例文帳に追加

各トランジスタが形成される領域を、それぞれ電気的に分離するための素子分離膜が形成されると同時に高耐圧用ＭＯＳトランジスタのソース領域とチャネル領域とドレイン領域とを互いに分離するための領域分離膜１２が形成される。 - 特許庁

In the impurity diffusion region 17, a portion thereof which adjoins the region 141 of the border side is arranged between the source region 15 and the element isolation film 12, and contacted with the source region 15 and the region 141 of the border side.例文帳に追加

不純物拡散領域１７は、境界側の領域１４１と隣接する部分が、ソース領域１５と、素子分離膜１２との間に配置されるとともに、ソース領域１５と、境界側の領域１４１とに接する。 - 特許庁

The contact hole which is formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS type transistor and a trench isolation structure 41 extends to a part of the source/drain region 34 and a part of the trench isolation structure 41 of the MOS type transistor, and an electrode plug 49 for contact which is in contact with the source/drain region 34 is formed in an aperture part of the contact hole.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタおよびトレンチ分離構造４１を覆う層間絶縁膜３６中に形成されたコンタクトホールが、ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域３４の一部およびトレンチ分離構造４１の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域３４に接触するコンタクト用電極プラグ４９が形成されている。 - 特許庁

In the cross-section along a region between word lines 8 and 8, a trench isolation oxide film 2 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and source liens 3a and 18a and bit lines 3b and 18b are formed in an element forming region between the trench isolation oxide films 2.例文帳に追加

ワード線８とワード線８とによって挟まれた領域に沿った断面において、半導体基板１の表面にトレンチ分離酸化膜２が形成され、そのトレンチ分離酸化膜２によって挟まれた素子形成領域にソース線３ａ、１８ａとビット線３ｂ、１８ｂが形成されている。 - 特許庁

The element isolation insulating film 132 is formed thicker than the element isolation insulating film 134, and in the n-type source side diffusion region 114, the peak concentration section having a highest impurity concentration is formed in a deeper position than in the n-type drain side diffusion region 112.例文帳に追加

ここで、素子分離絶縁膜１３２が素子分離絶縁膜１３４よりも膜厚が厚く形成され、ｎ型ソース側拡散領域１１４において、ｎ型ドレイン側拡散領域１１２よりも、不純物の濃度が最も高いピーク濃度部分が深い位置に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has an n^+-type source region 26, a p-type body region 24, an n-type drift region 23, and the trench isolation gate 30 extending between the source region 26 and drift region 23 while penetrating the body region 24.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｎ^＋型のソース領域２６と、ｐ型のボディ領域２４と、ｎ型のドリフト領域２３と、ボディ領域２４を貫通してソース領域２６とドリフト領域２３の間を伸びている絶縁トレンチゲート３０を備えている。 - 特許庁

An upper face 35N of a portion of the element-isolation insulating film, adjacent to a first source region 21N and a first drain region 22N of the n-type MOSFET, is positioned below an upper face 25N of the first source region and the first drain region.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳＦＥＴでは、素子分離絶縁膜のうちの第１ソース領域２１Ｎ及び第１ドレイン領域２２Ｎに隣接する部分の上面３５Ｎは、第１ソース領域及び第１ドレイン領域の上面２５Ｎよりも下方に位置する。 - 特許庁

An upper face 35P of a portion of the element-isolation insulating film, adjacent to a second source region 21P and a second drain region 22P of the p-type MOSFET, is positioned above an upper face 25P of the second source region and the second drain region.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴでは、素子分離絶縁膜のうちの第２ソース領域２１Ｐ及び第２ドレイン領域２２Ｐに隣接する部分の上面３５Ｐは、第２ソース領域及び第２ドレイン領域の上面２５Ｐよりも上方に位置する。 - 特許庁

An impurity diffusing layer which may be used for isolation of elements is formed of a back gate, and a diffusing layer adjacent to the diffusing layer to form the back gate is formed of a drain, a source and a gate of the wiring layer bridging over the drain, source and back gate.例文帳に追加

素子分離として用いることのできる不純物拡散層をバックゲート、バックゲートを形成する拡散層に隣接した拡散層をドレイン及びソース、ドレイン、ソース及びバックゲート上を跨ぐ配線層のゲートからなる構成を有している。 - 特許庁

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

Furthermore, since the light source 12 and the photovoltaic unit 11 generating a high voltage can be brought into so-called a photo-isolation state, the high voltage can be isolated extremely easily and reliably.例文帳に追加

又、光源部１２と高電圧を発生する光発電部１１とを、所謂、ホトアイソレーション状態とすることができるため、高電圧を極めて容易にかつ確実に分離することができる。 - 特許庁

In a MOS type semiconductor device which makes an element separation by a trench element isolation region, in a pMOS, the length of the source/drain region in the channel direction is set to 1 μm or less.例文帳に追加

トレンチ型の素子分離領域によって素子分離がなされたＭＯＳ型半導体装置において、ｐＭＯＳにおいては、チャネル方向のソース・ドレイン領域の長さを1μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a DC voltage detecting device which can detect the output voltage of a DC power source such as a solar cell with no use of an expensive IC such as an isolation amplifier.例文帳に追加

アイソレーションアンプなどの高価なＩＣを使用することなく、太陽電池などの直流電源の出力電圧を検出できる直流電圧検出装置を提供する。 - 特許庁

On the semiconductor, source lines are formed so as to sandwich an element isolation insulation film in a first direction as a longitudinal direction and a second direction perpendicular to the first direction.例文帳に追加

半導体基板上には、第１方向を長手方向として且つ第１方向と直交する第２方向において素子分離絶縁膜を挟むように形成されるソース線が形成される。 - 特許庁

Accordingly, even when vibrations are generated by the turning motor 9 as a noise source, the vibration isolation plate 41 can absorb vibrations generated by the turning motor 9 before vibrations are transmitted to a housing 11.例文帳に追加

これにより、騒音源となる旋回モータ９で振動が発生しても、防振板４１は、旋回モータ９で発生した振動がハウジング１１に伝わる前に吸収することができる。 - 特許庁

A source/drain region 64 is formed in each region defined by the pair of word lines wl and an adjacent isolation film 52 being traversed by the pair of word lines wl.例文帳に追加

隣接した一対のワードラインｗｌと、これら一対のワードラインｗｌが横切る隣接した素子分離膜５２とで画定された領域の各々にソース／ドレーン領域６４が形成される。 - 特許庁

The source region 301, the drain region 401, the channel region 501 and the gate electrode regions 201 and 202 are in an element region 2111 surrounded by an element isolation region 2101.例文帳に追加

上記ソース領域３０１,ドレイン領域４０１,チャネル領域５０１およびゲート電極領域２０１,２０２が、素子分離領域２１０１で囲まれた素子領域２１１１内にある。 - 特許庁

A source/drain diffused region 28b and an extension region 25b are so formed as to be away from an element isolation region 17a, forming a corner part 41 of the diffused region.例文帳に追加

素子分離領域１７ａと離間してソース・ドレイン拡散領域２８ｂ及びエクステンション領域２５ｂを形成することにより、拡散領域のコーナー部４１が形成されている。 - 特許庁

To provide a vibration isolating method, a measuring device for vibration isolation, and a vibration isolating structure, for preventing a projecting part of a ship from resonating in relation to vibration generated by a vibration source of the ship.例文帳に追加

船舶の振動源による振動に対して、その船舶の突起部が共振しないようにするための防振方法，防振用測定装置，及び防振構造を、提供する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an active region including source/drain and a gate, and an element isolation region defining the active region, wherein the gate is formed by a part of a fin gate, the source/drain is an epitaxial layer between gates abutting a seed layer, and the line width of the source/drain in the longitudinal direction of the gate is wider than that of the gate.例文帳に追加

半導体素子は、ソース／ドレインとゲートを含む活性領域と、活性領域を画成する素子分離領域とを含むものの、ゲートはフィンゲートの一部で形成され、ソース／ドレインはシード層に隣接したゲートの間に形成されたエピタキシャル層であり、ゲートの長手方向でソース／ドレイン線幅はゲート線幅より大きい。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a drain region 121, a P-type isolation region 13 working as a gate, and a source leadout layer 23 of a JFET via a channel region in which the P-type element isolation region 13 is reversely biased by a voltage applied to the drain region 121 and a depletion layer extends, and the JFET is formed.例文帳に追加

ドレイン領域１２１と、ゲートとして機能するＰ型分離領域１３とドレイン領域１２１に印加される電圧により、Ｐ型素子分離領域１３が逆バイアスされて空乏層が延びるチャネル領域を介して、ＪＦＥＴのソース引出層２３が配置され、ＪＦＥＴが形成される。 - 特許庁

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

Source/drain diffused layers 17 and 18 are formed so as to be separated from the edge of the element isolation region 12 by prescribed distances d1, d2, d3, and d4 around their parts which are connected to (or overlap with) an impurity diffused layer 142.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層１７、１８に関し、不純物拡散層１４２と繋がる（あるいは重なる）部分付近は素子分離領域１２縁部から所定距離ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４だけ離間して形成している。 - 特許庁

To provide vibration isolating piping technique capable of giving flexibility like a desired vibration isolating effect displayable in a piping system connecting an equipment serving as a vibration source element and an equipment serving as a vibration isolation objective element.例文帳に追加

振動源要素となる器機と防振対象要素となる器機とを繋ぐ配管系に、所望の防振効果を発揮できるような可撓性を付与することのできる防振配管技術の提供。 - 特許庁

The source region 15 is estranged from a region 141 of a border side of the element isolation film 12 and the element forming region 13 in the region directly under the gate electrode 14 in the element forming region 13.例文帳に追加

ソース領域１５は、素子形成領域１３内のゲート電極１４の直下の領域のうち、素子分離膜１２と素子形成領域１３との境界側の領域１４１に対し離間している。 - 特許庁

By the above structure, injection and drawing-out of free carriers (positive holes) are performed from both sides of the source region 4, and free carriers (positive holes) are movable also in a Y axis direction through an isolation region 17.例文帳に追加

そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを行い、且つ、分離領域１７を介してＹ軸方向にも自由キャリア（正孔）の移動可能とする。 - 特許庁

A pair of first STI (shallow trench isolation) regions includes regions which lie directly under parts of the source/drain regions, respectively, and is separated by a semiconductor strip, while being adjoined to the semiconductor strip.例文帳に追加

一対の第一STI領域は、ソース/ドレイン領域の一部分の真下に位置する部分を含み、一対の第一STI領域は、半導体ストリップにより分離され、且つ、半導体ストリップに隣接する。 - 特許庁

To provide an acoustic signal processing apparatus, method and program and recording medium with the acoustic signal processing program recorded thereon, for sound source normalization and sound source isolation, capable of dealing with sound sources as many as or more than the number of microphones, while relaxing the limitations on the sound sources.例文帳に追加

音源への制約を緩和しつつ、マイクロホン数以上の音源を扱うことのできる音源定位と音源分離のための音響信号処理装置、音響信号処理方法、音響信号処理プログラム、及び音響信号処理プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes the trench gate 118 formed in a trench formed between a drain region 106 and a source region 108 and penetrating an element isolation region 104 to reach a substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００は、ドレイン領域１０６およびソース領域１０８の間に形成され、素子分離領域１０４を貫通して基板１０２にまで達するトレンチ内に形成されたトレンチゲート１１８を含む。 - 特許庁

A P-type drift layer 10 expands in an N-type epitaxial layer 3 under an N-type body layer under a source layer 17 through a lower part of an element isolation insulating film 9 from a lower part of a drain layer 18.例文帳に追加

ドレイン層１８の下方から、素子分離絶縁膜９の下方を経由して、ソース層１７の下部のＮ型ボディ層の下方のＮ型エピタキシャル層３中に拡がったＰ型ドリフト層１０が形成されている。 - 特許庁

More specifically, limitation of photolithographic technology is solved to enhance the switching rate and frequency response of an FET by decreasing the isolation distance between the drain electrode and the source electrode thereby decreasing the channel width.例文帳に追加

詳しくは、ドレイン電極とソース電極を分離する距離を減らしそしてチャネルの幅を減らしてＦＥＴの切り換え速度と周波数応答を向上させるような光リソグラフ技術の限界を解決することである。 - 特許庁

The new microorganism belonging to the genus Geobacillus and having the ability to produce N_2 gas using the nitrate ions as the substrate is found out as a result of isolation and identification of the objective microorganism using soil, rivers or active sludge as a separation source.例文帳に追加

土壌、河川、活性汚泥を分離源として、目的の微生物を単離、同定した結果、ジオバチルス（Geobacillus）属に属し、硝酸イオンを基質としてN_2ガスを生成する能力を有する新規微生物を見出した。 - 特許庁

An insulating film 15 is formed on the photoelectric converter 21; and a silicide layer 16 is formed in an area excluding on the boundary between the insulating film 15 and the element isolation area 14, and between the floating diffused layer 22 and at least the element isolation area 14; as well as in an area including on a source area, a drain area, and a gate electrode of the MOS transistor.例文帳に追加

光電変換部２１の上には、絶縁膜１５が形成され、絶縁膜１５及び素子分離領域１４並びに浮遊拡散層２２の少なくとも素子分離領域１４との境界部分の上を除き且つＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極の上を含む領域にはシリサイド層１６が形成されている。 - 特許庁