sputtering gasとは 意味・読み方・使い方

The sputtering is carried out on conditions that the kind of sputtering gas is mixed gas containing hydrogen gas and inert gas of 5:95 to 20:80 mixing ratio (%) and that the temperature of the substrate is 0 to -20°C.例文帳に追加

スパッタリングガス種：水素ガスと不活性ガスの混合比率（％）が５：９５〜２０：８０である混合ガス、基板温度：０〜−２０℃。 - 特許庁

Nitrogen is introduced as a sputtering gas and carbon dioxide is introduced as a processing gas, into an oxidation sputtering chamber 11.例文帳に追加

酸化スパッタチャンバ１１内には、スパッタガスとして窒素を導入し、プロセスガスとして二酸化炭素を導入する。 - 特許庁

When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.例文帳に追加

第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF THIN-FILM GAS SENSOR USING DOUBLE ION BEAM SPUTTERING例文帳に追加

二重イオンビームスパッタリングを用いる薄膜ガスセンサの製造方法 - 特許庁

At the time of arranging a substrate 15 in a sputtering system 1 and sputtering a copper target 21, a trace amt. of air is introduced from piping 31 for adding gas and is added to a sputtering gas.例文帳に追加

スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。 - 特許庁

The target 2 is fed with pulse-like sputtering power from a sputtering power source 3, so as to form the plasma of a sputtering gas fed inside the vacuum chamber 1, the ions of the sputtering gas are collided against the target 2, so as to release sputtering particles, and the sputtering particles are ionized and are deposited on the base material.例文帳に追加

前記ターゲット２にスパッタ電源３からパルス状のスパッタ電力を供給し、真空チャンバ１内に供給されたスパッタガスのプラズマを形成し、前記スパッタガスのイオンを前記ターゲット２に衝突させてスパッタ粒子を放出させ、このスパッタ粒子をイオン化して前記基材に堆積させる。 - 特許庁

The sputtering conditions are 5 Pa gas pressure, 3 kw power, and 5 see time.例文帳に追加

スパッタ条件は、ガス圧：５Ｐａ、パワー：３ｋｗ、時間：５ｓｅｃとした。 - 特許庁

A photocatalytic titanium oxide thin film is deposited by gas flow sputtering.例文帳に追加

ガスフロースパッタリングにより、成膜された光触媒酸化チタン薄膜。 - 特許庁