スピン偏極電流の英語

大きなスピン偏極電流を得る。例文帳に追加

To obtain a large spin polarization current. - 特許庁

スピン偏極率の高い電流を高率よく放出することができ、電気的耐圧の良好なスピン偏極エミッタの提供。例文帳に追加

To provide a spin polarization emitter capable of efficiently emitting a current with a high spin polarization factor and exhibiting good withstand voltage. - 特許庁

次いで、書込ドライブ回路からのビット線電流により、固定層の偏極スピンと同一方向の偏極スピン電子を自由層に注入し、データ“１”のみの書込を実行する。例文帳に追加

Subsequently, by bit line current from a write drive circuit, a polarized spin electron in the same direction as the polarized spin of the fixed layer is injected into the free layer, and the writing is executed solely for data "1". - 特許庁

大規模な装置を用いることなく、電流として流れない状態にスピン偏極キャリアが生成できるようにする。例文帳に追加

To generate spin polarized carriers in a state of no current flowing without using a large-scale device. - 特許庁

磁場中においてスピン偏極させた準安定原子ビームを試料に照射し、試料電流を発生させ、試料に照射する準安定原子ビームのスピン偏極の向きを変えたときの試料電流の変化を測定することで試料表面の磁性計測を行う。例文帳に追加

The sample is irradiated with a metastable atomic beam, subjected to spin polarization in the magnetic field to generate a sample current and the surface magnetism of the sample, is measured by measuring the changes in the sample current, when the direction of the spin polarization of the metastable atomic beam, used for irradiating the sample, is changed. - 特許庁

スピンデバイス１においては、副トンネル障壁Ｆが、非磁性金属層Ｄから強磁性層Ｅに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層Ｃ内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Ｃの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。例文帳に追加

In the spin device 1, since a sub-tunnel barrier wall F blocks the flow of electrons flowing from a non-magnetic metal layer D to a ferroelectric layer E and having a specific polarized spin, spin magnetic moments of electrons of the specific polarized spin to be absorbed in a free layer C increases, the magnetization direction of the free layer C by spin implantation at a low current can be controlled. - 特許庁

Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。例文帳に追加

To provide a spin transistor which can control the upward direction and the downward direction of a carrier spin by the interaction of the Rashba spin orbit and branching of a carrier passage, and which controls the size of a drain current by a gate electrode, by using a superconducting junction where the drain current flows, by depending on a spin polarization degree. - 特許庁