spin-polarized electronsとは 意味・読み方・使い方

Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27.例文帳に追加

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。 - 特許庁

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.例文帳に追加

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁

When the senses of the magnetizations of first and second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are parallel with each other, spin-polarized hot electrons 26 having up-spin are injected into a base 22.例文帳に追加

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化の向きが互いに平行な場合、アップスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２６がベース２２に注入される。 - 特許庁

Since both a positive hole and electrons which are reconnected are spin-polarized, the degree of the polarization of generated light is higher than that in the case of the spin-polarization of only the positive hole.例文帳に追加

再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。 - 特許庁

Upon using a scanning electron microscope which is loaded with a spin-polarized electron source having a laser 201 and a semiconductor 202, a chirality structure and magnetized vector of polymer inside a testpiece 208 can be visualized by measuring intensity and the degree of spin-polarization of reflected electrons 209 from the testpiece 208 which is irradiated by a spin-polarized electron beam 203 by using a reflected electron detector 210.例文帳に追加

レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 - 特許庁

In both end sections of the memory device MM1, a fixed layer 1, the direction of magnetization fixed in one direction, and a free layer 2 with changeable, the direction of magnetizing orientation when the spin-polarized electrons flow in, are respectively included by using a carbon nanotube 10 as one constituent unit and the central part of the tube 10 in the axial direction as a spin conductive layer 3.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１０を１構成単位とし、その軸方向における中央部をスピン伝導層３とし、両端部に、磁化配向が一定方向に固定された固定層１，偏極スピン電子の流入によって磁化配向が変化する自由層２がそれぞれ内包されている。 - 特許庁

The evaluation of the polarization rate of the polarized positron beam is performed, by observing the state of bonding formed by polarizing unpaired electrons at the cryogenic temperature in a strong magnetic field, and making them react with impinging polarized positrons, and the spin state of positronium by a positron annihilation method.例文帳に追加

極低温、強磁場中で不対電子を偏極させ、入射偏極陽電子と反応させることにより形成される結合状態、ポジトロニウムのスピン状態を陽電子消滅法により観測し、偏極陽電子ビームの偏極率の評価を行う方法。 - 特許庁

The magnetic memory element 3 includes a fixed layer 19 whose magnetization direction is fixed, a storage layer 21 whose magnetization direction is variable and a tunnel insulating film 20 arranged between the fixed layer 19 and the storage layer 21, and the element inverts the magnetization direction of the storage layer 21 by electrons which are spin-polarized.例文帳に追加

磁気記憶素子３は、磁化方向が一定である固着層１９、磁化方向が可変である記憶層２１、および、固着層１９と記憶層２１との間に配置されたトンネル絶縁膜２０を有し、スピン偏極した電子により記憶層２１の磁化方向を反転させる。 - 特許庁