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sputtering gasとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 スパッタガス
「sputtering gas」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 459件
The gas barrier layer 27 is then formed by a sputtering method.例文帳に追加
その後、スパッタ法でガスバリア層27を形成する。 - 特許庁
GAS SUPPLY METHOD FOR THIN FILM SPUTTERING例文帳に追加
薄膜スパッタリングのためのガス供給方法 - 特許庁
FILM-FORMING METHOD BY GAS-FLOW SPUTTERING例文帳に追加
ガスフロースパッタリング成膜方法 - 特許庁
The sputtering is carried out on conditions that the kind of sputtering gas is mixed gas containing hydrogen gas and inert gas of 5:95 to 20:80 mixing ratio (%) and that the temperature of the substrate is 0 to -20°C.例文帳に追加
スパッタリングガス種:水素ガスと不活性ガスの混合比率(%)が5:95〜20:80である混合ガス、基板温度:0〜−20℃。 - 特許庁
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「sputtering gas」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 459件
To provide a sputtering apparatus capable of constantly controlling the film deposition rate without controlling the sputtering power, the sputtering gas partial pressure, the sputtering gas flow rate or the like.例文帳に追加
スパッタ電力、スパッタガス分圧、スパッタガス流量等の制御を行うことなく成膜速度を一定に制御することを可能にしたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.例文帳に追加
第1のスパッタガス導入管2aから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第2のスパッタガス導入管2bから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁
Nitrogen is introduced as a sputtering gas and carbon dioxide is introduced as a processing gas, into an oxidation sputtering chamber 11.例文帳に追加
酸化スパッタチャンバ11内には、スパッタガスとして窒素を導入し、プロセスガスとして二酸化炭素を導入する。 - 特許庁
MANUFACTURE OF THIN-FILM GAS SENSOR USING DOUBLE ION BEAM SPUTTERING例文帳に追加
二重イオンビームスパッタリングを用いる薄膜ガスセンサの製造方法 - 特許庁
A photocatalytic titanium oxide thin film is deposited by gas flow sputtering.例文帳に追加
ガスフロースパッタリングにより、成膜された光触媒酸化チタン薄膜。 - 特許庁
At least one layer of the laminated film is a gas barrier sputtering film 4A.例文帳に追加
積層膜の少なくとも一層は、ガスバリア性スパッタ膜4Aである。 - 特許庁
The sputtering conditions are 5 Pa gas pressure, 3 kw power, and 5 see time.例文帳に追加
スパッタ条件は、ガス圧:5Pa、パワー:3kw、時間:5secとした。 - 特許庁
In a sputtering method, a sputtering gas containing a noble gas is introduced from two or more points into a vacuum chamber 1, a molecular weight of the sputtering gas introduced from around the target 2 is controlled to be larger than those of any sputtering gasses introduced from around a substrate 51, and also an introduction gas plasma source 13 is provided around the target 2 to convert the sputtering gas into plasma.例文帳に追加
希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ1内へ2ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット2の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板51の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット2の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源13を設ける。 - 特許庁
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