spin polarized currentとは 意味・読み方・使い方

Subsequently, by bit line current from a write drive circuit, a polarized spin electron in the same direction as the polarized spin of the fixed layer is injected into the free layer, and the writing is executed solely for data "1".例文帳に追加

次いで、書込ドライブ回路からのビット線電流により、固定層の偏極スピンと同一方向の偏極スピン電子を自由層に注入し、データ“１”のみの書込を実行する。 - 特許庁

These states can be switched over by injecting a spin-polarized electron current into the memory cell.例文帳に追加

これらの状態は記憶セル内にスピン偏極した電子流を注入することによりスイッチング可能である。 - 特許庁

To generate spin polarized carriers in a state of no current flowing without using a large-scale device.例文帳に追加

大規模な装置を用いることなく、電流として流れない状態にスピン偏極キャリアが生成できるようにする。 - 特許庁

In the spin device 1, since a sub-tunnel barrier wall F blocks the flow of electrons flowing from a non-magnetic metal layer D to a ferroelectric layer E and having a specific polarized spin, spin magnetic moments of electrons of the specific polarized spin to be absorbed in a free layer C increases, the magnetization direction of the free layer C by spin implantation at a low current can be controlled.例文帳に追加

スピンデバイス１においては、副トンネル障壁Ｆが、非磁性金属層Ｄから強磁性層Ｅに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層Ｃ内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Ｃの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。 - 特許庁

When a read-out current I_R is supplied between the second wiring W2 for the supply of the read-out current I_R and the common wiring WC since this is not through the spin filter SF, a spin polarized current is not supplied to the inside of the magnetoresistance effect element MR, and the reversal of the magnetization of the magnetically sensitive layer F becomes difficult.例文帳に追加

読み出し電流Ｉ_Ｒの供給用の第２配線Ｗ２と共通配線ＷＣとの間に、読み出し電流Ｉ_Ｒを供給すると、これはスピンフィルタＳＦを介していないため、磁気抵抗効果素子ＭＲ内には、スピン分極電流が供給されず、感磁層Ｆの磁化反転は困難となる。 - 特許庁

A storage element 3 is configured to store information in a storage layer 16 by applying current in a lamination direction, injecting a spin-polarized electron, and changing the direction of magnetization M1 of the storage layer 16.例文帳に追加

積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１６の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１６に対して情報の記憶が行われる記憶素子３を構成する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁