「spin-polarized electrons」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When spin polarized electrons are injected in the lamination direction, orientation of magnetization of the storage layer changes and recording of information is carried out.例文帳に追加

そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。 - 特許庁

The memory device is provided with an arrangement of memory cells each adapted to switch a state of memory through injection of spin-polarized electrons.例文帳に追加

メモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる。 - 特許庁

Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27.例文帳に追加

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。 - 特許庁

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.例文帳に追加

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁

When the senses of the magnetizations of first and second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are parallel with each other, spin-polarized hot electrons 26 having up-spin are injected into a base 22.例文帳に追加

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化の向きが互いに平行な場合、アップスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２６がベース２２に注入される。 - 特許庁

Since both a positive hole and electrons which are reconnected are spin-polarized, the degree of the polarization of generated light is higher than that in the case of the spin-polarization of only the positive hole.例文帳に追加

再結合する正孔および電子の両方がスピン偏極しているため、正孔のみがスピン偏極している場合と比較して発生する光の偏光度が高くなる。 - 特許庁

Upon using a scanning electron microscope which is loaded with a spin-polarized electron source having a laser 201 and a semiconductor 202, a chirality structure and magnetized vector of polymer inside a testpiece 208 can be visualized by measuring intensity and the degree of spin-polarization of reflected electrons 209 from the testpiece 208 which is irradiated by a spin-polarized electron beam 203 by using a reflected electron detector 210.例文帳に追加

レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 - 特許庁

In both end sections of the memory device MM1, a fixed layer 1, the direction of magnetization fixed in one direction, and a free layer 2 with changeable, the direction of magnetizing orientation when the spin-polarized electrons flow in, are respectively included by using a carbon nanotube 10 as one constituent unit and the central part of the tube 10 in the axial direction as a spin conductive layer 3.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１０を１構成単位とし、その軸方向における中央部をスピン伝導層３とし、両端部に、磁化配向が一定方向に固定された固定層１，偏極スピン電子の流入によって磁化配向が変化する自由層２がそれぞれ内包されている。 - 特許庁

The evaluation of the polarization rate of the polarized positron beam is performed, by observing the state of bonding formed by polarizing unpaired electrons at the cryogenic temperature in a strong magnetic field, and making them react with impinging polarized positrons, and the spin state of positronium by a positron annihilation method.例文帳に追加

極低温、強磁場中で不対電子を偏極させ、入射偏極陽電子と反応させることにより形成される結合状態、ポジトロニウムのスピン状態を陽電子消滅法により観測し、偏極陽電子ビームの偏極率の評価を行う方法。 - 特許庁

The magnetic memory element 3 includes a fixed layer 19 whose magnetization direction is fixed, a storage layer 21 whose magnetization direction is variable and a tunnel insulating film 20 arranged between the fixed layer 19 and the storage layer 21, and the element inverts the magnetization direction of the storage layer 21 by electrons which are spin-polarized.例文帳に追加

磁気記憶素子３は、磁化方向が一定である固着層１９、磁化方向が可変である記憶層２１、および、固着層１９と記憶層２１との間に配置されたトンネル絶縁膜２０を有し、スピン偏極した電子により記憶層２１の磁化方向を反転させる。 - 特許庁

To provide a probe in which problems of low productivity, difficulty in production of the fine probe having the head in the atomic order, liableness to plastic deformation, incapability of cleaning of pollution on the head, application of a high voltage in STM or SP-STM, low taking-out efficiency of spin polarized electrons in the SP-STM are solved.例文帳に追加

量産性が低い、先端が原子オーダーの微細な探針作製の困難性、塑性変形しやすい、先端の汚染の清浄化不可能、STMやSP−STMにおける高電圧の印加、および、SP−STMにおけるスピン偏極電子の取り出し効率が低いという点を解決した探針を提供する。 - 特許庁

A current is supplied from a fixed layer 102 where magnetization is fixed by an antiferromagnetic member 103 to a nonmagnetic thin line 101 having a part N1 affected by an external magnetic field and a part N2 not affected by the external magnetic field to store spin-polarized electrons (I_s1, I_s2) in the nonmagnetic thin line 101.例文帳に追加

外部磁界に影響を受ける部位Ｎ１と影響を受けない部位Ｎ２を有する非磁性細線１０１へ、反強磁性体１０３によって磁化が固定された固定層１０２から電流を流し、非磁性細線１０１中にスピン偏極した電子（Ｉ_s1，Ｉ_s2）を蓄積させる。 - 特許庁

In the nonvolatile optical memory element having a structure in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor that is connected to an optical waveguide, electrons are injected into the semiconductor via the ferromagnetic body so that the electrons that are spin-polarized according to a magnetization direction of the ferromagnetic body are injected, thereby enlarging a region in which a photomagnetic effect occurs effectively.例文帳に追加

光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。 - 特許庁

This head is equipped with: a high frequency magnetic field oscillation element 11 having a high frequency magnetic field oscillation layer 18 in which magnetic material having negative magnetic anisotropy constant is a main component, a reference layer 14 supplying electrons polarized by spin to the high frequency magnetic field oscillation layer 18, and a non-magnetic layer 16 arranged between the high frequency magnetic field oscillation layer 18 and the reference layer 14; and a main pole 12.例文帳に追加

負の磁気異方性定数を持つ磁性材料を主成分とする高周波磁界発振層１８と、スピンが偏極した電子を高周波磁界発振層１８に供給するレファレンス層１４と、高周波磁界発振層１８とレファレンス層１４間に配置された非磁性層１６と、を有する高周波磁界発振素子１１と、主磁極１２と、を備える。 - 特許庁